复合物、复合物的制备方法及发光器件技术

本申请公开了一种复合物、复合物的制备方法及发光器件，复合物包括基质材料和掺杂材料，基质材料包括聚(3,4

【技术实现步骤摘要】
复合物、复合物的制备方法及发光器件


[0001]本申请涉及光电
，具体涉及一种复合物、复合物的制备方法及发光器件。

技术介绍

[0002]量子点(Quantum Dot,QD)是新一代电致发光材料，量子点的发光光谱随量子点的尺寸变化而变化，例如CdSe量子点的发光波长调谐范围可以从蓝光直至红光，量子点因具有发光光谱半峰宽较窄、色纯度高、光稳定性好、激发光谱宽、发射光谱可控等特点而在光伏发电、光电显示等
应用前景广阔。量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)是基于量子点作为发光材料的光电器件，QLED包括依次设置的阳极、空穴功能层、量子点发光层、电子功能层和阴极，电子经由阴极和电子功能层注入，空穴经由阳极和空穴功能层注入，注入的电子和空穴在量子点发光层复合形成光子以激发量子点发光。
[0003]在现有的QLED中，空穴功能层通常包括空穴传输层(Hole Transport Layer,HTL)，空穴传输层设置于阳极与量子点发光层之间，而阳极的材料通常为透明金属氧化物，例如铟锡氧化物(Indium Tin Oxides,ITO)，ITO的功函数较高，使得大多数空穴传输材料的能级与ITO不匹配。基于此，可以在空穴传输层与阳极之间增设空穴注入层，以降低空穴由阳极注入空穴传输层的势垒。聚(3,4
‑
乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)，即PEDOT:PSS是常见的空穴注入材料之一，具有高透明、高导电性、稳定性佳的优点。但是，由于PEDOT:PSS存在大量的磺酸根，所以PEDOT:PSS的酸性较强，并且PEDOT:PSS具有功函数相对单一的特定，此外，因PSS的绝缘性造成PEDOT:PSS具有导电不均匀性的问题。
[0004]因此，有必要研发一种空穴注入材料以改善空穴注入层的导电能力与稳定性，从而提高QLED的工作性能。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种复合物、复合物的制备方法及发光器件，以改善发光器件的工作性能。
[0006]本申请的技术方案如下：
[0007]第一方面，本申请提供了一种复合物，所述复合物包括作为电子供体的基质材料和作为电子受体的掺杂材料，所述基质材料包括聚(3,4
‑
乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)，所述掺杂材料包括化合物A，所述化合物A具有如下通式(Ⅰ)所示的结构：
[0008][0009]在通式(Ⅰ)中，R1、R2和R3具有下述任意一种情况：
[0010](1)R1为共轭基团，且R2为连接有至少一个吸电子基团的共轭基团或吸电子基团，且R3为共轭基团、连接有至少一个吸电子基团的共轭基团、吸电子基团、氢原子或碳原子数
为1至10的烷基，且R1、R2和R3中至多两者相同；
[0011](2)R1为连接有至少一个吸电子基团的共轭基团，且R2和R3彼此独立地选自共轭基团、连接有至少一个吸电子基团的共轭基团、吸电子基团、氢原子或碳原子数为1至10的烷基，且R1、R2和R3中至多两者相同。
[0012]进一步地，所述共轭基团选自芳基和/或杂芳基。
[0013]进一步地，所述共轭基团选自苯基、萘基、吡咯基以及吡啶基中的一种或多种。
[0014]进一步地，所述吸电子基团选自羟基、硝基、氰基、羧基、酰基、磺酸基、羰基、卤素原子以及芳基中的一种或多种。
[0015]可选地，R1、R2和R3具有(1)所述的情况，其中，R1为下述结构所示的基团：
[0016][0017]其中，R
x
为烷基。
[0018]进一步地，R2为酰基，且R3为氢原子。
[0019]可选地，R1、R2和R3具有(2)所述的情况，其中，R1为下述结构所示的基团：
[0020][0021]其中，Y选自卤素原子或羟基。
[0022]进一步地，R2和R3均为氢原子。
[0023]进一步地，所述化合物A为邻氯苯胺、4
‑
甲酰苯胺、邻羟基苯胺或苯甲脒。
[0024]进一步地，在所述复合物中，所述基质材料：所述掺杂材料的摩尔比为1：(0.1～0.5)。
[0025]第二方面，本申请提供了一种复合物的制备方法，所述复合物的制备方法包括如下步骤：
[0026]提供包含掺杂材料的溶液和包含基质材料的溶液，将所述包含掺杂材料的溶液与所述包含基质材料的溶液相混合，混合获得混合液；
[0027]提供基板，将所述混合液施加于所述基板的一侧，获得湿膜；
[0028]对所述湿膜进行干燥处理，获得复合物；
[0029]其中，所述基质材料包括聚(3,4
‑
乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)，所述掺杂材料包括化合物A，所述化合物A具有如下通式(Ⅰ)所示的结构：
[0030][0031]在通式(Ⅰ)中，R1、R2和R3具有下述任意一种情况：
