高对比度的micro芯片结构以及LED显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种高对比度的micro芯片结构以及LED显示装置，其中，高对比度的micro芯片结构包括：转移基板、第一导电层、第二导电层、第一绝缘层、第三导电层、外延层、CMOS基板、N电极以及P电极，并且所述芯片结构还包括贯穿所述第一绝缘层与所述第二导电层的第一通孔以及贯穿所述外延层的第二通孔，其中，第一通孔内填充导电材料，所述第二瞳孔内填充绝缘反射材料，通过第一通孔、第二通孔以及在第二通孔内填充绝缘反射材料的设计，使得像素点的发光通过第二通孔的表面投射出去，从而减少各个独立像素相互之间的影响，大大减小了不同像素之间的光学串扰，实现了显示颜色的更精确控制以及更高的颜色对比度。更精确控制以及更高的颜色对比度。更精确控制以及更高的颜色对比度。

【技术实现步骤摘要】
高对比度的micro芯片结构以及LED显示装置


[0001]本技术涉及半导体照明领域，尤其涉及一种高对比度的micro芯片结构以及LED显示装置。

技术介绍

[0002]对于LED显示屏而言，对比度是重要参数之一。对比度越大，图像越清晰，色彩越艳丽。一般来说，所用芯片越小，LED显示屏的对比度就越高。在相同点间距条件下，LED芯片尺寸越小，黑区面积就越大，不发光时的亮度就越低，虽然发光面积减少，但对比度获得大幅提高。
[0003]然而目前对于基于颜色转换材料的Micro
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LED全彩显示技术仍然存在一个亟待解决的问题：光学串扰(cross
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talk)。当整个阵列通过外加特定电路寻址单个像素时，相邻像素点和区域也会受到一定的干扰。这些问题可能导致显示阵列功能出现故障，在实现显示应用中，会降低图像保真度以及颜色对比度。

技术实现思路

[0004]本技术提供了一种高对比度的micro芯片结构以及LED显示装置，解决了在实际显示应用中，由于相邻像素点的干扰所造成的图像颜色对比度低的问题。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高对比度的micro芯片结构，其特征在于，包括：转移基板；沿远离所述转移基板的方向依次设置在所述转移基板上的第一导电层、第二导电层、第一绝缘层、第三导电层、外延层；若干第一通孔，所述若干第一通孔贯穿所述第一绝缘层与所述第二导电层，且所述若干第一通孔内填充导电材料；若干第二通孔，所述若干第二通孔贯穿所述外延层，且所述若干第二通孔内填充绝缘反射材料；所述若干第一通孔与所述若干第二通孔的位置相互错开；所述若干第二通孔外的外延层的形状至少包括：平面、凸面；且在所述若干第二通孔的外延层上填充金属反射材料；若干第一N电极，所述若干第一N电极设置于所述金属反射材料上；若干第一P电极，所述若干第一P电极设置于所述绝缘反射材料边缘上；CMOS基板，所述CMOS基板上设置有若干第二N电极以及若干第二P电极，且所述若干第二N电极与所述若干第一N电极对应键合，所述若干第二P电极与所述若干第一P电极对应键合。2.根据权利要求1所述的高对比度的micro芯片结构，其特征在于，所述第一通孔的形状为圆柱，且各第一通孔的形状一致。3.根据权利要求1所述的高对比度的micro芯片结构，其特征在于，所述第二通孔的形状为圆台，并且靠近所述第一导电层的一面为上底面，远离所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝茂盛，陈朋，袁根如，张楠，马后永，马艳红，岑岗，魏帅帅，
申请(专利权)人：上海芯元基半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：