肖特基器件的半导体结构制造技术

提供了肖特基器件的半导体结构。N型阱区和P型阱区形成在P型半导体衬底上方。第一有效区形成在P型阱区上方，并且包括多个第一鳍。第二有效区形成在N型阱区上方，并且包括多个第二鳍。第三有效区形成在N型阱区上方，并且包括多个第三鳍。多个电极形成在第三有效区上方。电极、第一源/漏部件和第二源/漏部件形成在同一水平面。电极形成肖特基BJT的发射极区，N型阱区形成肖特基BJT的基极区，P型半导体衬底形成肖特基BJT的集电极区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及肖特基器件，具体涉及肖特基双极结型晶体管(bjt)和肖特基器件。

技术介绍

1、可以使用cmos兼容处理形成的双极结型晶体管(bjt)是诸如带隙电压参考电路的模拟集成电路的关键部分。这些电路通常对bjt的vbe(基极-发射极电压)值和vbe失配非常敏感。

2、此外，由于肖特基bjt和肖特基二极管具有导电载流子较多和正向偏压下导通电压低的优点，因此被广泛用于提高集成电路(ic)中的功率传输效率。

技术实现思路

1、本专利技术实施例提供一种半导体结构。n型阱区形成在p型半导体衬底上方。第一p型阱区形成在p型半导体衬底上方。第一有效区形成在第一p型阱区上方，并且包括沿第一方向延伸的多个第一鳍以及外延生长在第一鳍上的多个第一源/漏部件。第二有效区形成在n型阱区上方，并且包括沿第一方向延伸的多个第二鳍以及外延生长在第二鳍上的多个第二源/漏部件。第三有效区形成在n型阱区上方，并且包括沿第一方向延伸的多个第三鳍。多个电极形成在第三有效区上方，并且各个电极在第二方向上延伸以接触第三鳍。第二方向垂直于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，所述半导体结构包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第三有效区没有外延生长在所述第三鳍上的源/漏部件。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述电极包括Ti、Co、W或Ni。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一源/漏部件包括具有P型导电性的外延生长材料，并且所述第二源/漏部件包括具有N型导电性的外延生长材料。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，在所述第一方向上，所述第一有效区、所述第二有效区和所述第三有效区具有相同的宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，所述半导体结构包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第三有效区没有外延生长在所述第三鳍上的源/漏部件。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述电极包括ti、co、w或ni。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一源/漏部件包括具有p型导电性的外延生长材料，并且所述第二源/漏部件包括具有n型导电性的外延生长材料。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，在所述第一方向上，所述第一有效区、所述第二有效区和所述第三有效区具有相同的宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，在所述第二方向上，所述第一有效区和所述第二有效区比所述第三有效区短。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第三鳍的数目大于所述第一鳍的数目和所述第二鳍的数目。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第三鳍的数目等于所述第一鳍和所述第二鳍的数目之和。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，所述半导体结构还包括：

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述第四鳍的数目等于所述第二鳍的数目，所述第三源/漏部件包括具有n型导电性的外延生长材料，并且所述第三源/漏部件与所述第二源/漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱士权，胡嘉欣，曾峥，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：