本申请公开了一种QLED器件制备方法、QLED器件及显示器件，该制备方法通过将QLED中间器件置于电场环境中，QLED中间器件的阳极接近电场阳极端，阴极接近电场阴极端，因器件中的空穴注入层的PEDOT:PSS材料内部存在磺酸根阴离子，在电场作用下，磺酸根阴离子被固定在靠近阳极的界面，有利于带正电的空穴从阳极注入至空穴传输层，从而可以有效地降低空穴注入、传输势垒，进而降低器件的工作电压，提升器件的光电性能。光电性能。光电性能。
【技术实现步骤摘要】
QLED器件制备方法、QLED器件及显示器件
[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种QLED器件制备方法、QLED器件及显示器件。
技术介绍
[0002]量子点是一种尺寸在1nm至10nm的半导体团簇，具有带隙可调的光电子性质，由于其独特的光电性能，被认为在光伏发电、光电显示领域有广泛的应用，并成为研究热点，可应用于发光二极管、太阳能电池、生物荧光标记等领域。在传统的量子点发光二极管(Quantum dot light
‑
emitting doit，QLED)中，电子和空穴分别从阴极和阳极注入，然后在量子点层复合形成激子发光。
[0003]PEDOT:PSS是一种常见的P型导电聚合物，在QLED中作为空穴注入材料，可以有效地降低器件内部空穴注入势垒，提升器件性能。PEDOT:PSS作为一种高分子复合材料，其成分包括空穴传输性能好的PEDOT及水分散性能好的 PSS，PEDOT复合PSS形成的复合材料，显著优化了材料的可加工性，然而复合材料的电学性能也受到了一定程度的削弱，PEDOT:PSS作为QLED器件的空穴注入层，其空穴注入性能有待提升。
[0004]申请内容
[0005]本申请提供一种QLED器件制备方法、QLED器件及显示器件，旨在提升器件的光电性能。
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种QLED器件制备的方法，包括：
[0007]提供一种QLED中间器件，所述QLED中间器件包括相对设置的阴极和阳极，设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点层，以及设置在所述阳极和所述量子点层之间的空穴注入层，所述空穴注入层的材料包括PEDOT:PSS；以及
[0008]将所述QLED中间器件置于电场环境中，所述QLED中间器件的阳极至阴极方向上的轴线与所述电场方向的夹角为α，其中0
°
≤α<90
°
。
[0009]可选的，所述QLED中间器件还包括设置在所述阴极和所述量子点层之间的电子传输层。
[0010]可选的，所述空穴注入层的材料由PEDOT:PSS组成。
[0011]可选的，在所述PEDOT:PSS材料中，PSS为聚苯乙烯磺酸盐。
[0012]可选的，在将所述QLED中间器件置于电场环境中，还包括对所述QLED 中间器件进行加热退火处理，所述加热退火处理包括：将所述QLED中间器件进行热处理，然后冷却至预设温度，所述热处理的温度为80℃至150℃，和 /或，所述热处理的时间为20min至60min。
[0013]可选的，所述电场的强度恒定，和/或，所述电场强度为10V/mm至50
[0014]V/mm。可选的，所述空穴注入层通过溶液法制备而成。
[0015]可选的，所述电场方向与所述空穴注入层所在的平面垂直。
[0016]第二方面，本申请还提供一种QLED器件，包括相对设置的阴极和阳极，设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点层，以及设置在所述阳极和所述量子点层之间的空穴注入
层；
[0017]所述空穴注入层的材料包括PEDOT:PSS，所述空穴注入层包括接近所述量子点层的第一表面，以及接近所述阳极的第二表面，从所述空穴注入层的第一表面至所述空穴注入层的第二表面的方向上，所述空穴注入层中的所述 PEDOT:PSS的磺酸根阴离子的含量由高至低分布。
[0018]可选的，还包括设置在所述阴极和所述量子点层之间的电子传输层，所述电子传输层的材料包括纳米金属氧化物。所述电子传输层包括接近所述量子点层的第一表面，以及接近所述阴极的第二表面，从所述电子传输层的第二表面至所述电子传输层的第一表面的方向上，所述纳米金属氧化物的金属离子的含量由高至低分布。
[0019]可选的，在所述PEDOT:PSS材料中，PSS为聚苯乙烯磺酸盐；和/或，
[0020]所述量子点层的材料包括II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物和I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种，所述II
‑
VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、 CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、 CdSeTe、CdTeS；CdZnSeS、CdZnSeTe和CdZnSTe中的至少一种；所述III
