封装基板以及包括该封装基板的半导体封装制造技术

技术编号:37248034 阅读:10 留言:0更新日期:2023-04-20 23:27
本公开提供了封装基板以及包括该封装基板的半导体封装。该封装基板包括:电介质层;在电介质层上的导电焊盘和布线图案;在电介质层上的保护层,该保护层覆盖布线图案;以及在电介质层和保护层的相对表面之间的底切区域,该底切区域暴露布线图案的侧壁,并且底切区域的宽度小于布线图案的宽度。宽度小于布线图案的宽度。宽度小于布线图案的宽度。

【技术实现步骤摘要】
封装基板以及包括该封装基板的半导体封装


[0001]实施方式涉及封装基板以及包括该封装基板的半导体封装。

技术介绍

[0002]在最近的电子产品市场中,对便携式设备的需求持续增长,因此,已经要求减小安装在便携式设备上的电子部件的尺寸和重量。随着对电子产品的优异性能、高速度和紧凑性的要求,其上安装有半导体封装的封装基板需要精细的电路、优异的电性能、优异的可靠性、高速度传输结构和良好的性能。

技术实现思路

[0003]根据一些实施方式,一种封装基板可以包括:电介质层;在电介质层上的导电焊盘和布线图案;在电介质层上的保护层,该保护层覆盖布线图案;以及在电介质层的顶表面和保护层的底表面之间的底切区域,该底切区域暴露布线图案的侧壁。底切区域的宽度可以小于布线图案的宽度。
[0004]根据一些实施方式,一种封装基板可以包括:电介质层;在电介质层的底表面上的下导电焊盘和下布线图案;在电介质层的顶表面上的上导电焊盘和上布线图案;在电介质层的底表面上的下保护层,该下保护层覆盖下布线图案并具有暴露电介质层的底表面的一部分的第一开口;在电介质层的顶表面上的上保护层,该上保护层覆盖上布线图案并具有暴露电介质层的顶表面的一部分的第二开口;在电介质层和下保护层之间的下底切区域,该下底切区域从第一开口延伸以暴露下布线图案的侧壁;以及在电介质层和上保护层之间的上底切区域,该上底切区域从第二开口延伸以暴露上布线图案的侧壁。下底切区域的宽度可以小于下布线图案的宽度。
[0005]根据一些实施方式,一种半导体封装可以包括:具有彼此相反的顶表面和底表面的封装基板;安装在封装基板的顶表面上的半导体芯片;在封装基板上的模制层,该模制层覆盖半导体芯片;以及在封装基板的底表面上的多个外部接合端子。该封装基板可以包括:电介质层;在电介质层的底表面上的多个下导电焊盘和多个下布线图案;在电介质层的顶表面上的多个上导电焊盘和多个上布线图案;在下导电焊盘的表面上的多个下镀覆图案;在上导电焊盘的表面上的多个上镀覆图案;在电介质层的底表面上的下保护层,该下保护层覆盖下布线图案并具有暴露电介质层的底表面的一部分的第一开口;在电介质层的顶表面上的上保护层,该上保护层覆盖上布线图案并具有暴露电介质层的顶表面的一部分的第二开口;在电介质层和下保护层之间的多个下底切区域,该下底切区域从第一开口延伸以暴露下布线图案的侧壁;以及在电介质层和上保护层之间的多个上底切区域,该上底切区域从第二开口延伸以暴露上布线图案的侧壁。每个下底切区域的宽度可以小于每个下布线图案的宽度。每个上底切区域的宽度可以小于每个上布线图案的宽度。
附图说明
[0006]通过参照附图详细描述示范性实施方式,特征将对于本领域技术人员变得明显,附图中:
[0007]图1示出流程图,示出根据一些实施方式的制造封装基板的方法。
[0008]图2示出平面图,示出根据一些实施方式的用于形成封装基板的布线基板。
[0009]图3A至图3F示出根据一些实施方式的在制造封装基板的方法中的多个阶段的剖视图。
[0010]图4示出放大图,示出图2中的部分P1。
[0011]图5示出放大图,示出图2中的部分P2。
[0012]图6示出放大图,示出图5中的部分P3。
[0013]图7A至图7D示出图6中绘出的部分P4的放大图,示出根据一些实施方式的封装基板。
[0014]图8示出剖视图,示出根据一些实施方式的包括封装基板的半导体封装。
[0015]图9示出放大图,示出图8的部分A1。
[0016]图10A和图10B示出平面图,示出根据一些实施方式的包括封装基板的半导体封装的顶表面和底表面。
[0017]图11示出放大图,示出图10B的部分A2。
[0018]图12示出放大图,示出图11的部分A3。
[0019]图13示出沿着图12的线A

A'、B

B'和C

C'的剖视图。
[0020]图14A至图14D示出显示图12的部分A3的放大平面图,示出根据一些实施方式的封装基板。
具体实施方式
[0021]在下文将结合附图讨论根据一些实施方式的制造封装基板的方法、封装基板以及半导体封装。
[0022]图1示出根据一些实施方式的制造封装基板的方法的流程图。图2示出根据一些实施方式的用于形成封装基板的布线基板的平面图。图3A至图3F示出沿着图2的线I

