本申请公开了一种电压控制方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。其中，该方法包括：在电压控制模式下，若接收到针对闪存的任一控制单元的读命令，则执行读命令；检测执行结果是否正确；若执行结果错误，则基于目标重读表更改控制单元的偏移电压，并发起重读操作得到新的执行结果，针对新的执行结果返回执行检测执行结果是否正确的步骤及后续步骤，其中，目标重读表为控制单元所对应的重读表，重读表存储有至少两个期望电压值；若执行结果正确，则保持控制单元当前的偏移电压，并根据控制单元当前的偏移电压更新重读表。通过本申请方案，可以一定程度降低重读操作的发起次数，减少出现闪存性能严重下降的情况。减少出现闪存性能严重下降的情况。减少出现闪存性能严重下降的情况。
【技术实现步骤摘要】
一种电压控制方法、电压控制装置及电子设备
[0001]本申请属于控制
，尤其涉及一种电压控制方法、电压控制装置、电子设备及计算机可读存储介质。
技术介绍
[0002]闪存(flash)随着使用时间的增长，内部会因磨损过多和/或异常温度而导致其电子偏移严重，此时直接执行读命令很有可能无法读出正确的数据，需要对闪存施加一定的偏移电压后再发起重读操作，才能读出正确的数据。在重读操作的发起次数过多时，可能导致闪存的性能严重下降，致使其响应速度变慢，从而带给用户不好的体验。
技术实现思路
[0003]本申请提供了一种电压控制方法、电压控制装置、电子设备及计算机可读存储介质，可以一定程度降低重读操作的发起次数，减少出现闪存性能严重下降的情况，保障用户对闪存进行读写操作的流畅性。
[0004]第一方面，本申请提供了一种电压控制方法，包括：
[0005]在电压控制模式下，若接收到针对闪存的任一控制单元的读命令，则执行上述读命令；
[0006]检测执行结果是否正确；
[0007]若上述执行结果错误，则基于目标重读表更改上述控制单元的偏移电压，并发起重读操作得到新的执行结果，针对上述新的执行结果返回执行上述检测执行结果是否正确的步骤及后续步骤，其中，上述目标重读表为上述控制单元所对应的重读表，上述重读表存储有至少两个期望电压值；
[0008]若上述执行结果正确，则保持上述控制单元当前的偏移电压，并根据上述控制单元当前的偏移电压更新上述目标重读表。
[0009]第二方面，本申请提供了一种电压控制装置，包括：
[0010]执行模块，用于在电压控制模式下，若接收到针对闪存的任一控制单元的读命令，则执行上述读命令；
[0011]第一检测模块，用于检测执行结果是否正确；
[0012]第一控制模块，用于若上述执行结果错误，则基于目标重读表更改上述控制单元的偏移电压，其中，上述目标重读表为上述控制单元所对应的重读表，上述重读表存储有至少两个期望电压值；
[0013]重读模块，用于在上述第一控制模块运行完成后，发起重读操作得到新的执行结果，并针对上述新的执行结果触发上述第一检测模块的运行；
[0014]第二控制模块，用于若上述执行结果正确，则保持上述控制单元当前的偏移电压；
[0015]更新模块，用于若上述执行结果正确，则根据上述控制单元当前的偏移电压更新上述目标重读表。
[0016]第三方面，本申请提供了一种电子设备，上述电子设备包括存储器、处理器以及存储在上述存储器中并可在上述处理器上运行的计算机程序，上述处理器执行上述计算机程序时实现如上述第一方面的方法的步骤。
[0017]第四方面，本申请提供了一种计算机可读存储介质，上述计算机可读存储介质存储有计算机程序，上述计算机程序被处理器执行时实现如上述第一方面的方法的步骤。
[0018]第五方面，本申请提供了一种计算机程序产品，上述计算机程序产品包括计算机程序，上述计算机程序被一个或多个处理器执行时实现如上述第一方面的方法的步骤。
[0019]本申请与现有技术相比存在的有益效果是：在电压控制模式下，若接收到针对闪存的任一控制单元的读命令，则执行上述读命令，并检测执行结果是否正确，若上述执行结果错误，则基于目标重读表更改上述控制单元的偏移电压，并发起重读操作得到新的执行结果，针对上述新的执行结果返回执行上述检测执行结果是否正确的步骤及后续步骤，其中，上述目标重读表为上述控制单元所对应的重读表，上述重读表存储有至少两个期望电压值，若上述执行结果正确，则保持上述控制单元当前的偏移电压，并根据上述控制单元当前的偏移电压更新上述目标重读表。本申请方案提出了一种新的电压控制模式，使得电子设备在该电压控制模式下工作时，闪存的控制单元能够保持住其在执行结果正确时的偏移电压，以便下次针对该控制单元的读命令可以使用该偏移电压来执行，减少重读操作的发起次数；并且，重读表也会在执行结果正确时得到更新，由此实现对重读表的优化，使得后续能够通过优化后的重读表快速找到适合该控制单元的偏移电压。
