一种晶圆制程良率分析方法、设备及系统技术方案

本申请公开了一种晶圆制程良率分析方法、设备及系统，用以快速确定导致产生缺陷半导体产品的原因，从而可以提高半导体产品良率的提升速度。本申请提供的一种晶圆制程良率分析方法，包括：确定缺陷晶圆批次的至少一种失效类型，并确定每一失效类型对应的多个缺陷半导体产品；针对每一失效类型，利用该失效类型对应的多个缺陷半导体产品的制程历史记录，确定多个缺陷半导体产品的混合制程；其中，所述混合制程包括至少两种制程的组合；并且，根据所述多个缺陷半导体产品的混合制程，生成该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息。型的缺陷半导体产品的产生原因信息。型的缺陷半导体产品的产生原因信息。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆制程良率分析方法、设备及系统


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆制程良率分析方法、设备及系统。

技术介绍

[0002]关于半导体产品的良率问题，需要通过电性失效分析、物性失效分析、相关可能的(risk)制程推断、机台运行历史记录查询等进行良率问题分析确认，一周或者数周、数月才能找到这个问题的关键所在，浪费人力物力和时间成本，并且先进的DRAM制程有上千多道，导致非常耗费时间和人力，严重拖延了半导体产品良率的提升速度。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供了一种晶圆制程良率分析方法、设备及系统，用以快速确定导致产生缺陷半导体产品的原因，从而可以提高半导体产品良率的提升速度。
[0004]本申请实施例提供的一种晶圆制程良率分析方法，包括：
[0005]确定缺陷晶圆批次的至少一种失效类型，并确定每一失效类型对应的多个缺陷半导体产品；
[0006]针对每一失效类型，利用该失效类型对应的多个缺陷半导体产品的制程历史记录，确定多个缺陷半导体产品的混合制程；其中，所述混合制程包括至少两本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆制程良率分析方法，其特征在于，所述方法包括：确定缺陷晶圆批次的至少一种失效类型，并确定每一失效类型对应的多个缺陷半导体产品；针对每一失效类型，利用该失效类型对应的多个缺陷半导体产品的制程历史记录，确定多个缺陷半导体产品的混合制程；其中，所述混合制程包括至少两种制程的组合；并且，根据所述多个缺陷半导体产品的混合制程，生成该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，针对每一失效类型，根据所述多个缺陷半导体产品的混合制程，生成该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息，包括：针对每一失效类型：对于该失效类型下的任一缺陷半导体产品对应的任一混合制程，根据该混合制程中的制程对应的预设权重，确定该混合制程的得分；根据所述多个缺陷半导体产品的多个混合制程的得分，生成该失效类型的缺陷半导体产品的产生原因信息。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当存在不同的缺陷半导体产品对应相同的混合制程时，对于所述不同的缺陷半导体产品所对应的相同的混合制程，确定共同的得分。4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，任一所述缺陷半导体产品的混合制程，包括制备该缺陷半导体产品的连续的第一制程和第二制程，其中，所述第一制程是所述第二制程的前道制程。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，针对每一失效类型，对于该失效类型下的任一缺陷半导体产品对应的任一混合制程，利用该混合制程中的第一制程对应的权重，确定该混合制程的得分。6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据不同的失效类型，和/或，不同类别的制程，预先设置所述权重。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，同一失效类型对应的同一类别的制程的预设权重相同。8.根据权利要求2所述的方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：董孟龙，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：