【技术实现步骤摘要】
存储装置及其数据保护处理性能优化方法
[0001]本专利技术涉及数据存储
,特别是涉及一种存储装置及其数据保护处理性能优化方法。
技术介绍
[0002]存储器在进行数据读取过程中可能产生纠错码(Error checking code,ECC)。此时,通常需要利用厂家提供的试错表(retry table)对ECC进行纠正。由于存储器在执行数据纠正时采用逐条查询retry table的方式,在执行试错的次数越多时,存储器对写命令的延迟时间越长,导致存储器的数据处理速度就会变得异常缓慢。
技术实现思路
[0003]鉴于上述状况,本专利技术提供一种存储装置及其数据保护处理性能优化方法,旨在解决现有技术中在对错误数据进行纠错时存储器的数据处理速度缓慢的问题。
[0004]本专利技术提供了一种存储装置,包括存储器及控制器;所述控制器可基于外部装置的请求来读取所述存储器内存储的数据,所述控制器用于检测并校正所述控制器从所述存储器中读取的错误数据;所述控制器包括:
[0005]第一检测模块,用于对从所述 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储装置,包括存储器及控制器;所述控制器可基于外部装置的请求来读取所述存储器内存储的数据,所述控制器用于检测并校正所述控制器从所述存储器中读取的错误数据;其特征在于,所述控制器包括:检测模块,用于判断数据纠错是否失败;重读模块,用于采用可动态调整的优选检测表中的参数对所述存储器执行重读操作;调整模块,用于根据重读次数动态调整所述优选检测表中的参数;其中,所述检测模块检测在采用所述优选检测表中的参数执行所述重读操作后所述数据纠错是否失败;在采用所述优选检测表中的参数执行所述重读操作且所述数据纠错成功时,所述重读操作结束;在采用所述优选检测表中的参数执行所述重读操作且所述数据纠错失败时,所述重读模块采用常规检测表中的参数对所述存储器执行所述重读操作;所述检测模块检测在采用所述常规检测表中的参数执行所述重读操作后所述数据纠错是否失败;在采用所述常规检测表中的参数执行所述重试操作且所述数据纠错成功时,所述重读操作结束;在采用所述常规检测表中的参数执行所述重读操作且所述数据纠错失败时,所述检测模块识别所述存储器存在不可纠正的错误。2.如权利要求1所述的存储装置,其特征在于,所述控制器还包括:第三检测模块,用于在所述数据纠错成功时判断所述重试次数是否大于零;以及调整模块,用于在所述重试次数大于零时根据所述设置特征命令更新所述优选检测表,并将所述重试次数清零。3.如权利要求2所述的存储装置,其特征在于,所述调整模块将当前所述有效索引调整至所述优选检测表内的指定位置。4.如权利要求1所述的存储装置,其特征在于,所述常规检测表包括所述优选检测表以及未包含在所述优选检测表内的多个检测参数。5.如权利要求1所述的存储装置,其特征在于,所述有效索引为所述检测参数对应的数据地址与所述错误数据对应的数据地址一致。6.一种存储装置的数据保护处理性能优化方法,所述存储装置包括存储器及控制器;所述控制器可基于外部装置的请求读取所述存储器内存储的数据;所述控制器用于...
【专利技术属性】
技术研发人员:魏益新,
申请(专利权)人:中山市江波龙电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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