【技术实现步骤摘要】
有机电致发光器件
[0001]本专利技术涉及有机电子器件,例如有机电致发光器件。更特别地,涉及一种在有机层包含第一化合物和第二化合物的有机电致发光器件。
技术介绍
[0002]有机电子器件包括但是不限于下列种类:有机发光二极管(OLEDs),有机场效应晶体管(O
‑
FETs),有机发光晶体管(OLETs),有机光伏器件(OPVs),染料
‑
敏化太阳能电池(DSSCs),有机光学检测器,有机光感受器,有机场效应器件(OFQDs),发光电化学电池(LECs),有机激光二极管和有机电浆发光器件。
[0003]1987年,伊斯曼柯达的Tang和Van Slyke报道了一种双层有机电致发光器件,其包括芳基胺空穴传输层和三
‑8‑
羟基喹啉
‑
铝层作为电子传输层和发光层(Applied Physics Letters,1987,51(12):913
‑
915)。一旦加偏压于器件,绿光从器件中发射出来。这个专利技术为现代有机发光二极管(OLEDs)的发展奠定了基础。最先进的OLEDs可以包括多层,例如电荷注入和传输层,电荷和激子阻挡层,以及阴极和阳极之间的一个或多个发光层。由于OLEDs是一种自发光固态器件,它为显示和照明应用提供了巨大的潜力。此外,有机材料的固有特性,例如它们的柔韧性,可以使它们非常适合于特殊应用,例如在柔性基底制作上。
[0004]OLED可以根据其发光机制分为三种不同类型。Tang和van Slyke专利技 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电致发光器件,其包括:阳极,阴极,以及设置在阳极与阴极之间的有机层,其中所述有机层至少包含第一化合物和第二化合物;所述第一化合物具有H
‑
L
‑
E的结构,其中H具有由式1表示的结构:在式1中,A1、A2和A3每次出现时相同或不同地选自N或CR,环A、环B和环C每次出现时相同或不同地选自具有5
‑
18个碳原子的碳环,或者具有3
‑
18个碳原子的杂环;R
x
每次出现时相同或不同地表示单取代、多取代或无取代;E具有由式1
‑
a表示的结构:在式1
‑
a中,Ar每次出现时相同或不同地选自取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,或者取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基;Z1至Z3各自独立地选自N或CR
Z
,且Z1至Z3中至少有一个为N;L选自单键,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的亚芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的亚杂芳基,或其组合;R,R
x
,R
z
每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,卤素,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的杂烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环原子的杂环基,取代或未取代的具有7
‑
30个碳原子的芳烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷氧基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳氧基,取代或未取代的具有2
‑
20个碳原子的烯基,取代或未取代的具有2
‑
20个碳原子的炔基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷硅基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基硅烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷基锗基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基锗基,取代或未取代的具有0
‑
20个碳原子的氨基,酰基,羰基,羧酸基,酯基,氰基,异氰基,羟基,巯基,亚磺酰基,磺酰基,膦基,及其组合;相邻的取代基R,R
x
能任选地连接形成环;
所述第二化合物具有由式2表示的结构:其中,Y每次出现时相同或不同地选自C,CR
Y
或N;L1每次出现时相同或不同地选自单键,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的亚烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的亚环烷基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的亚芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的亚杂芳基,或其组合;R
Y
每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,卤素,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的杂烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环原子的杂环基,取代或未取代的具有7
‑
30个碳原子的芳烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷氧基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳氧基,取代或未取代的具有2
‑
20个碳原子的烯基,取代或未取代的具有2
‑
