衬底处理设备和衬底处理方法技术

提供了一种衬底处理设备。衬底处理设备包括：室，其包括支承件，所述支承件被配置为在其上安装有衬底；至少一个通道，其设置在所述室中，并且导电流体或非导电流体被配置为注入所述至少一个通道中；以及控制单元。控制单元包括：第一泵和第二泵，其被配置为分别将所述导电流体和所述非导电流体供应至所述至少一个通道；以及第一阀，其被配置为分别从所述第一泵和所述第二泵接收所述导电流体和所述非导电流体，并且控制所述导电流体和所述非导电流体注入所述至少一个通道中的比例。体注入所述至少一个通道中的比例。体注入所述至少一个通道中的比例。

【技术实现步骤摘要】
衬底处理设备和衬底处理方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年10月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0134771的优先权，该申请的内容以引用方式全文并入本文中。


[0003]本公开的实施例涉及一种衬底处理设备和衬底处理方法。

技术介绍

[0004]当制造半导体装置或显示装置时，执行诸如蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积和清洁工艺的各种工艺。在这些各种工艺中可使用等离子体设备。
[0005]在这样的等离子体设备中，当提供射频(RF)电源时，室内的气体可受到电磁场的影响，形成等离子体场。在这种情况下，等离子体场可以形成为不对称地分布在衬底的各个区中。
[0006]如上所述，当不对称地形成等离子体场时，蚀刻或沉积工艺会被不均匀地执行。
[0007]因此，需要自由调节等离子体场的分布，以补偿这种不对称性。

