一种基于信息融合的集成电路套刻误差测量方法技术

本发明专利技术提供了一种一种基于信息融合的集成电路套刻误差测量方法，所述方法对给定的衍射或散射式套刻误差测量标记，分别采用基于模型的套刻误差测量(MBO)、基于经验的套刻误差测量(EBO)、模型/模型混合测量(MBO+MBO)以及模型/经验混合测量(EBO+MBO)等方法进行套刻误差值提取。基于计算电磁场仿真手段对不同方法计算套刻误差的测量分布及其不确定度进行估计，提供先验知识以剔除异常测量结果，并提供融合的决策依据。进而，对获得的实际测量信号所得的不同测量提取计算结果，采用分级的信息融合方法进行决策融合，得到最终的套刻误差结果。本发明专利技术提供的方法可实现套刻误差的高可信度提取计算，并适用非理想测量条件下的套刻误差测量。误差测量。误差测量。

【技术实现步骤摘要】
一种基于信息融合的集成电路套刻误差测量方法


[0001]本专利技术属于集成电路前道量测相关
，特别是一种基于信息融合的集成电路套刻误差测量方法。

技术介绍

[0002]在集成电路制造中，光刻是最复杂、最关键的工艺步骤之一，而套刻误差则是光刻工艺中的重要尺寸参数。套刻误差是指：指光刻工艺当前层图形相对于参考层图形沿x和y方向的偏差。在实际制造过程中误差无法避免，为了保证在上下两层中所设计的电路能够可靠连接，当前层与参考层的套刻误差值要小于图形特征线宽的1/3
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1/5，而套刻误差测量的不确定度则为容许误差的10％。因此，随着超精密光刻工艺的不断发展，套刻误差的快速精确测量成为了光刻工艺质量管理的重中之重。
[0003]在套刻误差测量过程中，由于仪器、外部环境和非理想套刻标记等因素的影响导致套刻误差测量结果存在误差。现有提高测量套刻误差准确度的方案有：1.专利技术专利[CN111553064A]提出的一种适用于光学散射测量的特征选择方法，缩短了库匹配方法中离线建库的时间，提高了参数提取准确度；2.专利技术专利[CN1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于信息融合的集成电路套刻误差测量方法，其特征在于，包括如下步骤(1)根据待测工艺对象的相关信息，确定待测套刻标记的形貌特征和材料特性，采用参数化建模与计算电磁场求解方法对一组典型DBO套刻标记的光学响应进行计算，获得理想情况下的光学信号；(2)对仿真得到的光谱信号ΔI或穆勒矩阵加载噪声Δm作为模拟的实测光谱信号；(3)对上述信号分别采用基于模型的提取方法、基于经验的提取方法以及两者的多种组合提取方法，每种提取方法对噪声加载后的光谱信号进行计算得到多个不同测量值OVL
m
；(4)根据批量仿真计算的结果，确定套刻误差分布的合理取值区间，对于不在分布区间内的实际测量值则予以排除；(5)对于步骤(3)中不同提取方法，对实际测量信号进行计算，得到多个不同测...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟凯，王凯，楼佩煌，钱晓明，武星，
申请(专利权)人：南京航空航天大学苏州研究院，
类型：发明
国别省市：