一种量子芯片失效分析设备及分析方法技术

本发明专利技术公开了一种量子芯片失效分析设备及分析方法，应用于量子芯片技术领域，固定装置包括冷镶壳体，冷镶壳体具有一用于容纳待测量子芯片以及冷镶液的内腔；内腔设置有刻度线，以在固定装置内形成冷镶样品后，在冷镶样品表面形成转印的刻度线；减薄装置用于根据冷镶样品表面转印的刻度线，对冷镶样品进行减薄；检测装置用于对减薄后的冷镶样品进行检测。在冷镶样品表面转移出对应的刻度线，进而可以根据该刻度线对冷镶样品中待测量子芯片的目标位置进行定位，进而在减薄过程中可以依据该定位结果快速对冷镶样品进行减薄，暴露出目标位置进行检测，实现高效对量子芯片内部需要分析的位置进行分析。要分析的位置进行分析。要分析的位置进行分析。

【技术实现步骤摘要】
一种量子芯片失效分析设备及分析方法


[0001]本专利技术涉及量子芯片
，特别是涉及以及一种量子芯片失效分析设备一种量子芯片失效分析方法。

技术介绍

[0002]金相研磨分析技术常被用于观察金属材料微观组织结构。一般是利用研磨抛光的方法，将样品研磨抛光到到需要观察分析的位置，对该位置的微观组织通过扫描电子显微镜(SEM)进行观察，根据观察结果分析判断材料物理性质，分析缺陷原因。在量子芯片加工制备过程中进行金相分析测试，能够及时发现微观组织内部是否存在裂痕、杂质及相应缺陷。特别对于发现多层构造的量子芯片加工工艺异常具有重要的意义。
[0003]在金相测试过程中，一般包括2个部分，其中金相制样时将样品直接放入模具中，之后加入冷镶嵌液，将冷镶液注模具中，通过固化、脱模后进行研磨制样。这些制样方式常被用于硬质样品或者单层样品加工。但是在现有技术中，在夹具中未在增加刻度标记，对于多层构造的量子芯片，在研磨过程中无法观察内部结构的情况下，难以实现对内部缺陷位置的有效定位，对多层构造的量子芯片失效分析产生极大的困难，往往会导致由于无法确定内部位置，使研磨抛光无法加工到需要分析的位置。所以如何高效对量子芯片内部需要分析的位置进行分析是本领域技术人员急需解决的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种量子芯片失效分析设备，可以高效对量子芯片内部需要分析的位置进行分析；本专利技术的另一目的在于提供一种量子芯片失效分析方法，可以高效对量子芯片内部需要分析的位置进行分析。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种量子芯片失效分析设备，包括固定装置、减薄装置和检测装置；
[0006]所述固定装置包括冷镶壳体，所述冷镶壳体具有一用于容纳待测量子芯片以及冷镶液的内腔；所述内腔设置有刻度线，以在固定装置内形成冷镶样品后，在所述冷镶样品表面形成转印的刻度线，以根据转印的所述刻度线对所述冷镶样品中待测量子芯片的目标位置进行定位；
[0007]所述减薄装置用于根据所述冷镶样品表面转印的刻度线，对所述冷镶样品进行减薄；所述检测装置用于对减薄后的冷镶样品进行检测。
[0008]可选的，所述冷镶壳体的内腔设置有具有凸起结构的所述刻度线。
[0009]可选的，所述冷镶壳体包括底壁、左侧壁、右侧壁和后侧壁，形成所述内腔；所述底壁边缘设置有所述刻度线，所述左侧壁边缘和/或所述左侧壁边缘设置有所述刻度线。
[0010]可选的，所述冷镶壳体一侧底部设置有注胶孔。
[0011]可选的，所述固定装置还包括用于容纳所述冷镶壳体的真空壳体，所述真空壳体连通有抽真空设备，以在所述冷镶壳体内填充冷镶液时，对所述真空壳体内部抽真空。
[0012]可选的，所述固定装置设置有从所述注胶孔延伸至所述真空壳体外部的冷镶液管道，以及连通所述真空壳体内部与所述抽真空设备的抽真空管道。
[0013]可选的，所述冷镶壳体包括相互卡合的前壳体和后壳体；当所述前壳体与所述后壳体卡合时，夹住所述待测量子芯片。
[0014]可选的，所述减薄装置包括用于对所述冷镶样品进行第一次减薄的研磨抛光设备，以及用于对第一次减薄后的冷镶样品进行第二次减薄的离子束减薄设备。
[0015]可选的，所述检测装置包括扫描电子显微镜、X射线电子能谱仪和飞行时间二次离子质谱仪。
[0016]本专利技术还提供了一种量子芯片失效分析方法，应用于上述任一项所述的一种量子芯片失效分析设备，包括：
[0017]将待测量子芯片固定于冷镶壳体内；
[0018]通过冷镶壳体设置包覆所述待测量子芯片的冷镶样品；所述冷镶样品表面转印有所述刻度线；
[0019]对所述冷镶样品中待测量子芯片的目标位置进行定位，将所述目标位置与转印的所述刻度线所表征的刻度相对应；
[0020]根据所述冷镶样品表面转印的刻度线，通过减薄装置对所述冷镶样品进行减薄；
