一种陶瓷砖底釉、陶瓷砖及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种陶瓷砖底釉、陶瓷砖及其制备方法，按质量份计，陶瓷砖底釉的原料包括以下组分：高岭土6～12份、钾长石和/或钠长石30～60份、偏钛酸5～15份、低温熔块5～20份、硅灰石15～30份。本发明专利技术提供的陶瓷砖底釉无需使用价格昂贵的硅酸锆，也无需使用钛白熔块，将偏钛酸、硅灰石引入陶瓷砖底釉配方中，经固相反应，生成榍石乳浊相，釉面光泽＜10度，白度在60～70度之间，实现对陶瓷坯体颜色的遮盖。本发明专利技术提供的陶瓷砖底釉基于固相反应实现其作为底釉的功能，不需要析晶，不需要烧至熔融，底釉中硅铝成分的使用比含有钛白熔块的底釉更宽松，进而可在1150～1250℃的高温下烧成使用。进而可在1150～1250℃的高温下烧成使用。

【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷砖底釉、陶瓷砖及其制备方法


[0001]本专利技术涉及建筑陶瓷砖
，尤其涉及一种陶瓷砖底釉、陶瓷砖及其制备方法。

技术介绍

[0002]在建筑陶瓷行业，底釉白度较高，具有极强的遮盖效果。底釉中以折射率较高的物质作为乳浊相反射可见光，遮盖坯色。常见的陶瓷砖底釉用乳浊剂包括氧化铈、氧化锡、硅酸锆、二氧化钛等。其中，氧化铈、氧化锡价格高，极少使用；硅酸锆折射率(1.93～2.01)高，对底釉配方的适应性广，能提高底釉的理化性能等，虽然硅酸锆因伴生有微量的铪元素而具有放射性，但也不妨碍其在陶瓷砖生产中的广泛应用。但是近年来硅酸锆价格高涨，急需一种乳浊能力强、且价格低廉的替代品来替代硅酸锆。二氧化钛也是一种折射率很高的氧化物，折射率高达2.55～2.76，对光线具有极强的反射作用，是世界上最白的物质，二氧化钛可代替硅酸锆作为不透水底釉的主要成分应用到建筑陶瓷砖产品中，二氧化钛通常以常规钛白熔块形式引入，具体地二氧化钛多与SiO2、CaO等原料烧制成低温的钛白熔块，用在釉面砖(俗称瓷片)的底釉中，并在1020～1050℃烧成，其乳浊相为榍石。但钛白熔块在使用过程中具有如下技术瓶颈：
[0003]首先，钛白熔块的熔融温度低，更适合于在1020～1050℃瓷片烧成制度下使用。而将低温即可熔融的钛白熔块用于1200℃左右烧制时，会因钛白熔块的熔融温度过低过早而封闭釉面，使得陶瓷坯体在氧化排气阶段的气体不易排出，导致釉面易出现针孔气泡等缺陷，同时会因其熔融温度低而导致釉面光泽度过高，不符合陶瓷砖底釉的性能要求，因此，现有钛白熔块使用温度受限，不能用于1150～1250℃高温下烧成的瓷质或炻瓷质的建筑陶瓷砖产品中。
[0004]其次，为了提高底釉的熔融温度，增加配方中Al2O3的占比是常用的手段，然而采用钛白熔块的底釉，榍石析晶必须在晶相成分过饱和、温度制度过冷却，釉熔融后高温粘度不大时才能进行。Al2O3的加入虽然可提升底釉熔融温度，但其提高底釉的高温粘度的能力极强，因此底釉中Al2O3占比稍高，就会出现因榍石析晶难而导致乳浊釉变成透明釉的现象，无法起到遮盖效果，即因榍石析晶的缘故，钛白熔块的适用底釉配方受限，钛白熔块无法使用在高氧化铝含量的底釉中。
[0005]最后，一方面，钛白熔块需经高温烧制而成，且熔块熔制和熔块粉碎都是消耗能源的工艺，成本较高；另一方面，钛白熔块中二氧化钛的含量低，因此为了保证底釉的白度和遮盖效果，需要使用大量的钛白熔块，一般来说底釉中TiO2含量需控制在5～8wt％，才能满足陶瓷砖产品白度的要求。然而现有的钛白熔块中，TiO2含量通常在7.12～13.85wt％，以底釉中TiO2含量为6wt％为例，则底釉中钛白熔块的用量需达到42～83wt％。即配方中需使用大量的经高温熔制的钛白熔块，进一步增加了制造成本、能耗及碳排放。因此，钛白熔块的使用导致社会资源消耗大、能耗大、成本高。
[0006]因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现思路

