【技术实现步骤摘要】
电子装置
[0001]本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种电子装置。
技术介绍
[0002]部件(component)的小型化、集成电路(integrated circuit,IC)的更高封装密度、更高的性能和更低的成本是计算器行业的持续目标。为了支持具有更高功能和更好性能的电子装置,越来越多的信号焊球(signal ball)被集成到一个单个芯片封装中,这导致了整体封装尺寸的增加。
[0003]PCB设计师面临同样的问题。如本领域已知的,PCB是在表面上具有接合焊盘以固定电路元件的平面结构。PCB的扁平结构对电子装置的形状施加了限制。
技术实现思路
[0004]有鉴于此,本专利技术提供一种电子装置,电子装置具有堆叠印刷电路板(PCB),以解决上述问题。
[0005]根据本专利技术的第一方面,公开一种电子装置,包括:
[0006]主印刷电路板(PCB)组件,包括底部PCB和安装在该底部PCB的上表面上的半导体封装,其中该半导体封装包括基板和安装在该基板的上表面上的半导体晶粒,其中 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电子装置,其特征在于,包括:主印刷电路板(PCB)组件,包括底部PCB和安装在该底部PCB的上表面上的半导体封装,其中该半导体封装包括基板和安装在该基板的上表面上的半导体晶粒,其中该半导体晶粒和该基板的该上表面由模塑料封装;以及顶部PCB,通过第一连接元件安装在该半导体封装上。2.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该半导体晶粒包括倒装芯片晶粒、引线接合晶粒或扇出晶粒。3.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该半导体晶粒具有有源表面和耦接到该基板的该上表面的后表面,其中该半导体晶粒包括硅通孔。4.如权利要求3所述的电子装置,其特征在于,还包括:中间重分布层(RDL)结构,设置在该半导体晶粒和该顶部PCB之间,其中该半导体晶粒的该有源表面通过第二连接元件直接连接到该中间RDL结构,其中该中间RDL结构包括介电层和互连结构。5.如权利要求4所述的电子装置,其特征在于,还包括:存储器部件,安装在该中间RDL结构上并通过该中间RDL结构的该互连结构和该半导体晶粒的该硅通孔电连接到该基板。6.如权利要求5所述的电子装置,其特征在于,还包括:散热器,安装在该存储器部件周围的该中间RDL结构上。7.如权利要求5所述的电子装置,其特征在于,该存储器部件是高带宽存储器(HBM),包括彼此堆叠的动态随机存取存储器(DRAM)晶粒,该DRAM晶粒通过硅通孔垂直互连。8.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,还包括:穿模通孔(TMV),设置在该模塑料中,其中该TMV穿透该模塑料的整个厚度,从而在该半导体封装的上表面上形成端子。9.如权利要求8所述的电子装置,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨亚伦,吴文洲,郭哲宏,
申请(专利权)人:联发科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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