双面整流器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种双面整流器，包括：上下覆铜基板，上覆铜基板中第一基板的一端设置有第一和第二引脚，另一端设置有第三和第四引脚，下覆铜基板中第二基板的一端设置有第五和第六引脚，另一端设置有第七和第八引脚，第一和第二基板的一端设置在同一侧，第一和第二基板的另一端设置在同一侧，第一引脚、第二引脚、第五引脚和第六引脚与交流电压端口相连，第三引脚和第七引脚与直流电压端口的负极相连，第四引脚和第八引脚与直流电压端口的正极相连；第一至第四二极管芯片，第一至第四二极管芯片的一端分别与第一基板相连，第一至第四二极管芯片的另一端分别与第二基板相连。将上下表面翻转使用，即可实现输出正负极调换的目的，成本低。成本低。成本低。

【技术实现步骤摘要】
双面整流器


[0001]本技术涉及半导体器件
，具体涉及一种双面整流器。

技术介绍

[0002]相关技术中，桥式整流器普遍采用相同引脚定义的封装方式，如果需要正负脚相反的器件，需要重新开发新的封装，因此，成本高。

技术实现思路

[0003]本技术为解决上述技术问题，提供了一种双面整流器，将上下表面翻转使用，即可实现输出正负极调换的目的，简单方便，并且能够大大降低成本。
[0004]本技术采用的技术方案如下：
[0005]一种双面整流器，包括：上覆铜基板和下覆铜基板，其中，所述上覆铜基板包括第一基板和第一覆铜，所述下覆铜基板包括第二基板和第二覆铜，其中，所述第一基板的一端设置有第一引脚和第二引脚，所述第一基板的另一端设置有第三引脚和第四引脚，所述第二基板的一端设置有第五引脚和第六引脚，所述第二基板的另一端设置有第七引脚和第八引脚，所述第一基板的一端和所述第二基板的一端设置在同一侧，所述第一基板的另一端和所述第二基板的另一端设置在同一侧，所述第一引脚和所述第五引脚、所述第二引脚和所述第六引脚、所述第三引脚和所述第七引脚以及所述第四引脚和所述第八引脚分别通过沉铜相连，其中，所述第一引脚、所述第二引脚、所述第五引脚和所述第六引脚与交流电压端口相连，所述第三引脚和所述第七引脚与直流电压端口的负极相连，所述第四引脚和所述第八引脚与所述直流电压端口的正极相连；第一至第四二极管芯片，所述第一至第四二极管芯片的一端通过所述第一覆铜及沉铜分别与各自对应的引脚相连，所述第一至第四二极管芯片的另一端通过所述第二覆铜及沉铜分别与各自对应的引脚相连。
[0006]具体地，所述第一二极管芯片和所述第二二极管芯片的一端为负极，所述第一二极管芯片和所述第二二极管芯片的另一端为正极，所述第三二极管芯片和所述第四二极管芯片的一端为正极，所述第三二极管芯片和所述第四二极管芯片的另一端为负极，其中，所述第一二极管芯片和所述第二二极管芯片的另一端均与所述第三引脚和所述第七引脚相连，所述第三二极管芯片和所述第四二极管芯片的另一端均与所述第四引脚和所述第八引脚相连，所述第一二极管芯片的一端和所述第三二极管芯片的一端均与所述第二引脚和所述第六引脚相连，所述第二二极管芯片和所述第四二极管芯片的一端均与所述第一引脚和所述第五引脚相连。
[0007]具体地，所述第一至第四二极管芯片的一端为负极，所述第一至第四二极管芯片的另一端为正极，其中，所述第一二极管芯片和所述第二二极管芯片的另一端均与所述第三引脚和所述第七引脚相连，所述第三二极管芯片和所述第四二极管芯片的一端均与所述第四引脚和所述第八引脚相连，所述第二二极管芯片的一端和所述第四二极管芯片的另一端均与所述第二引脚和所述第六引脚相连，所述第一二极管芯片的一端和所述第三二极管
的另一端均与所述第一引脚和所述第五引脚相连。
[0008]本技术的有益效果：
[0009]本技术将上下表面翻转使用，即可实现输出正负极调换的目的，简单方便，并且能够大大降低成本。
附图说明
[0010]图1为本技术实施例的双面整流器的爆炸图；
[0011]图2a为本技术一个实施例的第一覆铜在第一基板下表面的分布图；
[0012]图2b为本技术一个实施例的第一覆铜在第一基板上表面的分布图；
[0013]图3为本技术一个实施例的双面整流器的成品图；