20个碳原子的炔基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷硅基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基硅烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷基锗基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基锗基,取代或未取代的具有0
‑
20个碳原子的氨基,酰基,羰基,羧酸基,酯基,氰基,异氰基,巯基,羟基,亚磺酰基,磺酰基,膦基,及其组合;Ar1每次出现时相同或不同地选自取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,或其组合;相邻的取代基R
Y
能任选地连接形成环。2.如权利要求1所述的电致发光器件,其中所述H具有由式1A表示的结构:其中,A1至A3每次出现时相同或不同地选自N或CR,X1至X
10
每次出现时相同或不同地选自N或CR
x
;R和R
x
每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,卤素,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的杂烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环原子的杂环基,取代或未取代的具有7
‑
30个碳原子的芳烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷氧基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳氧基,取代或未取代的具有2
‑
20个碳原子的烯基,取代或未取
代的具有2
‑
20个碳原子的炔基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷硅基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基硅烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷基锗基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基锗基,取代或未取代的具有0
‑
20个碳原子的氨基,酰基,羰基,羧酸基,酯基,氰基,异氰基,羟基,巯基,亚磺酰基,磺酰基,膦基,及其组合;相邻的取代基R,R
x
能任选地连接形成环;优选地,R和R
x
每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,卤素,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有7
‑
30个碳原子的芳烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷氧基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳氧基,取代或未取代的具有2
‑
20个碳原子的烯基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,取代或未取代的具有0
‑
20个碳原子的氨基,氰基,异氰基,羟基,巯基,及其组合。3.如权利要求1或2所述的电致发光器件,其中,R和R
x
中至少有一个选自氘,卤素,氰基,羟基,巯基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有2
‑
20个碳原子的烯基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,或其组合;相邻的取代基R和R
x
能任选地连接形成环;优选地,R和R
x
中至少有一个选自氘,氟,氰基,羟基,巯基,甲基,三氘代甲基,乙烯基,苯基,联苯基,萘基,4
‑
氰基苯基,二苯并呋喃基,二苯并噻吩基,三亚苯基,咔唑基,9
‑
苯基咔唑基,9,9
‑
二甲基芴基,吡啶基,苯基吡啶基,或其组合。4.如权利要求1或2所述的电致发光器件,其中所述H选自由以下结构组成的组:
其中,“*”表示H
‑
1至H
‑
139的结构中与所述L相连的位置;任选地,所述H
‑
1至H
‑
139结构中的氢能部分或完全地被氘取代。5.如权利要求1所述的电致发光器件,其中所述E具有式1
‑
a所示的结构:其中,Z1至Z3各自独立地选自N或CR
z
,且Z1至Z3中至少有两个为N;其中,R
z
每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,卤素,取代或未取代的
具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的杂烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环原子的杂环基,取代或未取代的具有7
‑
30个碳原子的芳烷基,取代或未取代的具有2
‑
20个碳原子的烯基,取代或未取代的具有2
‑
20个碳原子的炔基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷硅基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基硅烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷基锗基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基锗基,取代或未取代的具有0
‑
20个碳原子的氨基,氰基,异氰基,羟基,巯基,及其组合;Ar每次出现时相同或不同地选自取代或未取代的具有6
‑
18个碳原子的芳基,或者取代或未取代的具有3
‑
18个碳原子的杂芳基;优选地,Z1至Z3均为N;Ar每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:苯基,氘代苯基,甲基苯基,氟代苯基,叔丁基苯基,三氘代甲基苯基,联苯基,萘基,氘代萘基,二苯并呋喃基,二苯并噻吩基,9,9
