一种高强高塑导电铜合金材料及其制备方法技术

本发明专利技术属于铜合金技术领域，具体涉及一种高强高塑导电铜合金材料及其制备方法，包括真空熔炼制备铜合金铸锭、均匀化热处理、热轧变形、多次循环超低温深冷轧、固溶淬火处理、水淬处理、预时效处理、多次循环超低温深冷轧变形、人工时效、多次循环超低温深冷轧变形、低温热处理调控沉淀相协同析出行为等步骤。不仅可以有效促进位错快速增殖，而且还可以进一步促进细小沉淀相的快速析出。同时可以有效促进沉淀相在较低时效温度的快速析出，从而不仅可以有效避免沉淀相的粗化，而且还可以对多种沉淀相的形态和分布进行合理调控。本发明专利技术改变了Cu

【技术实现步骤摘要】
一种高强高塑导电铜合金材料及其制备方法


[0001]本专利技术属于铜合金
，具体涉及一种高强高塑导电铜合金材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来随着电子信息技术的快速发展，尤其以集成电路为核心的半导体产业作为现代信息技术的支柱产业更得到了突飞猛进的发展，从而导致其对材料品种和性能要求也越来越多和苛刻。由于集成电路主要由芯片、引线框架两部分组成，而其中引线框架材料起着传递信号，保护内部元器件并向外散热的作用，是集成电路的关键零部件。目前集成电路引线框架材料中有80％以上采用高精度铜合金冲蚀而成。随着集成电路向着大规模化和多功能化方向发展，对引线框架材料也提出了更高的性能要求。引线框架材料原有的性能指标(抗拉强度＞600MPa，导电率＞50％)己不能满足使用要求，需要进一步提高。另外，除了其强度和导电率性能需要进一步提高之外，对其导热性能、成型加工性能以及抗应力松弛性能等也都有了更高的要求。
[0003]目前国内外使用的铜基引线框架材料种类繁多，不过主要以Cu
‑
Fe
‑
>P系合金和Cu...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高强高塑导电铜合金材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)真空熔炼制备铜合金铸锭；(2)均匀化热处理，温度为930
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980℃，时间为2
‑
6h；(3)热轧变形，开轧温度为750
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820℃，变形量为70
‑
80％；(4)多次循环超低温深冷轧，变形温度为
‑
80℃至
‑
190℃，变形量为45
‑
60％；(5)固溶淬火处理，固溶温度为950
‑
980℃，固溶时间为1
‑
3h，淬火方式为水淬；(6)预时效处理，温度为430
‑
480℃，时间为1
‑
3h；(7)多次循环超低温深冷轧变形，变形温度为
‑
80℃至
‑
190℃，变形量为70
‑
80％；(8)人工时效，时效温度为400
‑
550℃，时间为3
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12h；(9)多次循环超低温深冷轧变形，变形温度为
‑
80℃至
‑
190℃，变形量为40
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65％；(10)低温热处理调控沉淀相协同析出行为，时效温度为330
‑
380℃，时间为10
‑
20h。2.根据权利要求1所述的一种高强高塑导电铜合金材料的制备方法，其特征在于，所述铜合金铸锭的化学成分按照质量百分比计：Ni 3.0
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4.5wt％，Si 0.65
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0.92wt％，Cr 0.005
‑
0.15wt％，B≤0.05wt％,Zr≤0.05wt％，余量为Cu。3.根据权利要求1所述的一种高强高塑导电铜合金材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述真空熔炼工艺为：按照配比添加合金原料，真空度小于0.1Pa后，开始加热熔化合金原料，待合金原料全部熔化后，1200
‑
1300℃保温3
‑
7min，然后搅拌溶体30
‑
90s，随后待溶体温度稳定在1230
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1260℃时开始浇铸，并控制浇铸速度。4.根据权利要求1所述的一种高强高塑导电铜合金材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述均匀化热处理的工艺为：温度930
‑
970℃，时间2
‑
5h，升温速率大于100℃/min，降温速率大于120℃/min。5.根据权利要求1所述的一种高强高塑导电铜合金材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述热轧变形开轧温度750
‑
810℃，终轧温度高于500℃，总变形量72
‑
80％，道次压下量：5
‑
15％，变形方式为单向轧制。6.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：王虎，娄花芬，郭明星，莫永达，刘宇宁，王苗苗，祝儒飞，刘芳，杨春秀，
申请(专利权)人：昆明冶金研究院有限公司北京分公司，
类型：发明
国别省市：