芯片及其测试方法技术

本发明专利技术涉及半导体领域，其提供了一种芯片及其测试方法，所述芯片包括光学链路，所述光学链路包括：波导，所述波导包括沿着芯片边缘布置的边缘波导部分，所述边缘波导部分距离所述芯片边缘的距离小于等于500μm，所述边缘波导部分对应的芯片边缘的累计长度为L，L≥4mm；光输入结构，被配置为向所述光学链路输入光；以及光输出结构，被配置为从所述光学链路输出光。光。光。

【技术实现步骤摘要】
芯片及其测试方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，更为具体而言，涉及芯片及其测试方法。

技术介绍

[0002]芯片在各种工艺制程中，可能存在损坏的风险。例如，一些芯片在封装过程中，可能存在崩边或者裂纹。现有技术在筛选正常芯片或者对芯片进行检测时，会通过显微镜来观测崩边或者裂纹，效率较低且容易遗漏。

技术实现思路

[0003]在一个示例性的实施方式中，本专利技术提出了一种芯片，包括光学链路，所述光学链路包括：波导，所述波导包括沿着芯片边缘布置的边缘波导部分，所述边缘波导部分距离所述芯片边缘的距离小于等于500μm，所述边缘波导部分对应的芯片边缘的累计长度为L，L≥4mm；光输入结构，被配置为向所述光学链路输入光；以及光输出结构，被配置为从所述光学链路输出光。
[0004]在一个示例性的实施方式中，本专利技术提出了一种芯片，包括光学链路，所述光学链路包括：波导，所述波导包括沿着芯片边缘布置的边缘波导部分，所述边缘波导部分距离芯片边缘的距离小于等于500μm，所述边缘波导部分对应的芯片边缘的累计长度为L，所述芯片的周长为L0,L/L0≥0.2；光输入结构，被配置为向所述光学链路输入光；以及光输出结构，被配置为从所述光学链路输出光。
[0005]在一些实施方式中，所述波导包括多个分离的波导段。
[0006]在一些实施方式中，所述芯片基于绝缘体上硅制造。
[0007]在一些实施方式中，所述光输入结构选自光栅耦合器、端面耦合器；以及所述光输出结构选自光栅耦合器、端面耦合器。<br/>[0008]在一些实施方式中，所述芯片包括光调制器、光探测器、定向耦合器、多模干涉器中的至少一种器件。
[0009]在一些实施方式中，所述波导包括弯曲部分。
[0010]在一个示例性的实施方式中，提出对芯片进行测试的方法，包括：对所述光输入结构输入光；获得所述光输出结构的输出光信号；以及得到所述光学链路的损耗。
[0011]在一个示例性的实施方式中，提出对芯片进行测试的方法，包括第一测试步骤，包括对所述光输入结构输入光，获得所述光输出结构的输出光信号，以及得到所述光学链路的第一损耗；封装步骤，包括对所述芯片进行封装；第二测试步骤，包括对所述光输入结构输入光，获得所述光输出结构的输出光信号，以及得到所述光学链路的第二损耗；比较所述第一损耗以及所述第二损耗；其中，所述第一测试步骤在所述封装步骤之前，所述第二测试步骤在所述封装步骤之后。
[0012]在一些实施方式中，所述封装步骤包括：将所述芯片固定至衬底或另一芯片。
[0013]根据本专利技术各实施方式可知，通过设置边缘波导部分，可以用于检测芯片是否存
在损伤或者不符合预期的缺陷。
[0014]本专利技术实施方式的各个方面、特征、优点等将在下文结合附图进行具体描述。根据以下结合附图的具体描述，本专利技术的上述方面、特征、优点等将会变得更加清楚。
附图说明
[0015]图1是一个示例性的实施方式中芯片的俯视图。
[0016]图2是一个示例性的实施方式中芯片的俯视图。
[0017]图3是一个示例性的实施方式中芯片的俯视图。
具体实施方式
[0018]为了便于理解本专利技术技术方案的各个方面、特征以及优点，下面结合附图对本专利技术进行具体描述。应当理解，下述的各种实施方式只用于举例说明，而非用于限制本专利技术的保护范围。
[0019]以下描述中可使用某些术语以仅供参考，因此这些术语并非旨在进行限制。例如，术语诸如“顶部”、“底部”、“上部”、“下部”、“在
…
上方”和“在
…
下方”可用于指代作为参考的附图中的方向。术语诸如“正面”、“背面”、“后面”、“侧面”、“外侧”和“内侧”可用于描述部件的各部分在一致但任意的参照系内的取向和/或位置，通过参考描述所讨论的部件的文字和相关联的附图可以清楚地了解所述取向和/或位置。此类术语可包括上文具体提及的词语、它们的衍生词语以及类似含义的词语。类似地，除非上下文明确指出，否则术语“第一”、“第二”以及其他此类指代结构的数字术语并不意味着次序或顺序。
