一种用于ESD防护的双向低电容垂直器件制造技术

本发明专利技术属于电子科学与技术领域，特别涉及一种用于ESD防护的双向低电容垂直器件，包括n+型衬底(01)、p型埋层(02)、p型外延层(03)、n型埋层(04)、第一n型外延层(051)、第二n型外延层(052)、第一隔离区(31)、第二隔离区(32)、第三隔离区(33)、pwell区(06)、N+接触区(11)、P+区(21)、第一输入/输出端口(41)、第二输入/输出端口(42)；本发明专利技术通过引入p型埋层、p型外延层和n型埋层以及串联的垂直结构二极管实现了双向导通并有效降低了寄生电容。向导通并有效降低了寄生电容。向导通并有效降低了寄生电容。

【技术实现步骤摘要】
一种用于ESD防护的双向低电容垂直器件


[0001]本专利技术属于电子科学与
，涉及静电泄放(Electro Static Discharge，简称为ESD)防护技术，特别涉及一种用于ESD防护的双向低电容垂直器件。

技术介绍

[0002]静电泄放，是一种古老的自然现象。ESD存在于人们日常生活的各个角落。而就是这样习以为常的电学现象对于精密的集成电路来讲却是致命的威胁。
[0003]随着集成电路制造工艺的提高，其最小线宽已经下降到亚微米甚至纳米的级别，在带来芯片性能提高的同时，其抗ESD打击能力也大幅度降低，因此静电损害更严重。ESD的产生大多数能够对集成电路产生非致命性的损伤，从而降低集成电路的寿命，可靠性，进而引起系统功能的退化，这对实现大规模高可靠集成造成很大阻碍。
[0004]现如今在电子设备的接口中还包括了一类数据传输接口，对于这类接口而言，除却所用的ESD防护器件需要提供基本的ESD防护功能外，还需要该器件在系统正常工作即传输数据时处于“完全隐形”的状态，也就是不能干扰到数据传输信号的完整性。这就对所用ESD本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于ESD防护的双向低电容垂直器件，其特征在于，包括n+型衬底(01)、p型埋层(02)、p型外延层(03)、n型埋层(04)、第一n型外延层(051)、第二n型外延层(052)、第一隔离区(31)、第二隔离区(32)、第三隔离区(33)、pwell区(06)、N+接触区(11)、P+区(21)、第一输入/输出端口(41)、第二输入/输出端口(42)，其中：在n+型衬底(01)上注入形成p型埋层(02)，在p型埋层(02)上外延形成p型外延层(03)；在p型外延层(03)上插入三个隔离区，形成间隔结构，隔离结构为利用隔离区在p型外延层(03)上形成两个等间隔的区域，即第一间隔区、第二间隔区；在第一间隔区的p型外延层(03)上外延形成第一n型外延层(051)，第一n型外延层(051)表面注入形成N+接触区(11)；在第二间隔区的p型外延层(03)上注入形成n型埋层(04)，在n型埋层(04)上外延形成第二n型外延层(052)表面注入形成pwell区(06)，pwell区(06)表面注入形成P+区(21)；N+接触区(11)与P+区(21)表面用金属短接，构成器件的第一输入/输出端口(41)；n+型衬底下表面作为器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐钊，魏敬奇，李泽宏，
申请(专利权)人：电子科技大学重庆微电子产业技术研究院，
类型：发明
国别省市：