【技术实现步骤摘要】
半导体功率模块、电机控制器和车辆
[0001]本技术涉及车辆
，尤其是涉及一种半导体功率模块、电机控制器和车辆。
技术介绍
[0002]相关技术中的半导体功率模块，由于芯片的排布以及冷却液的流动方向排布的不合理，导致芯片间的间距较小，会产生热耦合的现象，从而一个芯片的产生的热量会对其旁边的芯片有较高的影响，使半导体功率模块的散热效率降低，并且无法充分利用基板的散热面积，冷却液对半导体功率模块的散热效果差，增大了单位冷却液的冷却压力，进一步地导致半导体功率模块的散热效率降低。
技术实现思路
[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种半导体功率模块，该半导体功率模块的功率芯片的间距大，充分利用了衬底和冷却液的散热面积，减小了功率芯片之间的热耦合，提升了散热性能。
[0004]本技术还提出一种具有上述半导体功率模块的电机控制器。
[0005]本技术还提出一种具有上述电机控制器的车辆。
[0006]为了实现上述目的，根据本技术的第一方面实施...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体功率模块，其特征在于，包括：衬底,所述衬底具有彼此正交的第二方向和第一方向，所述第一方向为用于对所述半导体功率模块散热的冷却液的流动方向；导电区，所述导电区设置于所述衬底；多个功率芯片，多个所述功率芯片安装于所述导电区且排列成多排，每排中的多个所述功率芯片沿所述第二方向间隔排布，多排所述功率芯片沿所述第一方向间隔排布，至少相邻两排中的多个所述功率芯片沿所述第二方向交错排布。2.根据权利要求1所述的半导体功率模块，其特征在于，任意两排中的多个所述功率芯片沿所述第二方向交错排布。3.根据权利要求1所述的半导体功率模块，其特征在于，对于沿所述第二方向交错排布的相邻两排所述功率芯片，每个所述功率芯片与相邻排中的所述功率芯片在所述第二方向上的错位尺寸不小于所述功率芯片在所述第二方向上的尺寸的一半。4.根据权利要求1所述的半导体功率模块，其特征在于，每排的相邻两个所述功率芯片在所述第二方向上的间距不小于所述功率芯片在所述第二方向上的尺寸的一半。5.根据权利要求1所述的半导体功率模块，其特征在于，至少一排中的多个所述功率芯片通过连接件连接至相邻排所述功率芯片所在的导电区，所述相邻排所述功率芯片所在的导电区具有多个连接区域，多个所述连接区域分别与多个所述连接件连接，多个所述连接区域与所述相邻排中的多个所述功率芯片沿所述第二方向交替排布。6.根据权利要求1所述的半导体功率模块，其特征在于，所述导电区包括间隔设置在所述衬底上的第一导电区、第二导电区、第三导电区和第四导电区，所述第一导电区和所述第二导电区分设于所述第三导电区的相对两侧，所述第四导电区的一部分设于所述第一导电区和所述第三导电区之间，所述第四导电区的另一部分设于所述第二导电区和所述第三导电区之间，其中，所述第一导电区、所述第二导电区和所述第四导电区用于传输直流电信号，所述第三导电区用于传输交流电信号；多个所述功率芯片包括多个第一功率芯片、多个第二功率芯片和多个第三功率芯片，多个所述第一功率芯片安装于所述第一导电区且与所述第三导电区连接，多个所述第二功率芯片安装于所述第二导电区且与所述第三导电区连接，多个所述第三功率芯片安装于所述第三导电区且与所述第四导电区连接；其中，多个所述第一功率芯片排列成至少一排，多个所述第二功率芯片排列成至少一排，多个所述第三功率芯片排列成至少一排，多个所述第三功率芯片位于多个所述第一功率芯片和多个所述第二功率芯片之间。7.根据权利要求6所述的半导体功率模块，其特征在于，所述导电区还包括：第五导电区，所述第三导电区具有沿所述第二方向延伸的开口，多个所述第三功率芯片在所述第一方向上分设于所述开口的相对两侧且排列成两排，所述第五导电区设于所述衬底且位于所述开口内，所述第五导电区与所述第三导电区间隔设置且与所述第三功率芯片连接，其中，所述第五导电区用于传输控制信号。8.根据权利要求7所述的半导体功率模块，其特征在于，所述第一功率芯片的数量与相邻排中的所述第三功率芯片的数量相同；所述第二功率芯片的数量与相邻排中的所述第三功率芯片的数量相同。
9.根据权利要求7所述的半导体功率模块，其特征在于，还包括：多个第一连接件，多个所...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡睿，杨胜松，骆传名，
申请(专利权)人：比亚迪半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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