[0032](1)R1为共轭基团，且R2为连接有至少一个吸电子基团的共轭基团或吸电子基团，且R3为共轭基团、连接有至少一个吸电子基团的共轭基团、吸电子基团、氢原子或碳原子数为1至10的烷基，且R1、R2和R3中至多两者相同；
[0033](2)R1为连接有至少一个吸电子基团的共轭基团，且R2和R3彼此独立地选自共轭基团、连接有至少一个吸电子基团的共轭基团、吸电子基团、氢原子或碳原子数为1至10的烷基，且R1、R2和R3中至多两者相同。
[0034]进一步地，所述包含掺杂材料的溶液的制备方法包括步骤：将所述掺杂材料溶于有机溶剂，获得包含掺杂材料的溶液。
[0035]进一步地，所述有机溶剂为甲醇、乙醇、丁醇、乙二醇以及N,N
‑
二甲基甲酰胺中的一种或多种。
[0036]进一步地，在所述混合液中，所述基质材料：所述掺杂材料的摩尔比为1：(0.1～0.5)。
[0037]第三方面，本申请提供了一种发光器件，所述发光器件包括：
[0038]阳极；
[0039]阴极，与所述阳极相对设置；
[0040]发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及
[0041]空穴注入层，设置于所述阳极与所述发光层之间；
[0042]其中，所述空穴注入层的材料包括如第一方面中任意一种所述的复合物或如第二方面中任意一种所述的制备方法制得的复合物。
[0043]进一步地，所述发光层的材料为量子点，所述量子点选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物和I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种；所述II
‑
VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe以及CdZnSTe中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合物，其特征在于，所述复合物包括作为电子供体的基质材料和作为电子受体的掺杂材料，所述基质材料包括聚(3,4
‑
乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)，所述掺杂材料包括化合物A，所述化合物A具有如下通式(Ⅰ)所示的结构：在通式(Ⅰ)中，R1、R2和R3具有下述任意一种情况：(1)R1为共轭基团，且R2为连接有至少一个吸电子基团的共轭基团或吸电子基团，且R3为共轭基团、连接有至少一个吸电子基团的共轭基团、吸电子基团、氢原子或碳原子数为1至10的烷基，且R1、R2和R3中至多两者相同；(2)R1为连接有至少一个吸电子基团的共轭基团，且R2和R3彼此独立地选自共轭基团、连接有至少一个吸电子基团的共轭基团、吸电子基团、氢原子或碳原子数为1至10的烷基，且R1、R2和R3中至多两者相同。2.根据权利要求1所述的复合物，其特征在于，所述共轭基团选自芳基和/或杂芳基。3.根据权利要求2所述的复合物，其特征在于，所述共轭基团选自苯基、萘基、吡咯基以及吡啶基中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的复合物，其特征在于，所述吸电子基团选自羟基、硝基、氰基、羧基、酰基、磺酸基、羰基、卤素原子以及芳基中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的复合物，其特征在于，R1、R2和R3具有(1)所述的情况，其中，R1为下述结构所示的基团：其中，R
x
为烷基。6.根据权利要求5所述的复合物，其特征在于，R2为酰基，且R3为氢原子。7.根据权利要求1所述的复合物，其特征在于，R1、R2和R3具有(2)所述的情况，其中，R1为下述结构所示的基团：其中，Y选自卤素原子或羟基。8.根据权利要求7所述的复合物，其特征在于，R2和R3均为氢原子。9.根据权利要求1所述的复合物，其特征在于，所述化合物A为邻氯苯胺、4
‑
甲酰苯胺、邻羟基苯胺或苯甲脒。10.根据权利要求1至9任一项中所述的复合物，其特征在于，在所述复合物中，所述基质材料：所述掺杂材料的摩尔比为1：(0.1～0.5)。11.一种复合物的制备方法，其特征在于，所述复合物的制备方法包括如下步骤：提供包含掺杂材料的溶液和包含基质材料的溶液，将所述包含掺杂材料的溶液与所述
包含基质材料的溶液相混合，混合获得混合液；提供基板，将所述混合液施加于所述基板的一侧，获得湿膜；对所述湿膜进行干燥处理，获得复合物；其中，所述基质材料包括聚(3,4
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乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)，所述掺杂材料包括化合...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭煜林，吴龙佳，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：