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肖特基器件的半导体结构制造技术
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下载肖特基器件的半导体结构的技术资料
文档序号:41537028
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提供了肖特基器件的半导体结构。N型阱区和P型阱区形成在P型半导体衬底上方。第一有效区形成在P型阱区上方,并且包括多个第一鳍。第二有效区形成在N型阱区上方,并且包括多个第二鳍。第三有效区形成在N型阱区上方,并且包括多个第三鳍。多个电极形成在第...
该专利属于联发科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联发科技股份有限公司授权不得商用。
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