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本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管及制造方法，其中，晶体管包括：衬底和外延层；所述外延层上包括：主IGBT区域和检测IGBT区域；所述主IGBT区域上构建主IGBT管；所述检测IGBT区域构建检测IGBT管；所述主IGBT管的发射极与检测IG...
该专利属于强华时代（成都）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过强华时代（成都）科技有限公司授权不得商用。

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