[0020]应当理解，当元件或特征被称为“在另一元件或层上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，其可直接在另一元件或特征上、连接到或联接到另一元件或特征，或可存在一个或多个中间元件或特征。另外，还应当理解，当元件或特征被称为在两个元件或特征“之间”时，其可为这两个元件或特征之间的唯一元件或特征，或也可存在一个或多个中间元件或特征。
[0021]图1示出了一个示例性的实施例中芯片100的俯视图，其包括：光学链路110，所述光学链路110包括波导101，所述波导101包括沿着芯片边缘布置的边缘波导部分，示例性地，所述边缘波导部分距离芯片100边缘的距离d小于等于500μm，所述边缘波导部分对应的芯片100边缘的累计长度为L，L≥4mm；光学链路还包括光输入结构102，被配置为向所述光学链路110输入光；以及光输出结构103，被配置为从所述光学链路输出光。
[0022]示例性地，在图1中，波导101分别连接至光输入结构102、光输出结构103，波导101中的AB、BC、CD波导段到芯片100边缘的距离都小于等于500μm，从而AB、BC、CD波导段都可以视作边缘波导部分。
[0023]由于设置了边缘波导部分，其可以用于检测芯片是否存在损伤或者不符合预期的缺陷。例如当芯片存在崩边、破裂，会导致波导无法形成正常的光的通路，或者当芯片存在翘曲时，检测的光路会与正常光路不一致。
[0024]在图1的实施方式中，边缘波导部分基本对应了芯片100的三条边，当芯片边缘存在崩边、破裂时，裂纹延伸至边缘波导部分，会导致无法形成完整的光路，由此，利用该结构进行光路检测即可快速判断芯片100是否正常。
[0025]示例性地，芯片100可以包括光耦合结构、波导、光电转换单元、电光转换单元、光源等光子器件，可根据需要配置各种光子器件的数量，可以是一个或者多个。示例性的，电光转换单元可以包括调制器，以将电信号转换为光信号。示例性的，光耦合结构可用于与激光或者光纤进行光耦合，从而向光子集成电路芯片100输入光信号，或者从芯片100输出光信号，例如，使用光纤进行光信号的输入、输出；光耦合结构可以包括光栅耦合器、端面耦合器等。示例性的，波导可以用于传播光信号，用作信息传播的信道。示例性的，光电转换单元可以可包括光探测器，用于将光信号转换为电信号，光探测器可以包括例如光电二极管。示例性的，芯片100包括光源，光源产生的光可以耦合至波导，还可以被电信号调制。
[0026]芯片100中的波导可以是硅波导、氮化硅波导，可以通过半导体工艺形成波导。示例性地，以绝缘体上硅(SOI，Silicon
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Insulator)衬底形成波导为例，可以包括提供SOI衬底，所述SOI衬底包括背衬底、绝缘层以及顶层硅，基于对顶层硅的刻蚀而形成波导。在一些实施方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片，包括光学链路，所述光学链路包括：波导，所述波导包括沿着芯片边缘布置的边缘波导部分，所述边缘波导部分距离所述芯片边缘的距离小于等于500μm，所述边缘波导部分对应的芯片边缘的累计长度为L，L≥4mm；光输入结构，被配置为向所述光学链路输入光；以及光输出结构，被配置为从所述光学链路输出光。2.一种芯片，包括光学链路，所述光学链路包括：波导，所述波导包括沿着芯片边缘布置的边缘波导部分，所述边缘波导部分距离芯片边缘的距离小于等于500μm，所述边缘波导部分对应的芯片边缘的累计长度为L，所述芯片的周长为L0,L/L0≥0.2；光输入结构，被配置为向所述光学链路输入光；以及光输出结构，被配置为从所述光学链路输出光。3.如权利要求1或2所述的芯片，所述波导包括多个分离的波导段。4.如权利要求1或2所述的芯片，所述芯片基于绝缘体上硅制造。5.如权利要求1或2所述的芯片，所述光输入结构选自光栅耦合器、端面耦合器；以及所述光输出结构选自光栅耦合器、端面耦合器。6.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉勇宁，苏湛，孟怀宇，沈亦晨，
申请(专利权)人：南京光智元科技有限公司，
类型：发明
国别省市：