一种模拟空间辐射的器件试验方法技术

本发明专利技术公开了一种模拟空间辐射的器件试验方法，包括以下步骤：S1.分析器件在轨遭遇的质子辐射环境；S2.根据器件材料和构型，建立器件几何结构模型，计算和分析空间质子在器件中的剂量深度分布；S3.采用多能质子拟合模拟轨道质子能谱辐照环境，获取质子能量和注量；S4.分析和计算电子在印刷电路板材料中沉积形成的电位；S5.按照计算结果施加质子辐照和电场，测试器件电参数的退化特性。本发明专利技术中，采用多能质子综合辐射，能够较为真实地还原空间辐射环境，能够较为真实地模拟空间质子辐射效应，为空间电子器件辐射环境效应试验和器件评估提供依据。提供依据。提供依据。

【技术实现步骤摘要】
一种模拟空间辐射的器件试验方法


[0001]本专利技术涉及模拟空间辐射
，尤其涉及一种模拟空间辐射的器件试验方法。

技术介绍

[0002]现代航天器采用了越来越多的电子器件，在空间辐射环境的影响下，主要是电子和质子，电子元器件会发生电离总剂量效应和位移损伤效应，导致器件电参数发生偏移和退化，严重时可能发生器件失效。
[0003]一般采用单能质子模拟空间辐射环境对电子器件的影响，但上述方法存在一定的缺陷：
[0004]首先，空间环境是多能谱辐射环境，采用单能质子辐射与空间真实环境存在较大差别，辐射等效性问题难以达成共识；
[0005]其次，电子器件中半导体材料的敏感界面位置是确定的，对于单能质子辐射而言，由于入射深度相对确定，沉积位置可能无法与敏感位置相匹配，导致出现器件对辐射不敏感的不准确结论(即器件对某能量区间质子辐射不敏感却对另一个能量区间的质子辐射敏感)；
[0006]再次，现有的试验方法大多考虑单一因素的影响，没有考虑空间电子器件工作时复杂的电场环境，即在空间高能电子会穿透航天器舱板和单机外壳，沉积本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种模拟空间辐射的器件试验方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.分析器件在轨遭遇的质子辐射环境；S2.根据器件材料和构型，建立器件几何结构模型，计算和分析空间质子在器件中的剂量深度分布；S3.采用多能质子拟合模拟轨道质子能谱辐照环境，获取质子能量和注量；S4.分析和计算电子在印刷电路板材料中沉积形成的电位；S5.按照计算结果施加质子辐照和电场，测试器件电参数的退化特性。2.一种模拟空间辐射的器件试验方法的装置，其特征在于，包括真空容器（15），所述真空容器（15）的内部设置有样品台，所述样品台上设置有绝缘材料二（13），所述绝缘材料二（13）的上面设置有高压电极（14），所述高压电极（14）的上面设置有绝缘材料一（5），所述绝缘材料一（5）的上面设置有被测器件（4），所述真空容器（15）的顶部且位于被测器件（4）上方设置有电子枪（1）、质子源（2）、紫外源（3），所述真空容器...

【专利技术属性】
技术研发人员：季启政，王志浩，丁义刚，王思展，沈自才，刘宇明，
申请(专利权)人：北京卫星环境工程研究所，
类型：发明
国别省市：