半导体装置制造方法及图纸

提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一导线，设置在基底上并且在垂直于基底的顶表面的第一方向上彼此间隔开；第二导线，在平行于基底的顶表面的第二方向上与第一导线间隔开；栅电极，设置在第一导线与第二导电线之间并且在第一方向上延伸；多个沟道图案，设置为包围栅电极的侧表面并且在第一方向上彼此间隔开；铁电图案，在所述多个沟道图案中的每个与栅电极之间；以及栅极绝缘图案，在所述多个沟道图案中的每个与铁电图案之间。所述多个沟道图案中的每个连接到第一导线中的一条对应的第一导线和第二导线中的一条对应的第二导线。第二导线。第二导线。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本申请要求于2021年7月9日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0090249号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。


[0002]实施例涉及一种半导体装置。

技术介绍

[0003]半导体存储装置通常分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。易失性存储器装置在其电源被中断时丢失其存储的数据，并且例如包括动态随机存取存储器(DRAM)装置和静态随机存取存储器(SRAM)装置。非易失性存储器装置即使在其电源被中断时也保持其存储的数据，并且例如包括可编程只读存储器(PROM)、可擦除PROM(EPROM)、电EPROM(EEPROM)、闪存装置。另外，为了满足对具有高性能和低功耗的半导体存储器装置的日益增长的需求，正在开发下一代非易失性半导体存储器装置，诸如磁性随机存取存储器(MRAM)装置、相变随机存取存储器(PRAM)装置和铁电随机存取存储器(FeRAM)装置。为了提供具有高集成密度和高性能的半导体装置，正在进行各种研究以开发具有不同性质的半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一导线，设置在基底上并且在第一方向上彼此间隔开，所述第一方向垂直于所述基底的顶表面；第二导线，在第二方向上与所述第一导线间隔开，所述第二方向平行于所述基底的所述顶表面；栅电极，设置在所述第一导线与所述第二导线之间，并且在所述第一方向上延伸；沟道图案，设置为包围所述栅电极的侧表面，并且在所述第一方向上彼此间隔开；铁电图案，在所述沟道图案中的每个与所述栅电极之间；以及栅极绝缘图案，在所述沟道图案中的每个与所述铁电图案之间，其中，所述沟道图案中的每个连接到所述第一导线中的一条对应的第一导线和所述第二导线中的一条对应的第二导线。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述沟道图案中的每个介于所述对应的第一导线与所述对应的第二导线之间。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述沟道图案中的每个在所述第二方向上与所述对应的第一导线和所述对应的第二导线叠置。4.根据权利要求2所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：第一杂质图案，在所述沟道图案中的每个与所述对应的第一导线之间；以及第二杂质图案，在所述沟道图案中的每个与所述对应的第二导线之间，其中，所述第一杂质图案和所述第二杂质图案具有相同的导电类型。5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中：所述第一导线在第三方向上延伸，所述第三方向平行于所述基底的所述顶表面并且与所述第二方向交叉，并且所述第二导线在所述第一方向上彼此间隔开并且在所述第三方向上延伸。6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中：所述第一导线在第三方向上延伸，所述第三方向平行于所述基底的所述顶表面并且与所述第二方向交叉，并且所述第二导线在所述第三方向上彼此间隔开并且在所述第一方向上延伸。7.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：第一绝缘图案，介于所述沟道图案之间并且在所述第一方向上彼此间隔开，其中，所述第一绝缘图案设置为包围所述栅电极的所述侧表面。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述沟道图案通过所述第一绝缘图案彼此电分离。9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述铁电图案延伸到所述第一绝缘图案中的每个与所述栅电极之间的区域中。10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述栅极绝缘图案介于所述第一绝缘图案中的相邻第一绝缘图案之间。11.根据权利要求7所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：金属图案，在所述沟道图案中的每个与所述铁电图案之间，其中，所述金属图案介于所述栅极绝缘图案与所述铁电图案之间。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述栅极绝缘图案和所述金属图...

【专利技术属性】
技术研发人员：李炅奂，金容锡，金炫哲，朴种万，禹东秀，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：