‑
V 族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、 GaAlNP和InAlNP中的至少一种；所述I
‑
III
‑
VI族化合物选自CuInS2、 CuInSe2和AgInS2中的至少一种；和/或，
[0021]所述电子传输层的材料包括ZnO、TiO2、SnO2、MgO、Al2O3中的至少一种。
[0022]可选的，所述QLED器件经如下制备方法制备：将QLED中间器件置于电场环境中，其中，所述QLED中间器件的阳极至阴极方向上的轴线与所述电场方向的夹角为α，其中0
°
≤α<90
°
。
[0023]第三方面，本申请还提供一种显示器件，包括第一方面所述的制备的方法制成的QLED器件，或者包括第二方面所述的QLED器件。
[0024]有益效果：
[0025]本申请通过将QLED中间器件置于电场环境中，QLED中间器件的阳极接近电场阳极端，阴极接近电场阴极端，因QLED中间器件中的空穴注入层的 PEDOT:PSS材料内部存在磺酸根阴离子，在电场作用下，磺酸根阴离子具有靠近阳极的趋势，从而使磺酸根阴离子最后被固定在靠近阳极的界面，由于磺酸根阴离子带负电，在器件工作时，有利于带正电的空穴从阳极注入至空穴传输层，从而可以有效地降低空穴注入、传输势垒，进而降低器件的工作电压，提升器件的光电性能。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
[0027]图1是本申请实施例提供的QLED器件制备方法的流程示意图；
[0028]图2是本申请实施例提供的QLED器件制程中的电场装置示意图；
[0029]图3是本申请实施例提供的正置结构的QLED器件的结构示意图；
[0030]图4是本申请实施例提供的倒置结构的QLED器件的结构示意图。
具体实施方式
[0031]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0032]本申请实施例提供一种QLED器件制备方法、QLED器件及显示器件。以本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种QLED器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一种QLED中间器件，所述QLED中间器件包括相对设置的阴极和阳极，设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点层，以及设置在所述阳极和所述量子点层之间的空穴注入层，所述空穴注入层的材料包括PEDOT:PSS；以及将所述QLED中间器件置于电场环境中，所述QLED中间器件的阳极至阴极方向上的轴线与所述电场方向的夹角为α，其中0
°
≤α<90
°
。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述QLED中间器件还包括设置在所述阴极和所述量子点层之间的电子传输层。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层的材料由PEDOT:PSS组成。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述PEDOT:PSS材料中，PSS为聚苯乙烯磺酸盐。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在将所述QLED中间器件置于电场环境中，还包括对所述QLED中间器件进行加热退火处理，所述加热退火处理包括：将所述QLED中间器件进行热处理，然后冷却至预设温度，所述热处理的温度为80℃至150℃，和/或，所述热处理的时间为20min至60min。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电场的强度恒定，和/或，所述电场强度为10V/mm至50V/mm。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电场方向与所述空穴注入层所在的平面垂直。8.一种QLED器件，其特征在于，包括相对设置的阴极和阳极，设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点层，以及设置在所述阳极和所述量子点层之间的空穴注入层；所述空穴注入层的材料包括PEDOT:PSS，所述空穴注入层包括接近所述量子点层的第一表面，以及接近所述阳极的第二表面，从所述空穴注入层的第一表面至所述空穴注入层的第二表面的方向上，所述空穴注入层中的所述PEDOT:PSS的磺酸根阴离子的含量由高至低分布。9.根据权利要求8所述的QLED器件，其特征在于，还包括设置在所述阴极和所述量子...
【专利技术属性】
技术研发人员：丘洁龙，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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