微型LED器件、微型LED器件制备方法以及显示装置制造方法及图纸

本公开提供了一种微型LED器件、微型LED器件制备方法及显示装置。所述微型LED器件包括：驱动基板；微型LED芯片阵列，其键合在所述驱动基板上，并且所述微型LED芯片阵列包括台面结构，所述台面结构包括至少两个凸台，所述至少两个凸台中的每个凸台上设有至少一组发光单元，每组发光单元构成正方形像素。根据该方案，可提高微型LED的显示效果。可提高微型LED的显示效果。可提高微型LED的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
微型LED器件、微型LED器件制备方法以及显示装置


[0001]本公开涉及半导体LED的
，具体而言，涉及一种微型LED器件、微型LED器件制备方法以及显示装置。

技术介绍

[0002]Micro
‑
LED具有消耗功率低、寿命长、亮度高、对比度高等优点。随着显示技术的逐步发展，Micro
‑
LED技术已逐渐成为新型显示技术的一种趋势。然而，Micro
‑
LED存在显示效果不佳的问题。

技术实现思路

[0003]为了解决
技术介绍
中提到的技术问题，本公开的方案提供了一种微型LED器件、微型LED器件制备方法以及显示装置。
[0004]根据本公开实施例的一个方面，提供了一种微型LED器件。所述微型LED器件包括：驱动基板；微型LED芯片阵列，其键合在所述驱动基板上，并且所述微型LED芯片阵列包括台面结构，所述台面结构包括至少两个凸台，所述至少两个凸台中的每个凸台上设有至少一组发光单元，每组发光单元构成正方形像素。
[0005]进一步地，所述至少两个凸台为正方形凸台，每个凸台上设有一组发光单元。
[0006]进一步地，每组发光单元中的发光单元的数量为2个或以上，每个发光单元的发光区域形状为矩形，每组发光单元中的矩形发光区域共同构成正方形像素。
[0007]进一步地，每个发光单元的发光区域形状为正方形，每组发光单元中的正方形发光区域共同构成正方形像素。
[0008]进一步地，每组发光单元包括红、绿、蓝三个发光单元，所述红、绿、蓝三个发光单元的发光区域形状均为长方形并且共同构成正方形像素。
[0009]进一步地，所述至少两个凸台中的每个凸台依次包括第一半导体层、量子阱结构和第二半导体层。
[0010]进一步地，所述微型LED芯片阵列还包括：金属层，其设置在所述台面结构的第一半导体层和第二半导体层上；绝缘层，其设置在设有所述金属层的所述台面结构上并且包括用于暴露出所述金属层的接触孔，其中所述至少两个凸台中的每个凸台上方的绝缘层上开设有多个接触孔，以用于形成所述至少一组发光单元；金属块，其设置在暴露出的金属层上。
[0011]进一步地，每组发光单元中的发光单元所对应的金属层上交错地设置有多个金属块。
[0012]进一步地，所述微型LED芯片阵列的金属层包括电流扩展层和电极层，所述电流扩展层设置在所述台面结构的第一半导体层和第二半导体层上，并且所述电极层设置在所述电流扩展层上。
[0013]进一步地，所述衬底是蓝宝石衬底，所述第一半导体层是N
‑
GaN层，所述第二半导
体层是P
‑
GaN层。
[0014]根据本公开的另一方面，还提供了一种微型LED器件制备方法。所述方法包括：提供微型LED结构，所述微型LED结构自下而上依次包括第一半导体层、量子阱结构和第二半导体层；从所述第二半导体层开始进行刻蚀直至暴露出所述第一半导体层，得到台面结构，其中所述台面结构包括至少两个凸台；在所述台面结构的暴露的第一半导体层和第二半导体层上设置金属层；在设有所述金属层的所述台面结构上设置绝缘层并在所述绝缘层上开设接触孔，得到中间结构，以暴露出所述金属层，其中每个凸台上方的绝缘层上开设有多个接触孔，以用于形成至少一组发光单元，每组发光单元构成正方形像素；根据所述中间结构获得微型LED器件。
[0015]进一步地，根据所述中间结构获得微型LED器件包括：在暴露出的金属层上设置金属块，得到微型LED芯片阵列；通过所述金属块将所述微型LED芯片阵列与驱动基板键合，得到微型LED器件。
[0016]进一步地，所述金属层包括电流扩展层和电极层，在所述台面结构的暴露的第一半导体层和第二半导体层上设置金属层包括：在暴露出的第一半导体层和第二半导体层上设置电流扩展层；在所述电流扩展层上设置所述电极层。
