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本申请公开了一种QLED器件制备方法、QLED器件及显示器件，该制备方法通过将QLED中间器件置于电场环境中，QLED中间器件的阳极接近电场阳极端，阴极接近电场阴极端，因器件中的空穴注入层的PEDOT:PSS材料内部存在磺酸根阴离子，在电场...
该专利属于TCL科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过TCL科技集团股份有限公司授权不得商用。

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