一种绝缘栅双极型晶体管及制造方法技术

本发明专利技术提供一种绝缘栅双极型晶体管及制造方法，其中，晶体管包括：衬底和外延层；所述外延层上包括：主IGBT区域和检测IGBT区域；所述主IGBT区域上构建主IGBT管；所述检测IGBT区域构建检测IGBT管；所述主IGBT管的发射极与检测IGBT管的发射极通过检测电阻连接，其栅极与检测IGBT管的栅极连接。本发明专利技术的背靠背齐纳二极管连接在检测IGBT栅极与检测IGBT发射极之间，并用于配置在静电放电期间(ESD)钳位检测IGBT栅极与检测IGBT发射极之间的电压，针对检测IGBT栅极与检测IGBT发射极之间的正向和反向电流提供ESD保护。向电流提供ESD保护。向电流提供ESD保护。

【技术实现步骤摘要】
一种绝缘栅双极型晶体管及制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种绝缘栅双极型晶体管及制造方法。

技术介绍

[0002]ESD(Electro
‑
Static discharge)是半导体晶体管和相关器件制造和使用中的常见难题，例如，由于人工或工具赋予的静电荷无意中与晶体管的导电部分接触，这种ESD有可能损坏或破坏受影响的晶体管，并破坏连接电路的运行。
[0003]ESD(静电放电)对电子产品造成的破坏和损伤有突发性损伤和潜在性损伤两种。所谓突发性损伤，指的是器件被严重损坏，功能丧失。这种损伤通常能够在生产过程中的质量检测中能够发现，因此给工厂带来的主要是返工维修的成本。而潜在性损伤指的是器件部分被损，功能尚未丧失，且在生产过程的检测中不能发现，但在使用当中会使产品变得不稳定，时好时坏，因而对产品质量构成更大的危害。这两种损伤中，潜在性失效占据了90％，突发性失效只占10％。也就是说90％的静电损伤是没办法检测到，只有到了用户手里使用时才会发现。

技术实现思路
r/>[0004]针本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：衬底(102)和外延层(100)；在有缓冲层(101)时，缓冲层(101)设置在衬底(102)上，外延层(100)设置在缓冲层(101)上；在无缓冲层(101)时，外延层(100)设置在衬底(102)上；所述外延层(100)上包括：主IGBT区域和检测IGBT区域；所述主IGBT区域上构建主IGBT管(402)；所述检测IGBT区域构建检测IGBT管(401)；所述主IGBT管(402)的发射极与检测IGBT管(401)的发射极通过检测电阻(302)连接，其栅极与检测IGBT管(401)的栅极连接。2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述检测IGBT区域上包括：第一结掺杂区域(103)、检测IGBT发射极区域(201)和检测IGBT栅极沟槽区域(204)。3.根据权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述检测IGBT栅极沟槽区域(204)内设置有第一绝缘区域(207)；所述第一绝缘区域(207)内包括：n型掺杂区域(203)和p型掺杂区域(202)；所述n型掺杂区域(203)与p型掺杂区域(202)交替叠加，形成背靠背齐纳二极管(403)。4.根据权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述检测IGBT栅极沟槽区域(204)与检测IGBT发射极区域(201)连接。5.根据权利要求3所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述n型掺杂区域(203)的数量大于等于2，所述p型掺杂区域(202)的数量大于等于2。6.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪志刚，张卓，
申请(专利权)人：强华时代成都科技有限公司，
类型：发明
国别省市：