[0017]进一步地，所述电流扩展层包括氧化铟锡层。
[0018]进一步地，通过所述金属块将所述微型LED芯片阵列与驱动基板键合，得到微型LED器件包括：使所述金属块回流形成金属凸点；通过所述金属凸点将所述微型LED芯片阵列与驱动基板键合。
[0019]根据本公开实施例的又一方面，还提供了一种显示装置。所述显示装置包括上述的微型LED器件。
[0020]应用本公开的技术方案，可以形成包括至少两个凸台的台面结构，每个凸台上可以形成至少一组发光单元，每组发光单元构成正方形像素。如此形成的微型LED器件中的正方形像素可以相对于例如长方形像素的其它形状的像素，可以在例如投影的像素放大的情况下，减小图像的变形，从而提高了显示效果。
附图说明
[0021]通过参考附图阅读下文的详细描述，本公开示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本公开的若干实施方式，并且相同或对应的标号表示相同或对应的部分，其中：
[0022]图1是示出根据本公开的一个实施例的微型LED器件制备方法的流程图；
[0023]图2a
‑
图2f是示出根据本公开的一个实施例的微型LED器件制备方法的制备工艺流程示意图；
[0024]图3是示出根据本公开的一个实施例的微型LED器件中的凸台和发光单元对应关系的俯视示意图；
[0025]图4是示出根据本公开的一个实施例的微型LED器件中的设有金属块后的凸台和发光单元对应关系的俯视示意图。
具体实施方式
[0026]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本公开。
[0027]应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属
的普通技术人员通常理解的相同含义。
[0028]为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在
……
之上”、“在
……
上方”、“在
……
上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在
……
上方”可以包括“在
……
上方”和“在
……
下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位旋转90度或处于其他方位，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
[0029]现在，将参照附图更详细地描述根据本公开的示例性实施方式。然而，这些示例性实施方式可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型LED器件，其中，所述微型LED器件包括：驱动基板；微型LED芯片阵列，其键合在所述驱动基板上，并且所述微型LED芯片阵列包括台面结构，所述台面结构包括至少两个凸台，所述至少两个凸台中的每个凸台上设有至少一组发光单元，每组发光单元构成正方形像素。2.根据权利要求1所述的微型LED器件，其中，所述至少两个凸台为正方形凸台，每个凸台上设有一组发光单元。3.根据权利要求1至2中任一项所述的微型LED器件，其中，每组发光单元中的发光单元的数量为2个或以上，每个发光单元的发光区域形状为矩形，每组发光单元中的矩形发光区域共同构成正方形像素。4.根据权利要求3所述的微型LED器件，其中，每个发光单元的发光区域形状为正方形，每组发光单元中的正方形发光区域共同构成正方形像素。5.根据权利要求3所述的微型LED器件，其中，每组发光单元包括红、绿、蓝三个发光单元，所述红、绿、蓝三个发光单元的发光区域形状均为长方形并且共同构成正方形像素。6.根据权利要求1所述的微型LED器件，其中，所述至少两个凸台中的每个凸台依次包括第一半导体层、量子阱结构和第二半导体层。7.根据权利要求1所述的微型LED器件，其中，所述微型LED芯片阵列还包括：金属层，其设置在所述台面结构的第一半导体层和第二半导体层上；绝缘层，其设置在设有所述金属层的所述台面结构上并且包...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙铮，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：