[0014]图4为本技术一个实施例的双面整流器的爆炸图。
具体实施方式
[0015]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0016]图1是根据本技术实施例的双面整流器的结构示意图。
[0017]如图1所示，本技术实施例的双面整流器可包括：上覆铜基板100、下覆铜基板200以及第一至第四二极管芯片300～600。
[0018]其中，上覆铜基板100包括第一基板110和第一覆铜120，下覆铜基板200可包括第二基板210和第二覆铜220，其中，第一基板110的一端设置有第一引脚a和第二引脚b，第一基板110的另一端设置有第三引脚c和第四引脚d，第二基板210的一端设置有第五引脚e和第六引脚f，第二基板210的另一端设置有第七引脚g和第八引脚h，第一基板110的一端和第二基板210的一端设置在同一侧，第一基板110的另一端和第二基板210的另一端设置在同一侧，第一引脚a和第五引脚e、第二引脚b和第六引脚f、第三引脚c和第七引脚g以及第四引脚d和第八引脚h分别通过沉铜(金属壁)相连，其中，第一引脚a、第二引脚b、第五引脚e和第六引脚f与交流电压端口相连，第三引脚c和第七引脚g与直流电压端口的负极相连，第四引脚d和第八引脚h与直流电压端口的正极相连；第一至第四二极管芯片300～600的一端通过第一覆铜120及沉铜分别与各自对应的引脚相连，第一至第四二极管芯片300～600的另一端通过第二覆铜220及沉铜分别与各自对应的引脚相连。
[0019]第一覆铜120在第一基板110下表面的分布图可如图2a所示，其中，如图2b所示，可在第一基板110上表面的相应位置处设置第三覆铜，以形成相应的引脚，即第一引脚a、第二引脚b、第三引脚c和第四引脚d。类似的，可在第二基板210下表面的相应位置处设置第四覆铜形成相应的引脚，即第五引脚e、第六引脚f、第七引脚g和第八引脚h。
[0020]需要说明的是，第一基板110和第二基板210之间的空隙可填充满环氧塑封料，其所组成的双面整流器的成品图如图3所示。
[0021]在本技术的一个实施例中，如图1所示，第一二极管芯片300和第二二极管芯片400的一端为负极，第一二极管芯片300和第二二极管芯片400的另一端为正极，第三二极
可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0028]在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必针对相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双面整流器，其特征在于，包括：上覆铜基板和下覆铜基板，其中，所述上覆铜基板包括第一基板和第一覆铜，所述下覆铜基板包括第二基板和第二覆铜，其中，所述第一基板的一端设置有第一引脚和第二引脚，所述第一基板的另一端设置有第三引脚和第四引脚，所述第二基板的一端设置有第五引脚和第六引脚，所述第二基板的另一端设置有第七引脚和第八引脚，所述第一基板的一端和所述第二基板的一端设置在同一侧，所述第一基板的另一端和所述第二基板的另一端设置在同一侧，所述第一引脚和所述第五引脚、所述第二引脚和所述第六引脚、所述第三引脚和所述第七引脚以及所述第四引脚和所述第八引脚分别通过沉铜相连，其中，所述第一引脚、所述第二引脚、所述第五引脚和所述第六引脚与交流电压端口相连，所述第三引脚和所述第七引脚与直流电压端口的负极相连，所述第四引脚和所述第八引脚与所述直流电压端口的正极相连；第一至第四二极管芯片，所述第一至第四二极管芯片的一端通过所述第一覆铜及沉铜分别与各自对应的引脚相连，所述第一至第四二极管芯片的另一端通过所述第二覆铜及沉铜分别与各自对应的引脚相连。2.根据权利要求1所述的双面整流器，其特征在于，所述第一二极管芯片和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄建军，
申请(专利权)人：常州银河世纪微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：