存储器装置制造方法及图纸

提供了一种存储器装置。所述存储器装置可以包括：基底；铁电场效应晶体管，设置在基底上；第一沟道，接触铁电场效应晶体管的栅极结构，并且在竖直方向上从铁电场效应晶体管的栅极结构延伸；选择字线，设置在第一沟道的一侧处；第一栅极介电层，设置在第一沟道与选择字线之间；以及单元字线，设置在第一沟道的顶部上。上。上。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置
[0001]本申请基于并要求于2021年10月13日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0135934号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。


[0002]专利技术构思涉及一种存储器装置，更具体地，涉及一种包括铁电场效应晶体管(FeFET)的存储器装置。

技术介绍

[0003]FeFET可以包括铁电层作为栅极介电层。铁电层可以根据施加到其的电压而处于两种稳定的极化状态中的一种。FeFET的阈值电压可以根据铁电层的极化状态而变化。因此，二进制的状态可以被存储在FeFET中，并且可以从FeFET被读取。已经开发了其中每个存储器单元仅包括一个FeFET的铁电随机存取存储器(FeRAM)。然而，当将要对特定存储器单元执行写入操作时，写入操作也影响其他存储器单元(写入干扰)。此外，当对特定存储器单元执行读取操作时，其他存储器单元影响读取操作(读取干扰)。

技术实现思路

[0004]专利技术构思提供了一种存储器装置，在该存储器装置中防止了存储器单元之间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：基底；铁电场效应晶体管，设置在基底上；第一沟道，接触铁电场效应晶体管的栅极结构，并且在竖直方向上从铁电场效应晶体管的栅极结构延伸；选择字线，设置在第一沟道的一侧处；第一栅极介电层，设置在第一沟道与选择字线之间；以及单元字线，设置在第一沟道的顶部上。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，栅极结构包括堆叠在基底上的铁电层和栅极层。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，栅极结构还包括位于基底与铁电层之间的第二栅极介电层。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，栅极结构的底部部分凹入到基底中。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，铁电场效应晶体管包括所述栅极结构、第一源极/漏极和第二源极/漏极，所述栅极结构设置在设置在基底上，第一源极/漏极位于所述栅极结构的一侧处，第二源极/漏极位于所述栅极结构的另一侧处。6.根据权利要求5所述的存储器装置，所述存储器装置还包括与第一源极/漏极接触的地线。7.根据权利要求6所述的存储器装置，所述存储器装置还包括与第二源极/漏极接触的位线。8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，地线和位线彼此平行地延伸。9.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，地线和位线不平行于选择字线地延伸。10.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，地线和位线平行于单元字线地延伸。11.根据权利要求7所述的存储器装置，所述存储器装置还包括层间绝缘层，层间绝缘层设置在地线与选择字线之间以及在位线与选择字线之间。12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，层间绝缘层还在地线与所述栅极结构的顶部部分之间以及在位线与所述栅极结构的顶部部分之间延伸。13.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，第一栅极介电层接触选择字线的底表面和两个相对的侧表面。14.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括第二沟道，第二沟道接触铁电场效应晶体管的栅极结构并在竖直方向上从铁电场效应晶体管的栅极结构延伸，并且选择字线在第一沟道与第二沟道之间穿过。15.根据权利要求14所述的存储器装置，其中，第一栅极介电层还在第二沟道与选择字线之间延伸。16.根据权利要求15所述的存储器装置，所述存储器装置还包括沟道连接层，沟道连接层设置在铁电场效应晶体管的栅极结构上并接触铁电场效应晶体管的栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：李玟浚，金容锡，金炫哲，朴种万，禹东秀，李炅奂，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：