‑
二甲基芴基,咔唑基,吡啶基,嘧啶基,4
‑
氰基苯基,3
‑
氰基苯基,三亚苯基,硅基,锗基,烷氧基,及其组合。6.如权利要求1
‑
4中任一项所述的电致发光器件,其中所述E选自由以下结构组成的组:
任选地,所述E
‑
1至E
‑
95结构中的氢能部分或完全地被氘取代。7.如权利要求1
‑
6中任一项所述的电致发光器件,其中所述L选自单键,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的亚芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的亚杂芳基,或其组合;优选地,所述L选自由以下结构组成的组:
其中表示L
‑
1至L
‑
27的结构中与所述E相连的位置,“*”表示L
‑
1至L
‑
27的结构中与所述H相连的位置;任选地,所述L
‑
1至L
‑
27结构中的氢能部分或完全地被氘取代。8.如权利要求1
‑
7中任一项所述的电致发光器件,其中所述第一化合物具有H
‑
L
‑
E的结构,并且其中H选自由H
‑
1至H
‑
139组成的组中的任一种,L选自由L
‑
0至L
‑
27组成的组中的任一种,E选自由E
‑
1至E
‑
95组成的组中的任一种;任选地,所述第一化合物中的氢能部分或完全地被氘取代;优选地,其中所述第一化合物选自由化合物1
‑
1至化合物1
‑
550组成的组;所述化合物1
‑
1至化合物1
‑
550具有H
‑
L
‑
E的结构,其中H、L和E分别对应选自下表中的结构:
其中,任选地,所述化合物1
‑
1至化合物1
‑
550中的氢能部分或完全地被氘取代。9.如权利要求1所述的电致发光器件,其中,所述第二化合物具有由式2
‑
a至式2
‑
d之一表示的结构:其中,R
Y
每次出现时相同或不同地表示单取代,多取代或无取代;R
Y
每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,卤素,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的杂烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环原子的杂环基,取代或未取代的具有7
‑
30个碳原子的芳烷基,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷氧基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳氧基,取代或未取代的具有2
‑
20个碳原子的烯基,取代或未取代的具有2
‑
20个碳原子的炔基,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳
基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷硅基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基硅烷基,取代或未取代的具有0
‑
20个碳原子的氨基,酰基,羰基,羧酸基,酯基,氰基,异氰基,巯基,羟基,亚磺酰基,磺酰基,膦基,及其组合;L1每次出现时相同或不同地选自单键,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的亚烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的亚环烷基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的亚芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的亚杂芳基,或其组合;Ar1每次出现时相同或不同地选自取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的杂芳基,或其组合;优选地,R
Y
每次出现时相同或不同地选自由以下组成的组:氢,氘,卤素,取代或未取代的具有1
‑
20个碳原子的烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环碳原子的环烷基,取代或未取代的具有3
‑
20个环原子的杂环基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的杂芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的烷硅基,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的芳基硅烷基,取代或未取代的具有0
‑
20个碳原子的氨基,酰基,氰基,异氰基,巯基,羟基,亚磺酰基,磺酰基,膦基,及其组合;相邻的取代基R
Y
能任选地连接形成环。10.如权利要求1或9所述的电致发光器件,其中所述Ar1每次出现时相同或不同地选自取代或未取代的具有6
‑
25个碳原子的芳基,取代或未取代的具有3
‑
25个碳原子的杂芳基,或其组合;优选地,Ar1每次出现时相同或不同地选自苯基,氟代苯基,萘基,联苯基,苯并噻吩基,二苯并噻吩基,苯并呋喃基,二苯并呋喃基,二苯并硒吩基,咔唑基,9,9
‑
二甲基芴基,9,9
‑
螺二芴基,氰基苯基,或其组合;更优选地,其中所述Ar1每次出现时相同或不同地选自由以下结构组成的组:
任选地,所述Ar
‑
1至Ar
‑
132结构中的氢能部分或完全地被氘取代。11.如权利要求1或9所述的电致发光器件,其中所述L1选自单键,取代或未取代的具有6
‑
30个碳原子的亚芳基,取代或未取代的具有3
‑
30个碳原子的亚杂芳基,或其组合;优选地,L1选自单键,取代或未取代的具有6
‑
20个碳原子的亚芳基,取代或未取代的具有3
‑
20个碳原子的亚杂...
【专利技术属性】
技术研发人员:王乐,王强,张晗,张子岩,王美营,王俊飞,邝志远,夏传军,
申请(专利权)人:北京夏禾科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。