一种量子芯片失效分析设备及分析方法技术

本发明专利技术公开了一种量子芯片失效分析设备及分析方法，应用于量子芯片技术领域，固定装置包括冷镶壳体，冷镶壳体具有一用于容纳待测量子芯片以及冷镶液的内腔；内腔设置有刻度线，以在固定装置内形成冷镶样品后，在冷镶样品表面形成转印的刻度线；减薄装置用于根据冷镶样品表面转印的刻度线，对冷镶样品进行减薄；检测装置用于对减薄后的冷镶样品进行检测。在冷镶样品表面转移出对应的刻度线，进而可以根据该刻度线对冷镶样品中待测量子芯片的目标位置进行定位，进而在减薄过程中可以依据该定位结果快速对冷镶样品进行减薄，暴露出目标位置进行检测，实现高效对量子芯片内部需要分析的位置进行分析。要分析的位置进行分析。要分析的位置进行分析。

【技术实现步骤摘要】
一种量子芯片失效分析设备及分析方法


[0001]本专利技术涉及量子芯片
，特别是涉及以及一种量子芯片失效分析设备一种量子芯片失效分析方法。

技术介绍

[0002]金相研磨分析技术常被用于观察金属材料微观组织结构。一般是利用研磨抛光的方法，将样品研磨抛光到到需要观察分析的位置，对该位置的微观组织通过扫描电子显微镜(SEM)进行观察，根据观察结果分析判断材料物理性质，分析缺陷原因。在量子芯片加工制备过程中进行金相分析测试，能够及时发现微观组织内部是否存在裂痕、杂质及相应缺陷。特别对于发现多层构造的量子芯片加工工艺异常具有重要的意义。
[0003]在金相测试过程中，一般包括2个部分，其中金相制样时将样品直接放入模具中，之后加入冷镶嵌液，将冷镶液注模具中，通过固化、脱模后进行研磨制样。这些制样方式常被用于硬质样品或者单层样品加工。但是在现有技术中，在夹具中未在增加刻度标记，对于多层构造的量子芯片，在研磨过程中无法观察内部结构的情况下，难以实现对内部缺陷位置的有效定位，对多层构造的量子芯片失效分析产生极大的困难，往往会导致由于无法确定内部位本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子芯片失效分析设备，其特征在于，包括固定装置、减薄装置和检测装置；所述固定装置包括冷镶壳体，所述冷镶壳体具有一用于容纳待测量子芯片以及冷镶液的内腔；所述内腔设置有刻度线，以在固定装置内形成冷镶样品后，在所述冷镶样品表面形成转印的刻度线，以根据转印的所述刻度线对所述冷镶样品中待测量子芯片的目标位置进行定位；所述减薄装置用于根据所述冷镶样品表面转印的刻度线，对所述冷镶样品进行减薄；所述检测装置用于对减薄后的冷镶样品进行检测。2.根据权利要求1所述的量子芯片失效分析设备，其特征在于，所述冷镶壳体的内腔设置有具有凸起结构的所述刻度线。3.根据权利要求2所述的量子芯片失效分析设备，其特征在于，所述冷镶壳体包括底壁、左侧壁、右侧壁和后侧壁，形成所述内腔；所述底壁边缘设置有所述刻度线，所述左侧壁边缘和/或所述左侧壁边缘设置有所述刻度线。4.根据权利要求3所述的量子芯片失效分析设备，其特征在于，所述冷镶壳体一侧底部设置有注胶孔。5.根据权利要求4所述的量子芯片失效分析设备，其特征在于，所述固定装置还包括用于容纳所述冷镶壳体的真空壳体，所述真空壳体连通有抽真空设备，以在所述冷镶壳体内填充冷镶液时，对所述真空壳体内部抽真空。6.根据权利要求5所述的量子芯片失效分析设备，其特征在于，所述固定装置设置有从所述注胶孔延伸至所述真空壳体外部的冷镶液管道，以及连通所述真空壳体内部与所述抽真空设备的抽真空管道。7.根据权利要求1所述的量子芯片失效分析设备，其特征在于，所述冷镶壳体包括相互卡合的前壳体和后壳体；当所述前壳体与所述后壳体卡合时，夹住所述待测量子...

【专利技术属性】
技术研发人员：代志鹏，张祥，唐鹏举，
申请(专利权)人：量子科技长三角产业创新中心，
类型：发明
国别省市：