LED芯片组件及其制备方法、转移方法及显示面板技术

本发明专利技术涉及一种LED芯片组件及其制备方法、转移方法及显示面板。因为在将LED芯片自承载基板转移到转移基板的过程中，先通过设置并刻蚀牺牲层形成了多个柱状的凹槽，然后在凹槽内设置键合材料形成了包括键合柱的键合件，利用键合柱与LED芯片的外延层连接，并将键合件与转移基板结合，这样就实现了LED芯片与转移基板的可靠连接。剥离承载基板将LED芯片转移到转移基板以后，去除牺牲层，使得LED芯片仅通过键合柱连接在转移基板上，在这种情况下，若要从转移基板上拾取LED芯片，只需要让基于键合柱实现的LED芯片与转移基板间的连接被破坏即可让LED芯片轻松迅速地脱离转移基板，提升了LED芯片在转移基板与转移头间的转移效率与转移良率。转移良率。转移良率。

【技术实现步骤摘要】
LED芯片组件及其制备方法、转移方法及显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种LED芯片组件及其制备方法、转移方法及显示面板。

技术介绍

[0002]LED芯片在晶圆上制备完成以后，通常需要通过两次甚至两次以上的转移才能被键合到驱动背板上实现显示面板的制备，在转移LED芯片的过程中，不仅需要将LED芯片与该LED芯片的受方承载体结合，同时还需要让LED芯片与其供方承载体分离，但目前的LED芯片转移方案中，要么存在LED芯片与受方承载体结合不可靠的问题，要么存在LED芯片与供方承载体难以分离，导致LED芯片转移效率与良率不高。
[0003]因此，如何提升LED芯片的转移效率与转移良率是目前亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种LED芯片组件及其制备方法、转移方法及显示面板，旨在解决相关技术中对LED芯片的转移方案存在LED芯片与受方承载体结合不可靠或LED芯片与供方承载体难以分离的问题。
[0005]本专利技术提供一种LED芯片组件制备方法，包括：
[0006]提供一带有多颗LED芯片的承载基板；
[0007]在承载基板设有LED芯片的一面形成牺牲层，LED芯片没于牺牲层中；
[0008]自牺牲层远离承载基板的一面对牺牲层进行刻蚀以形成多个柱状的凹槽，凹槽以LED芯片的外延层表面作为槽底面；
[0009]在凹槽中设置键合材料以形成包括键合柱的键合件，键合柱一端与外延层表面结合，另一端与承载基板的距离大于LED芯片中芯片电极的自由端与承载基板的距离；
[0010]将键合件远离承载基板的一侧与转移基板键合，并剥离承载基板；
[0011]去除牺牲层。
[0012]上述LED芯片组件制备方法中，因为在将LED芯片自承载基板转移到转移基板的过程中，先通过设置并刻蚀牺牲层形成了多个柱状的凹槽，然后在凹槽内设置键合材料形成了包括键合柱的键合件，利用键合柱与LED芯片的外延层连接，并将键合件与转移基板结合，这样就实现了LED芯片与转移基板的可靠连接。剥离承载基板将LED芯片转移到转移基板以后，去除牺牲层，使得LED芯片仅通过键合柱连接在转移基板上，在这种情况下，若要从转移基板上拾取LED芯片，只需要让基于键合柱实现的LED芯片与转移基板间的连接被破坏即可让LED芯片轻松迅速地脱离转移基板，提升了LED芯片在转移基板与转移头间的转移效率与转移良率。
[0013]可选地，去除牺牲层之后，还包括：
[0014]设置包覆外延层的钝化层。
[0015]上述LED芯片组件制备方法中，因为在去除牺牲层之后还会设置包覆LED芯片外延
层的钝化层，利用钝化层对LED芯片的外延层进行电气隔离与水氧隔离，提升了LED芯片的可靠性，同时，因为与LED芯片组件的品质。
[0016]可选地，牺牲层包括氧化硅与氧化铝中的至少一种，去除牺牲层包括：
[0017]刻蚀掉覆盖在外延层朝向转移基板一面上的牺牲层，并对牺牲层位于相邻LED芯片间区域的进行沟槽刻蚀，沟槽刻蚀的刻蚀深度等于该区域中牺牲层的厚度，刻蚀宽度小于相邻LED芯片间间隙的宽度。
[0018]上述LED芯片组件制备方法中，去除牺牲层时，并不会对牺牲层进行全部去除，而是会通过刻蚀限制保证一部分牺牲层仍可以附着在外延层表面，这样可以直接利用牺牲层对LED芯片的外延层进行钝化，不仅可以在一定程度上实现外延层与外部的电气隔离与水氧隔离，而且也可以降低成本。
[0019]基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种LED芯片转移方法，包括：
[0020]提供一LED芯片组件，LED芯片组件按照前述任一项的LED芯片组件制备方法制备得到；
[0021]通过转移头锚定转移基板上的LED芯片，并施力破坏键合柱形成的连接，以实现LED芯片的拾取；
[0022]将拾取的LED芯片的芯片电极键合至驱动背板的背板电极。