[0020]可以理解的是，上述第二方面至第五方面的有益效果可以参见上述第一方面中的相关描述，在此不再赘述。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1是本申请实施例提供的电压控制模式的实现流程示意图；
[0023]图2是本申请实施例提供的步骤102的具体实现流程示意图；
[0024]图3是本申请实施例提供的进入电压控制模式的流程示意图；
[0025]图4是本申请实施例提供的退出电压控制模式的流程示意图；
[0026]图5是本申请实施例提供的电压控制装置的结构框图；
[0027]图6是本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0028]以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。
[0029]为了说明本申请所提出的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。
[0030]下面对本申请实施例所提出的电压控制方法作出说明。该电压控制方法提出了一种新的运行模式，也即电压控制模式。请参阅图1，该电压控制模式的工作流程详述如下：
[0031]步骤101，若接收到针对闪存的任一控制单元的读命令，则执行该读命令。
[0032]在本申请实施例中，电子设备搭载有闪存，该电子设备的主机(host)可对闪存下发读命令、写命令及擦除命令等。可以理解，一颗闪存可被划分为一个以上控制单元(die)，该控制单元即为代码可执行的最小单位。当接收到主机针对闪存的任一控制单元的命令时，可先判断该命令是否为读命令。若为读命令，则可直接执行该读命令。
[0033]步骤102，检测执行结果是否正确，若该执行结果错误，则执行步骤103，若该执行结果正确，则执行步骤105。
[0034]在本申请实施例中，在该读命令执行完毕后，可获得对应的执行结果。电子设备可检测该执行结果是否正确，具体可从如下两方面进行考虑：是否读取到数据；以及，在读取到数据时该数据是否准确；则如图2所示，该步骤102可具体表现为：
[0035]步骤1021，检测执行该读命令是否读取到数据，若该读命令未读取到数据，则执行步骤1023，若该读命令读取到数据，则执行步骤1022。
[0036]步骤1022，判断对该数据所进行的元数据校验是否成功，若元数据校验成功，则执行本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电压控制方法，其特征在于，包括：在电压控制模式下，若接收到针对闪存的任一控制单元的读命令，则执行所述读命令；检测执行结果是否正确；若所述执行结果错误，则基于目标重读表更改所述控制单元的偏移电压，并发起重读操作得到新的执行结果，针对所述新的执行结果返回执行所述检测执行结果是否正确的步骤及后续步骤，其中，所述目标重读表为所述控制单元所对应的重读表，所述重读表存储有至少两个期望电压值；若所述执行结果正确，则保持所述控制单元当前的偏移电压，并根据所述控制单元当前的偏移电压更新所述目标重读表。2.如权利要求1所述的电压控制方法，其特征在于，所述电压控制方法还包括：在除所述电压控制模式之外的其它模式下，若针对所述闪存的所有控制单元，在未接收到非读命令的连续时间段内，接收到超过预设第一数量阈值的读命令，则检测所述重读操作在预设时间段内的发起次数，其中，所述预设时间段在所述未接收到非读命令的连续时间段之内；若所述重读操作在所述预设时间段内的发起次数超过预设第二数量阈值，则进入所述电压控制模式。3.如权利要求1所述的电压控制方法，其特征在于，所述电压控制方法还包括：在所述电压控制模式下，若接收到针对所述闪存的任一控制单元的非读命令，则清除所述控制单元当前的偏移电压。4.如权利要求1至3任一项所述的电压控制方法，其特征在于，所述检测执行结果是否正确，包括：检测执行所述读命令是否读取到数据；若未读取到所述数据，则判定所述执行结果错误；若读取到所述数据，则对所述数据进行元数据校验；若元数据校验成功，则判定所述执行结果正确；若元数据校验失败，则判定所述执行结果错误。5.如权利要求4所述的电压控制方法，其特征在于，所述对所述数据进行元数据校验，包括：将所述数据的元数据与所述读命令所携带的期望元数据进行比对；若所述数据的元数据与所述期望元数据匹配，则确定元数据校验成功；若所述数据的元数据与所述期望元数据不匹配...
【专利技术属性】
技术研发人员：方轩，谷朝，
申请(专利权)人：中山市江波龙电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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