一种微距覆晶载板的结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种微距覆晶载板的结构及及制造方法，其是在结合垫间，于金属线路上直接形成金属氧化防焊阻堤作为取代公知技术中的防焊阻剂之用，使得该结合垫不会深埋在防焊阻剂中，同时开发一种于激光钻微小孔后以镀铜填孔方式形成该线路导通结构，因此可直接在孔上直接形成，大幅改善布线空间及弹性，且配合上述布线空间的改善，本发明专利技术提供一种微距覆晶载板的结构，可实现在有限空间的限制之下，另外设计一支撑线路以增加载板抗曲强度。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种使用于半导体封装工艺中微距覆晶载板的结构及其制造方法，可解决IC结合区的对位精度要求的困难，解决IC封装不良的问题。
技术介绍
由于目前电子产品是朝向更轻薄短小的趋势发展，再加上其电子产品的功能也不断增加，使得电子产品中IC的I/O数快速增加，因此其相对的封装技术也必须不断更新以适应实际需要，封装技术由早期的插件式到表面粘着(Surface Mounting Technology，SMT)，如以美国Fairchild公司提出的双列直插式封装(Dual-In-Line Package，DIP)与美国德州仪器公司所发展的扁平封装(Flat Package，FP)为其代表；另外一最引人注目的打线式球格阵列(Ball Grid Array，BGA)封装也随之兴起，这是一种以突起状的电极，排成格子状以取代栅格阵列(Pin Grid Array，PGA)封装的插脚(Pin)、栅格阵列(PGA)为一通孔封装容易受到印刷载板的格子间距的限制，但球格阵列(BGA)是属于一表面封装，因此毫无限制，最适合小型且高I/O密度的封装，所以配合现今在高级产品最新技术的覆晶封装(Flip C本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微距覆晶载板的制造方法，其特征在于，它包括：.提供一载板步骤，是将该载板表面预先形成第一金属层，此第一金属层材料为铜，钯等导电金属，在该载板上预先形成复数个载板导通孔，是以一机械或激光钻孔形成，且该复数导孔孔径５０～３００μｍ， 并于该第一金属层表面与该载板导通孔中形成一第一镀金属层；.形成一内层线路步骤，是利用形成的感光阻剂将影像转移，以当作罩幕蚀刻该第一镀金属层与该第一金属层形成沟渠，未被蚀刻的部分形成该内层线路；.黑氧化内层线路步骤，是以氧化内 层金属线路，形成金属线路表面粗糙，以增加多层板结合时和介电层的结合力，此表面粗糙的制造方法，可利...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张谦为，黄胜川，
申请(专利权)人：景硕科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]