半导体封装件及其制造方法技术

公开了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：再分布基板，所述再分布基板包括有机电介质层和位于所述有机电介质层中的金属图案；以及半导体芯片，所述半导体芯片位于所述再分布基板上。所述有机电介质层在第一波长范围下具有等于或大于大约0.04的最大吸光度，并且在所述第一波长范围下具有等于或大于大约4

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年10月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0135300的优先权，其公开内容通过引用的方式整体并入本文。


[0003]实施例涉及一种半导体封装件，更具体地，涉及一种包括再分布基板的半导体封装件及其制造方法。

技术介绍

[0004]提供半导体封装件以实现用在电子产品中的集成电路芯片。半导体封装件可以被配置为使得半导体芯片安装在印刷电路板上，并且接合线或凸块用于将半导体芯片电连接到印刷电路板。随着电子工业的发展，为了提高半导体封装件的可靠性和耐久性，已经进行了各种研究。

技术实现思路

[0005]根据实施例，一种半导体封装件可以包括：再分布基板，所述再分布基板包括有机电介质层和位于所述有机电介质层中的金属图案；以及半导体芯片，所述半导体芯片位于所述再分布基板上。所述有机电介质层可以在第一波长范围下具有等于或大于大约0.04的最大吸光度，并且在所述第一波长范围下具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：再分布基板，所述再分布基板包括有机电介质层和位于所述有机电介质层中的金属图案；以及半导体芯片，所述半导体芯片位于所述再分布基板上，其中，所述有机电介质层在第一波长范围下具有等于或大于0.04a.u.的最大吸光度，并且在所述第一波长范围下具有等于或大于4
×
103a.u.的荧光强度，其中，所述第一波长范围为450nm至650nm。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述有机电介质层在所述第一波长范围的吸光度下具有等于或大于13a.u.的积分强度。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述有机电介质层的所述荧光强度等于或大于1.0
×
106a.u.。4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述有机电介质层的吸光度等于或大于0.5a.u.。5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述有机电介质层在所述第一波长范围的吸光度下具有等于或大于40a.u.的积分强度。6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述荧光强度是对于第二波长的激发波长的在所述第一波长范围下的所述荧光强度的最大值。7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，所述第二波长小于所述第一波长范围。8.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，所述第二波长为400nm至410nm。9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述有机电介质层包括基体树脂、交联剂、弹性体和光活性化合物。10.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括位于所述再分布基板的顶表面上的模制层，所述模制层覆盖所述半导体芯片的侧壁，其中，所述有机电介质层延伸到所述模制层的底表面上。11.根据权利要求10所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括导电结构，所述导电结构位于所述再分布基板上并且与所述半导体芯片横向地间隔开，其中，所述模制层还覆盖所述导电结构的侧壁。12.根据权利要求11所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括上再分布基板，所述上再分布基板位于所述模制层和所述导电结构上，所述上再分布基板电连接到所述导电结构。13.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括位于所述再分布基板上的连接基板，所述连接基板具有贯穿所述连接基板的孔，其中，所述半导体芯片位于所述连接基板的所述孔中。14.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：再分布基板，所述再分布基板包括电介质层和位于所述电介质层中的金属图案；多个焊料球，所述多个焊料球位于所述再分布基板的底表面上；以及半导体芯片，所述半导体芯片位于所述再分布基板的顶表面上，其中，所述电介质层在第一波长范围下的吸光度函数的定积分值等于或大于13a.u.，并且在所述第一波长范围下的荧光强度等于或大于4
×
103a.u.，
其中，所述电介质层满足选自第一荧光条件和第一吸光度条件中的至少一者，其中，所述第一荧光条件包括所述荧光强度等于或大于1.0<...

【专利技术属性】
技术研发人员：金真渶，金基石，尹玉善，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：