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提供了一种存储器装置。所述存储器装置可以包括：基底；铁电场效应晶体管，设置在基底上；第一沟道，接触铁电场效应晶体管的栅极结构，并且在竖直方向上从铁电场效应晶体管的栅极结构延伸；选择字线，设置在第一沟道的一侧处；第一栅极介电层，设置在第一沟道...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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