一种高效率摆率增强型全差分运算跨导放大器制造技术

本发明专利技术属于模拟集成电路技术领域，具体涉及一种高效率摆率增强型全差分运算跨导放大器。本发明专利技术电路包括输入信号跟随电路、交流信号耦合电路及运算跨导放大器主体电路。所述输入信号跟随电路通过添加局部负反馈，有效降低输出阻抗，保证输入信号在负载电流变化较大情况下的有效跟随。所述交流信号耦合电路采用互补的栅源短接MOS管结构，确保在内部结点摆幅较大的情况下仍具备高阻抗，从而实现良好的交流耦合特性，提升电流利用率及小信号性能。所述运算跨导放大器主体电路采用跟随电路使得输入管栅源之间的信号幅值扩大，并且在大信号情况下使得电流

【技术实现步骤摘要】
一种高效率摆率增强型全差分运算跨导放大器


[0001]本专利技术属于模拟集成电路
，具体涉及一种高效率摆率增强型全差分运算跨导放大器。

技术介绍

[0002]全差分运算跨导放大器是各类模拟电路的核心模块，被广泛应用于数据转换、基准产生、图像传感等诸多场景中。全差分运算跨导放大器主要功能是完成电压到电流的转换，并且可以通过添加外部反馈作为缓冲模块/增益模块使用。
[0003]全差分运算跨导放大器的效率(FOM)很大程度上决定整个模拟芯片的功耗，其小信号特性和压摆率共同决定基于放大器的模拟电路的建立速度，进而决定模拟芯片的高频特性。
[0004]传统全差分运算跨导放大器如图1所示，它的原理是通过两级放大产生较高的增益，第一级放大主要通过输入对管将电压信号转为电流信号，并在负载上还原为放大后的电压信号；第二级放大主要通过共源结构实现大摆幅的电压放大。但是传统的结构由于采用了固定的尾电流源，其压摆率被严重限制，导致大信号速度不理想，从而使得整体建立时间缓慢，无法满足高速应用。除此之外，由于输出端的固定电流偏置结构电流利用率不高，使本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高效率摆率增强型全差分运算跨导放大器，其特征在于，包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5、第六NMOS管M6、第七NMOS管M7、第八NMOS管M8、第九PMOS管M9、第十PMOS管M10、第十一PMOS管M11、第十二PMOS管M12、第十三PMOS管M13、第十四PMOS管M14、第十五NMOS管M15、第十六NMOS管M16、第十七NMOS管M17、第十八PMOS管M18、第十九PMOS管M19、第二十NMOS管M20、第二十一NMOS管M21、第二十二NMOS管M22、第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1、第二电容C2、第一电流源I1、第二电流源I2、第三电流源I3和第四电流源I4；所述第一NMOS管M1的栅极连接第三NMOS管M3的栅极；所述第二NMOS管M2的栅极连接第四NMOS管M4的栅极；所述第五NMOS管M5的栅极连接第三NMOS管M3的漏极和第一电流源I1的负端；所述第六NMOS管M6的栅极连接第四NMOS管M4的漏极和第二电流源I2的负端；所述第七NMOS管M7的栅极连接第五NMOS管M5的源极和第三电流源I3的正端；所述第八NMOS管M8的栅极连接第六NMOS管M6的源极和第四电流源I4的正端；所述第九PMOS管M9的栅极连接第二NMOS管M2的漏极、第十PMOS管M10的漏极、第十二PMOS管M12的漏极、第十四PMOS管M14的栅极、第二电容C2的一端和第二电阻R2的一端；所述第十PMOS管M10的栅极连接第一NMOS管M1的漏极、第九PMOS管M9的漏极、第十一PMOS管M11的漏极、第十三PMOS管M13的栅极、第一电容C1一端和第一电阻R1的一端；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐鹤，张威，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：