一种具有抗生物大分子污染性能的高灵敏度双光电极免疫传感器及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种具有抗生物大分子污染性能的高灵敏度双光电极免疫传感器及其制备方法和应用，属于生物传感器技术领域。本发明专利技术是以高光电流信号响应FTO/ZnIn2S4光阳极和FTO/CuInS2/Pt光阴极共同作为信号转换元件，将目标抗原对应的捕获抗体修饰于光阴极，以序列为SKSESKSEPPPPC的两性离子肽作为抗生物大分子污染界面刷，防止蛋白质等生物大分子在电极表面的非特异性吸附而产生假阳性信号、降低检测的特异性和敏感性，通过捕获抗体与目标抗原之间的特异性免疫反应，实现对目标抗原的特异性检测，利用高光电流信号响应FTO/ZnIn2S4光阳极可以产生较大的光电流信号，实现双光电极免疫传感器对目标抗原高灵敏度的检测。极免疫传感器对目标抗原高灵敏度的检测。极免疫传感器对目标抗原高灵敏度的检测。

【技术实现步骤摘要】
一种具有抗生物大分子污染性能的高灵敏度双光电极免疫传感器及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于生物传感器
，涉及一种具有抗生物大分子污染性能的高灵敏度双光电极免疫传感器及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]对常见重大疾病精确的早期诊断，能够及时发现并有效防控疾病，从而有力保障人民健康。光电化学免疫传感是将电化学分析法与光电化学技术有机结合而发展的新兴传感分析技术。该技术具有简单的装置、较低的成本、简便的操作流程、易于微型化等优点；同时，亦具有较低的背景干扰、更高的灵敏度、体系自供能等特色。基于这些特点，光电化学免疫传感技术更易于实时快速的现场分析检测，进而激起了越来越多的研究兴趣。
[0003]依据光电极属性，光电化学免疫传感器可以分为光阳极传感和光阴极传感两种传感类别。由于光阳极免疫传感器依靠电子在系统中充当主要电荷载体，当电子供体存在时产生较大的光电流信号，光阳极免疫传感器因而往往具有较高的灵敏度。但由于空穴氧化反应发生在光阳极界面，光阳极免疫传感器对共存于生物样品中的还原剂如谷胱甘肽、多巴胺和抗坏血酸等的抗干扰本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有抗生物大分子污染性能的高灵敏度双光电极免疫传感器，其特征在于，包括高光电流信号响应FTO/ZnIn2S4光阳极和FTO/CuInS2/Pt光阴极，所述FTO/CuInS2/Pt光阴极的表面先通过目标抗原对应的捕获抗体进行修饰，然后将修饰后的FTO/CuInS2/Pt光阴极用序列为SKSESKSEPPPPC的两性离子肽进一步修饰。2.根据权利要求1所述的一种具有抗生物大分子污染性能的高灵敏度双光电极免疫传感器，其特征在于，所述序列为SKSESKSEPPPPC的两性离子肽浓度为0.1～0.5mg/mL。3.根据权利要求1所述的一种具有抗生物大分子污染性能的高灵敏度双光电极免疫传感器，其特征在于，所述捕获抗体的浓度为100～250μg/mL。4.根据权利要求1所述的一种具有抗生物大分子污染性能的高灵敏度双光电极免疫传感器，其特征在于，所述目标抗原优选为CA15
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3。5.权利要求1～4任一项所述的一种具有抗生物大分子污染性能的高灵敏度双光电极免疫传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将FTO导电玻璃通过水热法生长ZnIn2S4纳米片，制备高光电流信号响应FTO/ZnIn2S4光阳极，所述FTO导电玻璃是掺杂氟的SnO2导电玻璃；S2、在FTO导电玻璃上电沉积CuInS2，得到FTO/CuInS2电极，将Pt纳米粒子通过静电吸附作用修饰到所述FTO/CuInS2电极上，制备得到FTO/CuInS2/Pt光阴极；S3、将所述目标抗原对应的捕获抗体修饰到所述FTO/CuInS2/Pt光阴极上，将所述序列为SKSESKSEPPPPC的两性离子肽对所述修饰后的FTO/CuInS2/Pt光阴极进一步修饰，得到具有抗生物大分子污染性能的高灵敏度双光电极免疫传感器。6.根据权利要求5所述的一种具有抗生物大分子污染性能的高灵敏度双光电极免疫传感器的制备方法，其特征在于，所述S1的具体步骤为：以ZnSO4、InCl3和C2H5NS分别作为Zn源、In源和...

【专利技术属性】
技术研发人员：范高超，徐亚群，王灏，陈惠敏，罗细亮，
申请(专利权)人：青岛科技大学，
类型：发明
国别省市：