【技术实现步骤摘要】
功率放大器及射频电路
[0001]本专利技术涉及射频
，特别是涉及一种功率放大器、射频电路、通信设备。
技术介绍
[0002]5G功率放大器较4G时代功率放大器需要支持更大功率，为达成此目的，目前市场上大部分功率放大器选择的方式为提高供电电压已支持更高发射功率。然而较大的供电电压会造成更高功率放大器本身烧片风险，也会造成系统上供电模块的成本，所以低压操作功率放大器为更优的方式，但低压操作意味着功率放大器需要更低的负载阻抗，一般来说随负载阻抗下降射频性能下降，例如差损上升、带宽变窄。所以越低的负载阻抗设计越困难。
[0003]另外，功率放大器负载阻抗常使用阻抗转换器为匹配组件，其优势为大阻抗转换比、低差损、宽带等。即便阻抗传换器有许多优势，一般支持功率等级2(PC2)的功率放大器，采用阻抗转换器设计，也需要操作在较高供电电压。然而在更大的功率等级，例如功率等级1.5(PC1.5)，或者在不允许高供电电压的系统中，传统阻抗转换器也显得不足。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于，提供一种功...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种功率放大器，其特征在于，包括：电容C3，C4，所述电容C3的两端分别连接电感L5和L6，所述电容C4的两端分别连接电感L3和L4，电感L5和L3的连接节点以及电感L6和L4的连接节点分别连接至阻抗转换器的输入端。2.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述电容C3的两端还连接放大器负载。3.根据权利要求2所述的功率放大器，其特征在于，所述电容C3和C4为寄生电容。4.根据权利要求1或3所述的功率放大器，其特征在于，所述电容C3的第一极板、第二极板，所述电容C4的第一极板、第二极板位于同一层。5.根据权利要求4所述的功率放大器，其特征在于，所述电容C3的第一极板靠近所述电容C4的第一极板，所述电...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦志，
申请(专利权)人：芯朴科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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