技术实现思路

[0008]本公开的各方面提供了一种衬底处理设备，其中，通过控制导电流体和非导电流体注入的位置和比例，可自由调节等离子体场。
[0009]本公开的各方面还提供了一种衬底处理方法，其中，通过控制导电流体和非导电流体注入的位置和比例，可自由调节等离子体场。
[0010]根据实施例，提供了一种衬底处理设备。衬底处理设备包括：室，其包括支承件，所述支承件被配置为在其上安装有衬底；至少一个通道，其设置在所述室中，并且导电流体或非导电流体被配置为注入所述至少一个通道中；以及控制单元，其包括：第一泵和第二泵，其被配置为分别将所述导电流体和所述非导电流体供应至所述至少一个通道；以及第一阀，其被配置为分别从所述第一泵和所述第二泵接收所述导电流体和所述非导电流体，并且控制所述导电流体和所述非导电流体注入所述至少一个通道中的比例。
[0011]根据实施例，提供了一种衬底处理设备。衬底处理设备包括：室，等离子体处理被配置为在所述室中执行；支承件，其由所述室的侧壁包围，所述支承件被配置为在其上安装衬底；喷头，其设置在所述支承件上方，并且被配置为将处理气体喷洒在所述衬底上；环，其设置在所述室中，并且被配置为在所述衬底安装在所述支承件上的同时位于所述衬底的两侧；屏蔽构件，其包括至少一个主体，设置在所述环下方；至少一个通道，用于形成等离子体场的导电流体和非导电流体被配置为注入所述至少一个通道中；以及控制单元，其包括泵和阀中的至少一个，并且被配置为将所述导电流体和所述非导电流体交替地供应至所述至少一个通道，使得在所述至少一个通道中所述非导电流体设置在所述导电流体的一些部分之间，并且控制所述导电流体和所述非导电流体注入所述至少一个通道中的比例。
[0012]根据实施例，提供了一种衬底处理设备。衬底处理设备包括：室，在其中执行等离子体处理；支承件，其设置在所述室中，并且衬底安装在其上；至少一个通道，用于形成等离子体场的导电流体或者非导电流体注入其中；第一泵和第二泵，其将所述导电流体和所述非导电流体分别供应至所述至少一个通道；第一阀，其控制所述导电流体和所述非导电流体注入所述至少一个通道中的比例；以及第二阀，其连接至所述第一阀，将所述导电流体或所述非导电流体分配至所述至少一个通道。
[0013]根据实施例，提供了一种利用衬底处理设备的衬底处理方法，衬底处理设备包括：室，在其中执行等离子体处理；支承件，其设置在所述室中，并且衬底安装在其上；以及至少一个通道，用于形成等离子体场的导电流体或者非导电流体注入其中。衬底处理方法包括：分别利用第一泵和第二泵将导电流体和非导电流体供应至至少一个通道；利用第一阀控制导电流体和非导电流体注入至少一个通道中的比例；以及利用连接至第一阀的第二阀将导电流体或非导电流体分配至至少一个通道。
[0014]应该注意，本公开的各方面和实施例不限于上述方面和实施例，并且从下面的描述中本公开的其它方面和实施例将对于本领域技术人员变得明显。
附图说明
[0015]通过参照附图详细描述本公开的示例实施例，本公开的实施例的以上和其它方面和特征将变得更明显，在附图中：
[0016]图1是示出根据本公开的一些示例实施例的衬底处理设备的示图；
[0017]图2是用于描述图1的衬底处理设备的控制单元和通道的示图；
[0018]图3a是示出在根据本公开的一些示例实施例的衬底处理设备中从上方观看的通道的示图；
[0019]图3b是示出在根据本公开的一些示例实施例的衬底处理设备中从上方观看的通道的示图；
[0020]图3c是示出在根据本公开的一些示例实施例的衬底处理设备中从上方观看的通道的示图；
[0021]图3d是示出在根据本公开的一些示例实施例的衬底处理设备中从上方观看的通道的示图；
[0022]图3e是示出在根据本公开的一些示例实施例的衬底处理设备中从上方观看的通道的示图；
[0023]图4示出了用于描述注入根据本公开的一些示例实施例的衬底处理设备中的通道中的导电流体和输送流体的示图；
[0024]图5是示出根据本公开的一些示例实施例的衬底处理设备的示图；
[0025]图6a是用于描述根据本公开的一些示例实施例的图5的衬底处理设备的控制单元和通道的示图；
[0026]图6b是用于描述根据本公开的一些示例实施例的图5的衬底处理设备的控制单元和通道的示图；
[0027]图6c是用于描述根据本公开的一些示例实施例的图5的衬底处理设备的控制单元和通道的示图；
[0028]图6d是用于描述根据本公开的一些示例实施例的图5的衬底处理设备的控制单元和通道的示图；
[0029]图7是示出根据本公开的一些示例实施例的衬底处理设备的示图；
[0030]图8a是用于描述根据本公开的一些示例实施例的图7的衬底处理设备的控制单元和通道的示图；
[0031]图8b是用于描述根据本公开的一些示例实施例的图7的衬底处理设备的控制单元和通道的示图；
[0032]图9是示出根据本公开的一些示例实施例的衬底处理设备的示图；
[0033]图10a是用于描述根据本公开的一些示例实施例的图9的衬底处理设备的通道的示图；
[0034]图10b是用于描述根据本公开的一些示例实施例的图9的衬底处理设备的通道的示图；
[0035]图10c是用于描述根据本公开的一些示例实施例的图9的衬底处理设备的通道的示图；
[0036]图11是示出根据本公开的一些示例实施例的衬底处理设备的示图；
[0037]图12是用于描述图11的衬底处理设备的通道的示图；
[0038]图13是用于描述根据本公开的一些示例实施例的衬底处理方法的示图。
具体实施方式
[0039]下文中，将参照附图详细描述本公开的非限制性示例实施例。相同的附图标记将在整个附图中表示相同的元件，并且将省略相同元件的冗余描述
[0040]图1是示出根据本公开的一些本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种衬底处理设备，包括：室，其包括支承件，所述支承件被配置为在其上安装有衬底；至少一个通道，其设置在所述室中，并且导电流体或非导电流体被配置为注入所述至少一个通道中；以及控制单元，其包括：第一泵和第二泵，其被配置为分别将所述导电流体和所述非导电流体供应至所述至少一个通道；以及第一阀，其被配置为分别从所述第一泵和所述第二泵接收所述导电流体和所述非导电流体，并且控制所述导电流体和所述非导电流体注入所述至少一个通道中的比例。2.根据权利要求1所述的衬底处理设备，还包括：第二阀，其被配置为将经过所述第一阀的所述导电流体或所述非导电流体分配至所述至少一个通道。3.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中：所述至少一个通道包括第一通道和第二通道，所述第一通道相对于所述第二通道更加靠近所述支承件的第一部分，所述衬底的中心部分被配置为设置在所述支承件的第一部分上，所述第二通道相对于所述第一通道更加靠近所述支承件的第二部分，所述衬底的周边部分被配置为设置在所述支承件的第二部分上，并且所述控制单元被配置为单独地控制注入所述第一通道中的所述导电流体和所述非导电流体中的每一个的比例以及注入所述第二通道中的所述导电流体和所述非导电流体中的每一个的比例。4.根据权利要求3所述的衬底处理设备，其中，所述控制单元被配置为将注入所述第一通道中的所述导电流体和所述非导电流体中的每一个的比例控制为不同于注入所述第二通道中的所述导电流体和所述非导电流体中的每一个的比例。5.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中，所述第一阀被配置为控制注入所述至少一个通道中的所述导电流体和所述非导电流体的比例。6.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中，所述第一阀被配置为控制所述导电流体和所述非导电流体交替地注入。7.根据权利要求6所述的衬底处理设备，其中：所述导电流体包括第一单位导电流体、第二单位导电流体和第三单位导电流体，所述控制单元被配置为按次序注入所述第一单位导电流体、所述第二单位导电流体和所述第三单位导电流体，使得所述第一单位导电流体、所述第二单位导电流体和所述第三单位导电流体在所述至少一个通道当中的通道中彼此间隔开；所述非导电流体包括第一单位非导电流体和第二单位非导电流体，并且所述控制单元被配置为在所述至少一个通道当中的该通道中将所述第一单位非导电流体设置在所述第一单位导电流体和所述第二单位导电流体之间，并且在所述至少一个通道当中的该通道中还将所述第二单位非导电流体设置为与所述第一单位非导电流体间隔开并且位于所述第二单位导电流体和所述第三单位导电流体之间；并且所述控制单元被配置为：基于从注入所述第一单位导电流体的第一时间点过去第一单位时间，控制所述第一阀
将所述第二单位导电流体注入所述至少一个通道当中的该通道中，并且基于从注入所述第二单位导电流体的第二时间点过去第二单位时间，控制所述第一阀将所述第三单位导电流体注入所述至少一个通道当中的该通道中。8.根据权利要求1所述的衬底处理设备，还包括：传感器单元，其包括至少一个传感器并且被配置为感测所述导电流体。9.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中，所述至少一个通道由非导电材料制成。10.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中，所述导电流体是液态金属。11.一种衬底处...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵星辉，金成烈，林美贤，林成龙，郑盛夏，千雄振，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：