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本发明公开了一种量子芯片失效分析设备及分析方法,应用于量子芯片技术领域,固定装置包括冷镶壳体,冷镶壳体具有一用于容纳待测量子芯片以及冷镶液的内腔;内腔设置有刻度线,以在固定装置内形成冷镶样品后,在冷镶样品表面形成转印的刻度线;减薄装置用于根...该专利属于量子科技长三角产业创新中心所有,仅供学习研究参考,未经过量子科技长三角产业创新中心授权不得商用。
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本发明公开了一种量子芯片失效分析设备及分析方法,应用于量子芯片技术领域,固定装置包括冷镶壳体,冷镶壳体具有一用于容纳待测量子芯片以及冷镶液的内腔;内腔设置有刻度线,以在固定装置内形成冷镶样品后,在冷镶样品表面形成转印的刻度线;减薄装置用于根...