LED芯片组件及其制备方法、转移方法及显示面板技术

本发明专利技术涉及一种LED芯片组件及其制备方法、转移方法及显示面板。因为在将LED芯片自承载基板转移到转移基板的过程中，先通过设置并刻蚀牺牲层形成了多个柱状的凹槽，然后在凹槽内设置键合材料形成了包括键合柱的键合件，利用键合柱与LED芯片的外延层连接，并将键合件与转移基板结合，这样就实现了LED芯片与转移基板的可靠连接。剥离承载基板将LED芯片转移到转移基板以后，去除牺牲层，使得LED芯片仅通过键合柱连接在转移基板上，在这种情况下，若要从转移基板上拾取LED芯片，只需要让基于键合柱实现的LED芯片与转移基板间的连接被破坏即可让LED芯片轻松迅速地脱离转移基板，提升了LED芯片在转移基板与转移头间的转移效率与转移良率。转移良率。转移良率。

【技术实现步骤摘要】
LED芯片组件及其制备方法、转移方法及显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种LED芯片组件及其制备方法、转移方法及显示面板。

技术介绍

[0002]LED芯片在晶圆上制备完成以后，通常需要通过两次甚至两次以上的转移才能被键合到驱动背板上实现显示面板的制备，在转移LED芯片的过程中，不仅需要将LED芯片与该LED芯片的受方承载体结合，同时还需要让LED芯片与其供方承载体分离，但目前的LED芯片转移方案中，要么存在LED芯片与受方承载体结合不可靠的问题，要么存在LED芯片与供方承载体难以分离，导致LED芯片转移效率与良率不高。
[0003]因此，如何提升LED芯片的转移效率与转移良率是目前亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种LED芯片组件及其制备方法、转移方法及显示面板，旨在解决相关技术中对LED芯片的转移方案存在LED芯片与受方承载体结合不可靠或LED芯片与供方承载体难以分离的问题。
[0005]本专利技术提供一种LED芯片组件制备方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片组件制备方法，其特征在于，包括：提供一带有多颗LED芯片的承载基板；在所述承载基板设有所述LED芯片的一面形成牺牲层，所述LED芯片没于所述牺牲层中；自所述牺牲层远离所述承载基板的一面对所述牺牲层进行刻蚀以形成多个柱状的凹槽，所述凹槽以所述LED芯片的外延层表面作为槽底面；在所述凹槽中设置键合材料以形成包括键合柱的键合件，所述键合柱一端与所述外延层表面结合，另一端与所述承载基板的距离大于所述LED芯片中芯片电极的自由端与所述承载基板的距离；将所述键合件远离所述承载基板的一侧与转移基板键合，并剥离所述承载基板；去除所述牺牲层。2.如权利要求1所述的LED芯片组件制备方法，其特征在于，所述去除所述牺牲层之后，还包括：设置包覆所述外延层的钝化层。3.如权利要求1所述的LED芯片组件制备方法，其特征在于，所述牺牲层包括氧化硅与氧化铝中的至少一种，所述去除所述牺牲层包括：对覆盖在所述外延层朝向所述转移基板一面上的牺牲层进行刻蚀，刻蚀深度小于等于该区域中所述牺牲层的厚度，大于所述牺牲层朝向所述转移基板一面距离所述芯片电极的自由端的距离；以及，对所述牺牲层位于相邻所述LED芯片间区域的进行刻蚀，刻蚀深度等于该区域中所述牺牲层的厚度，刻蚀宽度小于相邻所述LED芯片间间隙的宽度。4.如权利要求1
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3任一项所述的LED芯片组件制备方法，其特征在于，所述外延层中P型半导体层的面积小于N型半导体层的面积，所述凹槽在所述外延层上的正投影位于P型半导体层上。5.如权利要求1
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3任一项所述的LED芯片组件制备方法，其特征在于，所述在所述凹槽中设置键合材料以形...

【专利技术属性】
技术研发人员：马非凡，曹进，戴广超，张雪梅，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：