温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于电子科学与技术领域，特别涉及一种用于ESD防护的双向低电容垂直器件，包括n+型衬底(01)、p型埋层(02)、p型外延层(03)、n型埋层(04)、第一n型外延层(051)、第二n型外延层(052)、第一隔离区(31)、第二隔离区...
该专利属于电子科技大学重庆微电子产业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学重庆微电子产业技术研究院授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。