输出幅值稳定性高的差分输出轨到轨放大器,涉及集成电路技术，本发明提供一种高跨导稳定性的轨到轨放大器，该结构包含一对PMOS输入放大器和NMOS输入放大器、共模检测电路、迟滞比较器几个部分组成。通过检测输入共模自动切换PMOS输入放大器和...

本发明属于功率半导体器件领域，具体涉及一种具有高性能的槽栅SiC MOSFET器件，包括：在漏极欧姆接触电极上依次设置半导体衬底、缓冲层、耐压层以及电流拓展层；在耐压层内设置两个槽，槽内填充有多晶硅栅，两个槽的底部分别设置有电场屏蔽区，...

本发明涉及一种芯片封装模块，包括：芯片、第一封装体和封装基板；所述第一封装体的底层中间区域设置有第二封装体区；所述芯片设置在第二封装体内部；所述芯片通过导电结构与封装基板进行连接；所述第一封装体为导磁性材料，本发明通过封装基板和第一封装...

本发明涉及一种宽范围高灵敏度总剂量辐照检测电路，属于电力电子技术领域

本发明涉及混频器技术领域，具体涉及一种

本发明提供的一种目标跟踪方法

本发明涉及一种基于

本发明提供的一种红外低小慢目标检测方法

本发明公开了一种基于

本发明涉及一种实时连续补偿的自适应总剂量效应加固电路，属于电力电子技术领域

本发明属于

本发明涉及毫米波技术，特别涉及一种具有滤波功能的波导

本发明属于MIMO天线技术领域，具体涉及一种紧凑型具有三陷波结构的四单元UWB MIMO天线；该方法包括：四个单元辐射贴片、介质基板和金属接地板；所述四个单元辐射贴片印刷在介质基板上表面，四个单元辐射贴片结构相同并以介质基板中心点为圆心...

本发明公开了一种自动化半导体测试工装以及测试方法，包括箱体，所述箱体的前表面安装有防护门，所述箱体的一侧开设有面槽，在所述面槽的内部设置有传输机构，该传输机构包括：输送板，旋转安装在所述面槽的内部，且输送板的一端延伸至箱体的外部；所述输...

本发明属于微波技术领域，具体涉及一种W波段超宽带波导滤波器，该滤波器结构包括谐振腔和金属加载电容，所述腔体前端设置有下行滤波器端口和上行滤波器端口；谐振单元由九个谐振腔体组成，相邻的两个谐振腔体通过直接耦合的方式进行连接；利用电容加载技...

本发明属于微波、通讯技术领域，具体涉及一种基于双层基板结构的小型化无磁非互易性环形器；包括开关模块A、开关模块B、延迟线模块A和延迟线模块B；开关模块A连接端口1和端口3，且开关模块A与延迟线模块A、延迟线模块B连接；开关模块B连接端口...

本发明涉及一种基于资源复用的卷积神经网络FPGA加速器实现方法，本发明用于解决在FPGA计算资源有限的情况下，不能完成大规模神经网络的加速器设计问题，在兼顾数据处理速度的同时，大量减少了计算资源的占用，首先对二维数据输入数据进行一维存储...

本发明涉及环形器设计领域，具体涉及一种基于空气微同轴延迟线的小型无磁非互易性三端口环形器；包括：开关模块A、开关模块B、延迟线A和延迟线B；开关模块A连接端口1和端口3，且开关模块A与延迟线A、延迟线B连接；开关模块B连接端口2，且开关...

本发明涉及一种具有电压采样功能的IGBT器件，通过在与IGBT主结相邻的浮空场环内引入MOS结构作为电压传感器，浮空环电势的变化控制MOS结构的沟道开启与关断，利用MOS结构源极外接采样电阻，其源极电压变化与IGBT耐压之间存在映射关系...

本发明涉及一种带有电压检测功能的IGBT器件，通过在与IGBT主结相邻位处设置浮空场，在浮空场环内加入氧化物电容介质层形成两个寄生电容C1与C2，其中，C2接地，两个寄生电容为串联关系能够感测来自浮空环中的电势变化，在C1和C2之间引出...