[0023]上述LED芯片转移方法中，在将LED芯片自承载基板转移到转移基板的过程中，先通过设置并刻蚀牺牲层形成了多个柱状的凹槽，然后在凹槽内设置键合材料形成了包括键合柱的键合件，利用键合柱与LED芯片的外延层连接，并将键合件与转移基板结合，这样就实现了LED芯片与转移基板的可靠连接。剥离承载基板将LED芯片转移到转移基板以后，去除牺牲层，使得LED芯片仅通过键合柱连接在转移基板上，在这种情况下，若要从转移基板上拾取LED芯片，只需要让基于键合柱实现的LED芯片与转移基板间的连接被破坏即可让LED芯片轻松迅速地脱离转移基板，提升了LED芯片在转移基板与转移头间的转移效率与转移良率。
[0024]基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种LED芯片组件，LED芯片组件采用前述任一项的LED芯片组件制备方法制得。
[0025]上述LED芯片组件中，因为在制备LED芯片组件的过程中，先通过设置并刻蚀牺牲层形成了多个柱状的凹槽，然后在凹槽内设置键合材料形成了包括键合柱的键合件，利用键合柱与LED芯片的外延层连接，并将键合件与转移基板结合，这样就实现了LED芯片与转移基板的可靠连接。所以，剥离承载基板将LED芯片转移到转移基板以后，去除牺牲层，使得LED芯片仅通过键合柱连接在转移基板上，在这种情况下，若要从LED芯片组件中拾取LED芯片，只需要让基于键合柱实现的LED芯片与转移基板间的连接被破坏即可让LED芯片轻松迅速地脱离转移基板，提升了LED芯片在转移基板与转移头间的转移效率与转移良率。
[0026]基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种显示面板，该显示面板包括驱动背板与多颗LED芯片，LED芯片的芯片电极与驱动背板的背板电极电连接，且LED芯片采用前述任一项的LED芯片转移方法转移至驱动背板上。
[0027]上述显示面板中，因为在将LED芯片自承载基板转移到转移基板的过程中，先通过设置并刻蚀牺牲层形成了多个柱状的凹槽，然后在凹槽内设置键合材料形成了包括键合柱的键合件，利用键合柱与LED芯片的外延层连接，并将键合件与转移基板结合，这样就实现
了LED芯片与转移基板的可靠连接。所以，剥离承载基板将LED芯片转移到转移基板以后，去除牺牲层，使得LED芯片仅通过键合柱连接在转移基板上，在这种情况下，若要从LED芯片组件中拾取LED芯片，只需要让基于键合柱实现的LED芯片与转移基板间的连接被破坏即可让LED芯片轻松迅速地脱离转移基板，提升了LED芯片在转移基板与转移头间的转移效率与转移良率，降低了显示面板的生产成本。
附图说明
[0028]图1为本专利技术一可选实施例中提供的LED芯片组件制备方法的流程示意图；
[0029]图2为本专利技术一可选实施例中提供的LED芯片组件的制程状态变化示意图；
[0030]图3为本专利技术一可选实施例中提供的牺牲层上设置键合件的一种示意图；
[0031]图4为本专利技术一可选实施例中提供的牺牲层上设置键合件的一种流程示意图；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片组件制备方法，其特征在于，包括：提供一带有多颗LED芯片的承载基板；在所述承载基板设有所述LED芯片的一面形成牺牲层，所述LED芯片没于所述牺牲层中；自所述牺牲层远离所述承载基板的一面对所述牺牲层进行刻蚀以形成多个柱状的凹槽，所述凹槽以所述LED芯片的外延层表面作为槽底面；在所述凹槽中设置键合材料以形成包括键合柱的键合件，所述键合柱一端与所述外延层表面结合，另一端与所述承载基板的距离大于所述LED芯片中芯片电极的自由端与所述承载基板的距离；将所述键合件远离所述承载基板的一侧与转移基板键合，并剥离所述承载基板；去除所述牺牲层。2.如权利要求1所述的LED芯片组件制备方法，其特征在于，所述去除所述牺牲层之后，还包括：设置包覆所述外延层的钝化层。3.如权利要求1所述的LED芯片组件制备方法，其特征在于，所述牺牲层包括氧化硅与氧化铝中的至少一种，所述去除所述牺牲层包括：对覆盖在所述外延层朝向所述转移基板一面上的牺牲层进行刻蚀，刻蚀深度小于等于该区域中所述牺牲层的厚度，大于所述牺牲层朝向所述转移基板一面距离所述芯片电极的自由端的距离；以及，对所述牺牲层位于相邻所述LED芯片间区域的进行刻蚀，刻蚀深度等于该区域中所述牺牲层的厚度，刻蚀宽度小于相邻所述LED芯片间间隙的宽度。4.如权利要求1
‑
3任一项所述的LED芯片组件制备方法，其特征在于，所述外延层中P型半导体层的面积小于N型半导体层的面积，所述凹槽在所述外延层上的正投影位于P型半导体层上。5.如权利要求1
‑
3任一项所述的LED芯片组件制备方法，其特征在于，所述在所述凹槽中设置键合材料以形...

【专利技术属性】
技术研发人员：马非凡，曹进，戴广超，张雪梅，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：