【技术实现步骤摘要】
芯片及其测试方法
[0001]本专利技术涉及半导体领域,更为具体而言,涉及芯片及其测试方法。
技术介绍
[0002]芯片在各种工艺制程中,可能存在损坏的风险。例如,一些芯片在封装过程中,可能存在崩边或者裂纹。现有技术在筛选正常芯片或者对芯片进行检测时,会通过显微镜来观测崩边或者裂纹,效率较低且容易遗漏。
技术实现思路
[0003]在一个示例性的实施方式中,本专利技术提出了一种芯片,包括光学链路,所述光学链路包括:波导,所述波导包括沿着芯片边缘布置的边缘波导部分,所述边缘波导部分距离所述芯片边缘的距离小于等于500μm,所述边缘波导部分对应的芯片边缘的累计长度为L,L≥4mm;光输入结构,被配置为向所述光学链路输入光;以及光输出结构,被配置为从所述光学链路输出光。
[0004]在一个示例性的实施方式中,本专利技术提出了一种芯片,包括光学链路,所述光学链路包括:波导,所述波导包括沿着芯片边缘布置的边缘波导部分,所述边缘波导部分距离芯片边缘的距离小于等于500μm,所述边缘波导部分对应的芯片边缘的累计长度为 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片,包括光学链路,所述光学链路包括:波导,所述波导包括沿着芯片边缘布置的边缘波导部分,所述边缘波导部分距离所述芯片边缘的距离小于等于500μm,所述边缘波导部分对应的芯片边缘的累计长度为L,L≥4mm;光输入结构,被配置为向所述光学链路输入光;以及光输出结构,被配置为从所述光学链路输出光。2.一种芯片,包括光学链路,所述光学链路包括:波导,所述波导包括沿着芯片边缘布置的边缘波导部分,所述边缘波导部分距离芯片边缘的距离小于等于500μm,所述边缘波导部分对应的芯片边缘的累计长度为L,所述芯片的周长为L0,L/L0≥0.2;光输入结构,被配置为向所述光学链路输入光;以及光输出结构,被配置为从所述光学链路输出光。3.如权利要求1或2所述的芯片,所述波导包括多个分离的波导段。4.如权利要求1或2所述的芯片,所述芯片基于绝缘体上硅制造。5.如权利要求1或2所述的芯片,所述光输入结构选自光栅耦合器、端面耦合器;以及所述光输出结构选自光栅耦合器、端面耦合器。6.如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:吉勇宁,苏湛,孟怀宇,沈亦晨,
申请(专利权)人:南京光智元科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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