【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装领域，特别涉及一种封装结构及其制作方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的日益发展，具有高的集成密度的封装结构越来越重要。例如，采用3d封装结构可以实现芯片与芯片之间的相互堆叠。
2、目前现有的硅光芯片中的电子集成电路芯片(electronic integratedcircuitchip，eic芯片)和光子集成电路芯片(photonic integratedcircuit chip，pic芯片)由于采用不同的晶圆生成工艺制程，采用芯片级别的互连(例如打线或倒装的互连方式)来实现eic芯片与pic芯片之间的连接，形成三维互连结构。
3、为了缩短信号传输路径获取足够好的电性能，pic芯片-eic芯片采用3d堆叠互联替换传统的打线互联越来越成为趋势。同时，如果光纤结构与pic芯片采用面耦合的方式来实现与光栅耦合器(grating couple，gc)进行耦合时，那么需要预留出用于耦合空间，同时要求耦合面上不能够有有机物残留从而阻挡光线的传输，而采用3d堆叠互联一般也会用到塑封工艺，使得pic芯片朝...
【技术保护点】
1.一种封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，
3.如权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，
4.如权利要求2所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述针对每个所述第一半导体芯片，在对应所述光耦合区的一个第二半导体芯片上的所述虚设区上制作第一微透镜的方法包括：
5.如权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.如权利要求5所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述将所述至少一个第二半导体芯片固定在所述第一半导体
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，
3.如权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，
4.如权利要求2所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述针对每个所述第一半导体芯片，在对应所述光耦合区的一个第二半导体芯片上的所述虚设区上制作第一微透镜的方法包括：
5.如权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.如权利要求5所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述将所述至少一个第二半导体芯片固定在所述第一半导体芯片上包括：
7.如权利要求6所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
8.如权利要求7所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
9.如权利要求8所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
10.一种封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
11.如权利要求10所述的封装结构的制作方法，其特征在于，
12.如权利要求10或11所述的封装结构的制作方法，其特征在于，
13.如权利要求10所述的封装结构的制作方法，其特征在于，
14.如权利要求11所述的封装结构的制作方法，其特征在于，
15.如权利要求13所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述针对每个所述第一半导体芯片，在对应所述光耦合区的一个伪芯片上制作第二微透镜的方法包括：
16.如权利要求11所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：
17.如权利要求16所述的封装结构的制作...
【专利技术属性】
技术研发人员：严其新，江卢山，吴建华，孟怀宇，沈亦晨，
申请(专利权)人：南京光智元科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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