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本申请公开了一种晶圆制程良率分析方法、设备及系统，用以快速确定导致产生缺陷半导体产品的原因，从而可以提高半导体产品良率的提升速度。本申请提供的一种晶圆制程良率分析方法，包括：确定缺陷晶圆批次的至少一种失效类型，并确定每一失效类型对应的多个缺...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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