QLED器件制备方法、QLED器件及显示器件技术

本申请公开了一种QLED器件制备方法、QLED器件及显示器件，该制备方法通过将QLED中间器件置于电场环境中，QLED中间器件的阳极接近电场阳极端，阴极接近电场阴极端，因器件中的空穴注入层的PEDOT:PSS材料内部存在磺酸根阴离子，在电场作用下，磺酸根阴离子被固定在靠近阳极的界面，有利于带正电的空穴从阳极注入至空穴传输层，从而可以有效地降低空穴注入、传输势垒，进而降低器件的工作电压，提升器件的光电性能。光电性能。光电性能。

【技术实现步骤摘要】
QLED器件制备方法、QLED器件及显示器件


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种QLED器件制备方法、QLED器件及显示器件。

技术介绍

[0002]量子点是一种尺寸在1nm至10nm的半导体团簇，具有带隙可调的光电子性质，由于其独特的光电性能，被认为在光伏发电、光电显示领域有广泛的应用，并成为研究热点，可应用于发光二极管、太阳能电池、生物荧光标记等领域。在传统的量子点发光二极管(Quantum dot light
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emitting doit，QLED)中，电子和空穴分别从阴极和阳极注入，然后在量子点层复合形成激子发光。
[0003]PEDOT:PSS是一种常见的P型导电聚合物，在QLED中作为空穴注入材料，可以有效地降低器件内部空穴注入势垒，提升器件性能。PEDOT:PSS作为一种高分子复合材料，其成分包括空穴传输性能好的PEDOT及水分散性能好的 PSS，PEDOT复合PSS形成的复合材料，显著优化了材料的可加工性，然而复合材料的电学性能也受到了一定程度的削弱，PEDOT:PSS作为QLED器件的空本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种QLED器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一种QLED中间器件，所述QLED中间器件包括相对设置的阴极和阳极，设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点层，以及设置在所述阳极和所述量子点层之间的空穴注入层，所述空穴注入层的材料包括PEDOT:PSS；以及将所述QLED中间器件置于电场环境中，所述QLED中间器件的阳极至阴极方向上的轴线与所述电场方向的夹角为α，其中0
°
≤α<90
°
。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述QLED中间器件还包括设置在所述阴极和所述量子点层之间的电子传输层。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层的材料由PEDOT:PSS组成。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述PEDOT:PSS材料中，PSS为聚苯乙烯磺酸盐。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在将所述QLED中间器件置于电场环境中，还包括对所述QLED中间器件进行加热退火处理，所述加热退火处理包括：将所述QLED中间器件进行热处理，然后冷却至预设温度，所述热处理的温度为80℃至150℃，和/或，所述热处理的时间为20min至60min。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电场的强度恒定，和/或，所述电场强度为10V/mm至50V/mm。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电场方向与所述空穴注入层所在的平面垂直。8.一种QLED器件，其特征在于，包括相对设置的阴极和阳极，设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点层，以及设置在所述阳极和所述量子点层之间的空穴注入层；所述空穴注入层的材料包括PEDOT:PSS，所述空穴注入层包括接近所述量子点层的第一表面，以及接近所述阳极的第二表面，从所述空穴注入层的第一表面至所述空穴注入层的第二表面的方向上，所述空穴注入层中的所述PEDOT:PSS的磺酸根阴离子的含量由高至低分布。9.根据权利要求8所述的QLED器件，其特征在于，还包括设置在所述阴极和所述量子...

【专利技术属性】
技术研发人员：丘洁龙，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：