一种新型穿心电容制造技术

本实用新型专利技术是一种用于磁控管的穿心电容。包括有上插头（１）、底座（２）、盒盖（３）、下插头（４），其中下插头（４）装设在盒盖（３）的下端，底座（２）装设在盒盖（３）的上端，上插头（１）装设在底座（２）的顶部，其中底座（２）的顶部做出有外凸台（２１）。本实用新型专利技术由于采用在底座顶部做出有外凸台的结构，因此其不仅保证爬电距离满足使用要求，而且大大缩小整体结构，使得磁控管的结构更紧凑。本实用新型专利技术是一种设计合理，结构简单，可满足使用要求的一种新型穿心电容。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是一种用于磁控管的穿心电容，属于磁控管所用电容的改造技术。2、
技术介绍
现有磁控管用穿心电容的结构如图3、4所示，为了达到爬电距离的要求，需将其底座设计很大，以至组装在磁控管时占用的空间较大。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述缺点而提供一种不仅保证爬电距离满足使用要求，而且大大缩小整体结构的磁控管。本技术的结构示意图如图1所示，包括有上插头(1)、底座(2)、盒盖(3)、下插头(4)，其中下插头(4)装设在盒盖(3)的下端，底座(2)装设在盒盖(3)的上端，上插头(1)装设在底座(2)的顶部，其中底座(2)的顶部做出有外凸台(21)。本技术由于采用在底座顶部做出有外凸台的结构，因此其不仅保证爬电距离满足使用要求，而且大大缩小整体结构，使得磁控管的结构更紧凑。本技术是一种设计合理，结构简单，可满足使用要求的一种新型穿心电容。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为本技术中底座(2)的结构示意图；图3为现有技术的结构示意图4为现有技术中底座(2)的结构示意图；具体实施方式实施例本技术的结构示意图如图1、2所示，包括有上插头(1)、底座(2)、盒盖(3)、下插头(4)，其中下插头(4)装设在盒盖(3)的下端，底座(2)装设在盒盖(3)的上端，上插头(1)装设在底座(2)的顶部，其中底座(2)的顶部做出有外凸台(21)。本技术可保证爬电距离大于等于15.5mm，大大缩小了穿心电容的整体结构，使得磁控管的结构更紧凑，而且达到了所要求的技术要求。

【技术保护点】
一种新型穿心电容，包括有上插头（１）、底座（２）、盒盖（３）、下插头（４），其中下插头（４）装设在盒盖（３）的下端，底座（２）装设在盒盖（３）的上端，上插头（１）装设在底座（２）的顶部，其特征在于底座（２）的顶部做出有外凸台（２１）。

【技术特征摘要】
1.一种新型穿心电容，包括有上插头(1)、底座(2)、盒盖(3)、下插头(4)，其中下插头(4)装设在盒盖(3)的下端...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑利教，王劲，廖锋，李鑫，覃平，
申请(专利权)人：佛山市美的日用家电集团有限公司，
类型：实用新型
国别省市：44[中国|广东]