[0007]基于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种陶瓷砖底釉、陶瓷砖及其制备方法，旨在解决现有陶瓷砖底釉中使用的钛白熔块成本高、适用的底釉配方受限、使用温度受限的问题。
[0008]本专利技术的技术方案如下：
[0009]本专利技术的第一方面，提供一种陶瓷砖底釉，其中，按质量份计，所述陶瓷砖底釉的原料包括以下组分：
[0010]高岭土6～12份、钾长石和/或钠长石30～60份、偏钛酸5～15份、低温熔块5～20份、硅灰石15～30份。
[0011]可选地，按质量份计，所述低温熔块的化学成分包括：
[0012]SiO
2 55～65份、Al2O
3 6～12份、Fe2O
3 0～0.3份、CaO 10～15份、MgO 0.5～3份、K2O 3～6份、Na2O 5～8份、ZnO 4～7份、B2O
3 0～2份、BaO 0～1份。
[0013]可选地，按质量份计，所述低温熔块的化学成分包括：
[0014]SiO
2 55～65份、Al2O
3 6～12份、Fe2O
3 0.1～0.3份、CaO 10～15份、MgO 0.5～3份、K2O 3～6份、Na2O 5～8份、ZnO 4～7份、B2O
3 0.1～2份、BaO 0.5～1份。
[0015]可选地，按质量份计，所述陶瓷砖底釉的原料还包括：石英0～25份。
[0016]本专利技术的第二方面，提供一种陶瓷砖，包括依次层叠设置的陶瓷坯体、底釉层、喷墨装饰层以及面釉层，其中，所述底釉层由本专利技术如上所述的陶瓷砖底釉制备得到。
[0017]可选地，所述陶瓷砖还包括：
[0018]保护釉层，设置在所述底釉层与喷墨装饰层之间；
[0019]所述保护釉层由包括以下质量份组分的原料制备得到：
[0020]高岭土8～12份、钾长石10～25份、钠长石10～25份、硅酸锆8～20份、氧化铝0～10份、烧滑石0～10份、石英0～15份、熔块15～30份。
[0021]可选地，所述保护釉层由包括以下质量份组分的原料制备得到：
[0022]高岭土8～12份、钾长石10～25份、钠长石10～25份、硅酸锆8～20份、氧化铝7～10份、烧滑石8～10份、石英10～15份、熔块15～30份。
[0023]可选地，按质量份计，所述熔块的化学成分包括：
[0024]SiO
2 55～65份、Al2O
3 6～12份、ZrO
2 4～8份、Fe2O
3 0～0.3份、CaO 5～10份、MgO 4～8份、K2O 4～8份、Na2O 0.5～3份。
[0025]本专利技术的第二方面，提供一种本专利技术如上所述的陶瓷砖的制备方法，其中，包括步骤：
[0026]提供陶瓷坯体；
[0027]在所述陶瓷坯体上施加本专利技术如上所述的陶瓷砖底釉，然后进行喷墨装饰、施加面釉；
[0028]在1150～1250℃的温度下进行烧成，得到包括陶瓷坯体、底釉层、喷墨装饰层、面釉层依次层叠设置的陶瓷砖。
[0029]可选地，在施加陶瓷砖底釉之后，进行喷墨装饰之前，还包括施加保护釉的步骤，其中，所述保护釉的原料包括以下质量份的组分：
[0030]高岭土8～12份、钾长石10～25份、钠长石10～25份、硅酸锆8～20份、氧化铝0～10
份、烧滑石0～10份、石英0～15份、熔块15～30份。
[0031]有益效果：本专利技术提供的陶瓷砖底釉白度高，是具有较强的遮盖坯色能力的哑光釉。所述陶瓷砖底釉无需使用价格昂贵的硅酸锆，也无需使用钛白熔块，将偏钛酸、硅灰石引入陶瓷砖底釉配方中，经固相反应，生成榍石乳浊相，釉面光泽＜10度，白度在60～70之间，实现对陶瓷坯体颜色的遮盖。本专利技术提供的陶瓷砖底釉基于固相反应实现其作为底釉的功能，即乳浊相榍石晶相是通过固相反应合成的，不需要析晶，不需要烧至熔融(底釉烧结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷砖底釉，其特征在于，按质量份计，所述陶瓷砖底釉的原料包括以下组分：高岭土6～12份、钾长石和/或钠长石30～60份、偏钛酸5～15份、低温熔块5～20份、硅灰石15～30份。2.根据权利要求1所述的陶瓷砖底釉，其特征在于，按质量份计，所述低温熔块的化学成分包括：SiO
2 55～65份、Al2O
3 6～12份、Fe2O
3 0～0.3份、CaO 10～15份、MgO 0.5～3份、K2O 3～6份、Na2O 5～8份、ZnO 4～7份、B2O
3 0～2份、BaO 0～1份。3.根据权利要求2所述的陶瓷砖底釉，其特征在于，按质量份计，所述低温熔块的化学成分包括：SiO
2 55～65份、Al2O
3 6～12份、Fe2O
3 0.1～0.3份、CaO 10～15份、MgO 0.5～3份、K2O 3～6份、Na2O 5～8份、ZnO 4～7份、B2O
3 0.1～2份、BaO 0.5～1份。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的陶瓷砖底釉，其特征在于，按质量份计，所述陶瓷砖底釉的原料还包括：石英0～25份。5.一种陶瓷砖，包括依次层叠设置的陶瓷坯体、底釉层、喷墨装饰层以及面釉层，其特征在于，所述底釉层由权利要求1
‑
4任一项所述的陶瓷砖底釉制备得到。6.根据权利要求5所述的陶瓷砖，其特征在于，所述陶瓷砖还包括：保护釉层，设置在所述底釉层与喷墨装饰层之间；所述保护釉层由包括以...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈荣伟，邓振伟，魏宇婷，
申请(专利权)人：重庆唯美陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：