图形制造系统、曝光装置及曝光方法制造方法及图纸

一种图形制造系统、曝光装置及曝光方法，利用由加工用图形数据（１００）指定的图形线的线宽与曝光量，对涂覆于基板上的铜箔上的抗蚀剂进行直接描绘曝光，再对曝光过的抗蚀剂进行显影来形成抗蚀图形，然后，蚀刻形成有抗蚀图形的基板上的铜箔来形成图形。这时，扫描蚀刻后的形成图形得到图像信息（２００），再对图像信息（２００）的图形线的线宽与蚀刻后的目标的目标形成图形的图形线的线宽进行比较，根据该比较结果来调整由加工用图形数据（１００）指定的图形线的线宽，再对使用调整过的线宽直接描绘抗蚀剂。因此，调整蚀刻液的劣化等的图形线的线宽的成品误差来形成图形而可得到精度高的成品。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种抑制在制造印刷基板的电路图形等时由显影液或蚀刻液的劣化等产生的成品的偏差的图形制造系统。
技术介绍
例如，在制造印刷基板的情况下，以前已知一种方法先制作光掩模，利用该光掩模对基板上的抗蚀剂进行曝光固化后，再显影该抗蚀剂来形成抗蚀图形，利用该抗蚀图形对基板上的铜箔进行蚀刻从而形成电路图形。在上述现有的方法中，进行蚀刻时，基板上的铜箔的量依赖抗蚀图形线的密度而变化，存在成品电路图形线的线宽产生偏差的问题。对于此存在根据要形成的电路图形线的密度、预先进行输入数据的补正，来调整光掩模的图形线的方法(例如，专利文献1)。另外，由于抗蚀图形的线宽为规定的线宽以下时会产生过蚀刻，所以也存在一种预先测定产生该过蚀刻的抗蚀图形的图形线的线宽、追加补正线，以加宽规定的线宽以下的抗蚀图形的图形线的线宽的方法(专利文献2)。或者，因反复使用蚀刻液而蚀刻液劣化，为了防止蚀刻的电路图形的线宽不同那样的成品的偏差，也存在一种方法其将测试图形埋入基板的空闲区域(配线以外的区域)，在蚀刻后，图像识别其测试图形来确认蚀刻的量的变化，从而与其对应控制改变新的蚀刻液的供给或喷淋压力(例如，专利文献3)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图形制造系统，其特征在于，包括：曝光部，根据用于形成目标形成图形的加工用图形数据，以规定的曝光量对附着在基板上的被蚀刻材料上的抗蚀剂进行直接描绘曝光；显影部，显影曝光过的上述抗蚀剂来形成抗蚀图形；蚀刻部，蚀刻上述被蚀刻材料构成形成图形；　补正部，根据上述抗蚀图形的形状与目标抗蚀图形的形状的差异、上述形成图形的形状与上述目标形成图形的形状的差异、成为上述差异的主要原因的成分中的任一个或任意的组合，来补正上述加工用图形数据和／或上述规定的曝光量。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：森田清辉，菅沼敦，中谷大辅，泽野充，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]