【技术实现步骤摘要】
电子束晶圆缺陷复检设备的复检准备方法和复检方法
[0001]本专利技术涉及有图形晶圆的缺陷检测领域，尤其涉及一种电子束晶圆缺陷复检设备的复检准备方法和复检方法。
技术介绍
[0002]大规模集成电路(IC)制造前道工序中包含晶圆缺陷检测，主要是在线(Inline)检测，速度要求高，用于有图形晶圆(Patterned Wafer)检测的相关设备包括用亮场(Bright Filed，简称BF)光学缺陷检测设备和暗场(Dark Filed，简称DF)光学缺陷检测设备，以及电子束晶圆缺陷检测(e
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beam inspection,简称为EBI)设备等。参考图1，晶圆100中的许多晶粒(Die)中都含有例如来自BF或DF,或EBI初检设备所获缺陷(不同的标识表示不同的初检缺陷分类类型)。随后需对初检结果中的缺陷进行复检(Review)，用更高分辨率的图像，例如可达2nm附近，并对初检的缺陷区域进行检测，并进行特征提取和分类，以帮助IC制造厂商及时发现问题，优化工艺，提升良率。所述复检主要用电子束晶圆复检(e
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电子束晶圆缺陷复检设备的复检准备方法，其特征在于，包括：在晶圆上片并获取初检信息和完成光学显微系统下的晶圆对准后，进行扫描电镜的图像灰度优化；在所述扫描电镜下的多级晶圆对准的实施中判断是否进行扫描电镜的自动聚焦，根据判断结果完成该级晶圆对准或所述自动聚焦，完成该级晶圆对准和其余更高级的晶圆对准；确定晶圆坐标系的参考点。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括依次执行的以下步骤：。S1、将晶圆上片并获取初检信息；S2、完成光学显微系统下的晶圆对准；S3、对所述扫描电镜完成图像灰度优化；S4、进行所述扫描电镜下的晶圆对准和聚焦度检验，包括：S4.1、开始进行所述扫描电镜下的第一级晶圆对准；S4.2、并在其中检验所述扫描电镜的聚焦度，判断是否实施自动聚焦，根据判断结果实施自动聚焦或进入下一步；S4.3、完成所述扫描电镜的第一级晶圆对准；S4.4、完成所述扫描电镜的余下更高级晶圆对准；S5、确定晶圆坐标系的参考点。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当进行所述图像灰度优化和/或自动聚焦时，使用无缺陷或缺陷尺寸小于等于预设尺寸的位置采集图像。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在创建晶圆对准工作菜单中不仅保留扫描电镜对准所用的模板和在晶圆上的匹配位置即目标图像采集位置，也保留完整的包含所述模板的模板图像。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤4.1中，在第一匹配位置采集第一目标图像；在步骤4.2中，在采集所述第一目标图像后开始所述聚焦度的检验，在检验所述聚焦度时，使用晶圆对准中最先遇到的成功匹配的且和模板图像重叠区域满足既定条件的目标图像即聚焦工作目标图像，比较所述目标图像和模板图像的重叠区域的聚焦度，根据所述比较的结果以及既定阈值判断是否实施自动聚焦。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在步骤S4.4中，使用与步骤S4.2相同的聚焦度的检验方法判断是否实施所述自动聚焦，根据判断结果实施自动聚焦或完成当前一级晶圆对准。7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当创建工作菜单时，在所述工作菜单中保存主模板图像、位于主模板图像周边设定距离的模板图像以及形成的多帧模板图像中各自的模板；当执行所述工作菜单时，在步骤4.1中，在第一匹配位置采集第一目标图像，在步骤4.2中，在采集所述第一目标图像后开始所述聚焦度的检验，此时若所述主模板图像中的模板与第一目标图像匹配失败或二者的重叠区域不满足既定阈值条件，用所述主模板图像周边的模板图像和第一目标图像进行匹配，选择重叠区域面积最大的成功匹配的模板图像，比较其和所述第一目标图像的重叠区域的聚焦度，根据所述比较的结果以及既定阈值判断是否实施自动聚焦。8.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，在所述重叠区域...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘骊松，黄涛，王岗，张旭，
申请(专利权)人：上海精测半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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