I

的剖视图,示出根据一些实施方式的制造封装基板的方法中的多个阶段。图4示出图2的部分P1的放大图。图5示出图2的部分P2的放大图。图6示出图5的部分P3的放大图。
[0023]参照图1、图2和图3A,可以在布线基板10中形成内部电路图案113a和113b(S10)。
[0024]布线基板10可以包括多个单元区域10U、围绕每个单元区域10U(例如其整个周边)的锯切区域SL以及围绕单元区域10U和锯切区域SL(例如它们的组合的整个周边)的边缘区域ER。
[0025]单元区域10U可以在第一方向D1和/或第二方向D2上彼此间隔开。例如,单元区域10U可以沿着平行于第一方向D1的行并沿着平行于第二方向D2的列排列,例如排列为矩阵图案。第一方向D1可以平行于电介质层110的底表面。第二方向D2可以与第一方向D1交叉,同时平行于电介质层110的底表面。每个单元区域10U可以是用作半导体封装基板的区域。
[0026]例如,锯切区域SL可以围绕每个单元区域10U。例如,锯切区域SL可以包括在第一方向D1上延伸的第一锯切区域SL1,并且还可以包括在第二方向D2上延伸以横跨第一锯切
区域SL1的第二锯切区域SL2。第一锯切区域SL1可以在第二方向D2上彼此间隔开,第二锯切区域SL2可以在第一方向D1上彼此间隔开。锯切区域SL的一部分可以设置在单元区域10U之间。锯切区域SL可以是将在随后的锯切工艺(例如将单元区域10U切单)中被去除的区域。
[0027]内部电路图案113a和113b可以在每个单元区域10U上形成在电介质层110之间。例如,参照图3A,三个电介质层110可以沿着第三方向D3堆叠,内部电路图案113a和113b在堆叠的电介质层110之间。第三方向D3可以是垂直方向,即垂直于由第一方向D1和第二方向D2限定的平面的方向。
[0028]每个电介质层110可以具有彼此相反的顶表面和底表面,并可以包括单个或多个电介质层。电介质层110可以由电介质材料(例如树脂)形成,并可以具有薄板形状。电介质层110的树脂可以是例如热固性树脂、热塑性树脂或任何其它合适的材料。例如,电介质层110可以是环氧树脂或聚酰亚胺。环氧树脂可以是例如萘环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、酚醛环氧树脂、甲酚酚醛环氧树脂、橡胶改性树脂、环状脂肪族环氧树脂、硅酮环氧树脂、氮环氧树脂或磷环氧树脂。替代地,电介质层110可以包括预浸料、味之素积层膜本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装基板,包括:电介质层;在所述电介质层上的导电焊盘和布线图案;在所述电介质层上的保护层,所述保护层覆盖所述布线图案;以及在所述电介质层和所述保护层的相对表面之间的底切区域,所述底切区域暴露所述布线图案的侧壁,并且所述底切区域的宽度小于所述布线图案的宽度。2.根据权利要求1所述的封装基板,其中:所述保护层具有暴露所述电介质层的一部分的第一开口,以及所述底切区域连接到所述第一开口。3.根据权利要求1所述的封装基板,其中所述底切区域的所述宽度随着距所述布线图案的距离增大而减小。4.根据权利要求1所述的封装基板,其中所述保护层的面对所述底切区域的部分具有圆化的侧壁。5.根据权利要求1所述的封装基板,其中:所述布线图案具有与所述导电焊盘相同的厚度,以及所述布线图案包括与所述导电焊盘相同的材料。6.根据权利要求1所述的封装基板,其中所述底切区域的所述宽度是所述布线图案的所述宽度的0.2倍至0.7倍。7.根据权利要求1所述的封装基板,其中所述布线图案的所述宽度在15μm至25μm的范围内。8.根据权利要求1所述的封装基板,还包括在所述导电焊盘上的镀覆图案,所述保护层具有暴露所述导电焊盘上的所述镀覆图案的第二开口。9.根据权利要求8所述的封装基板,其中所述镀覆图案包括与所述导电焊盘的金属材料不同的金属材料。10.一种封装基板,包括:电介质层;在所述电介质层的底表面上的下导电焊盘和下布线图案;在所述电介质层的顶表面上的上导电焊盘和上布线图案;在所述电介质层的所述底表面上的下保护层,所述下保护层覆盖所述下布线图案并具有暴露所述电介质层的所述底表面的一部分的第一开口;在所述电介质层的所述顶表面上的上保护层,所述上保护层覆盖所述上布线图案并具有暴露所述电介质层的所述顶表面的一部分的第二开口;在所述电介质层和所述下保护层之间的下底切区域,所述下底切区域从所述第一开口延伸以暴露所述下布线图案的侧壁,所述下底切区域的宽度小于所述下布线图案的宽度;以及在所述电介质层和所述上保护层之间的上底切区域,所述上底切区域从所述第二开口延伸以暴露所述上布线图案的侧壁。11.根据权利要求10所述的封装基板,其中所述上底切区域的宽度小于所述上布线图案的宽度。
12.根据权利要求10所述的封装基板,其中所述下底切区域的所述宽...

【专利技术属性】
技术研发人员:金承玟
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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