[0021]通过检测装置对减薄后的冷镶样品进行检测。
[0022]可选的，所述对所述冷镶样品中待测量子芯片的目标位置进行定位，将所述目标位置与转印的所述刻度线所表征的刻度相对应包括：
[0023]通过X射线对所述冷镶样品中待测量子芯片的目标位置进行定位，将所述目标位置与转印的所述刻度线所表征的刻度相对应。
[0024]可选的，所述根据所述冷镶样品表面转印的刻度线，通过减薄装置对所述冷镶样品进行减薄包括：
[0025]根据所述冷镶样品表面转印的刻度线，通过研磨抛光设备对所述冷镶样品进行第一次减薄；
[0026]根据所述冷镶样品表面转印的刻度线，通过离子束减薄设备对第一次减薄后的所述冷镶样品进行第二次减薄。
[0027]本专利技术所提供的一种量子芯片失效分析设备，包括固定装置、减薄装置和检测装置；固定装置包括冷镶壳体，冷镶壳体具有一用于容纳待测量子芯片以及冷镶液的内腔；内腔设置有刻度线，以在固定装置内形成冷镶样品后，在冷镶样品表面形成转印的刻度线，以根据转印的刻度线对冷镶样品中待测量子芯片的目标位置进行定位；减薄装置用于根据冷镶样品表面转印的刻度线，对冷镶样品进行减薄；检测装置用于对减薄后的冷镶样品进行检测。
[0028]通过在内腔中设置刻度线，可以在冷镶样品表面转移出对应的刻度线，进而可以根据该刻度线对冷镶样品中待测量子芯片的目标位置进行定位，进而在减薄过程中可以依据该定位结果快速对冷镶样品进行减薄，暴露出目标位置进行检测，实现高效对量子芯片内部需要分析的位置进行分析。
[0029]本专利技术还提供了一种量子芯片失效分析方法，同样具有上述有益效果，在此不再进行赘述。
附图说明
[0030]为了更清楚的说明本专利技术实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0031]图1为本专利技术实施例所提供的一种量子芯片失效分析设备的机构示意图；
[0032]图2为本专利技术实施例所提供的一种具体的冷镶壳体的结构示意图；
[0033]图3为图2的正视图；
[0034]图4为图2的俯视图；
[0035]图5为图2的侧视图；
[0036]图6为图5的分体图；
[0037]图7为本专利技术实施例所提供的一种具体的固定装置的结构示意图；
[0038]图8为本专利技术实施例所提供的一种量子芯片失效分析方法的流程图。
[0039]图中：1.固定装置、2.冷镶壳体、21.注胶孔、22.侧壁、23.底壁、24.后壳体、25.前壳体、31.真空壳体、32.抽真空管道、33.冷镶液管道、4.减薄装置、5.检测装置。
具体实施方式
[0040]本专利技术的核心是提供一种量子芯片失效分析设备。在现有技术中，在夹具中未在增加刻度标记，对于多层构造的量子芯片，在研磨过程中无法观察内部结构的情况下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子芯片失效分析设备，其特征在于，包括固定装置、减薄装置和检测装置；所述固定装置包括冷镶壳体，所述冷镶壳体具有一用于容纳待测量子芯片以及冷镶液的内腔；所述内腔设置有刻度线，以在固定装置内形成冷镶样品后，在所述冷镶样品表面形成转印的刻度线，以根据转印的所述刻度线对所述冷镶样品中待测量子芯片的目标位置进行定位；所述减薄装置用于根据所述冷镶样品表面转印的刻度线，对所述冷镶样品进行减薄；所述检测装置用于对减薄后的冷镶样品进行检测。2.根据权利要求1所述的量子芯片失效分析设备，其特征在于，所述冷镶壳体的内腔设置有具有凸起结构的所述刻度线。3.根据权利要求2所述的量子芯片失效分析设备，其特征在于，所述冷镶壳体包括底壁、左侧壁、右侧壁和后侧壁，形成所述内腔；所述底壁边缘设置有所述刻度线，所述左侧壁边缘和/或所述左侧壁边缘设置有所述刻度线。4.根据权利要求3所述的量子芯片失效分析设备，其特征在于，所述冷镶壳体一侧底部设置有注胶孔。5.根据权利要求4所述的量子芯片失效分析设备，其特征在于，所述固定装置还包括用于容纳所述冷镶壳体的真空壳体，所述真空壳体连通有抽真空设备，以在所述冷镶壳体内填充冷镶液时，对所述真空壳体内部抽真空。6.根据权利要求5所述的量子芯片失效分析设备，其特征在于，所述固定装置设置有从所述注胶孔延伸至所述真空壳体外部的冷镶液管道，以及连通所述真空壳体内部与所述抽真空设备的抽真空管道。7.根据权利要求1所述的量子芯片失效分析设备，其特征在于，所述冷镶壳体包括相互卡合的前壳体和后壳体；当所述前壳体与所述后壳体卡合时，夹住所述待测量子...

【专利技术属性】
技术研发人员：代志鹏，张祥，唐鹏举，
申请(专利权)人：量子科技长三角产业创新中心，
类型：发明
国别省市：