一种LED晶圆片镀膜方法技术

本发明专利技术涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种LED晶圆片镀膜方法，包括如下步骤：S2：设置镀锅50

【技术实现步骤摘要】
一种LED晶圆片镀膜方法


[0001]本专利技术涉及LED芯片
，具体涉及一种LED晶圆片镀膜方法。

技术介绍

[0002]在LED芯片领域，经常应用真空蒸镀机在晶圆片上蒸镀电极。真空蒸镀是指在真空条件下，使用一定温度加热蒸发镀膜材料(或称膜料)，使之气化，气体粒子飞至晶圆片表面凝聚成膜的工艺方法。
[0003]现有技术中，LED电极的蒸镀技术多为中心蒸镀，即镀源在旋转的镀锅下方，并且镀源在镀锅的旋转轴线上的蒸镀方法。这种方法蒸镀出来的电极侧壁角度较陡(电极的截面近似梯形，且“侧壁角度较陡”意味着梯形的四个角更接近90度)，不利于电极保护层对电极的保护。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种LED晶圆片镀膜方法，解决蒸镀的电极侧壁较陡的问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的一种技术方案为：一种LED晶圆片镀膜方法，包括如下步骤：
[0006]S1：将晶圆片设置在蒸镀机的镀锅上；将镀源设置在镀锅下方；
[0007]S2：水平方向上，设置镀源到镀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED晶圆片镀膜方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：将晶圆片设置在蒸镀机的镀锅上；将镀源设置在镀锅下方；S2：水平方向上，设置镀源到镀锅的公转轴线的距离为镀锅的公转半径的0.3
‑
0.5倍；S3：将镀料放置到镀源上；S4：设置镀源开始蒸镀的同时，设置镀锅公转转速6
‑
10rpm，镀锅绕自身轴线自转，自转速度250
‑
300
°
/S；S5：完成晶圆片的电极蒸镀。2.根据权利要求1所述的LED晶圆片镀膜方法，其特征在于，所述S1具体为：将晶圆片设置在蒸镀机的半径300
‑
360mm的镀锅上；将镀源设置在镀锅下方。3.根据权利要求1所述的LED晶圆片镀膜方法，其特征在于，所述S1具体为：将晶圆片设置在蒸镀机的镀锅上；将镀源设置在镀锅下方；竖直方向上，镀源到镀锅表面中心的距离为600
‑
700mm。4.根据权利要求1所述的LED晶圆片镀膜方法，其特征在于，所述S1具体为：将晶圆片设置在蒸镀机的镀锅上；将镀源设置在镀锅下方；设置镀锅表面与水平面的夹角为...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文浩，林武，尚大可，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：发明
国别省市：