一种半导体研磨胶带制造技术

本发明专利技术涉及功能材料技术领域，具体涉及一种半导体研磨胶带，其包括第一聚噻吩涂层、PO基材层、聚氨酯底涂层、压敏胶层及抗静电离型膜层，所述胶带由第一聚噻吩涂层、PO基材层、聚氨酯底涂层、压敏胶层及抗静电离型膜层由上向下依次复合制备；所述压敏胶层按组分包括丙烯酸异辛酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸羟乙酯、丙烯酸异冰片酯、丙烯酰吗啉、丙烯酰胺、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯及光引发剂。本发明专利技术采用无溶剂工艺，涂布厚胶层时，不易出现溶剂型产品常发生的溶剂挥发导致的针眼以及胶水存放导师的胶粒问题，做晶圆研磨时，成品表面更平整光洁。成品表面更平整光洁。成品表面更平整光洁。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体研磨胶带


[0001]本专利技术涉及功能材料
，具体涉及一种半导体研磨胶带。

技术介绍

[0002]随着科技的进步，芯片的性能越来越好，尺寸越来越小，在半导体芯片制造过程中，通常需要对已完成的芯片器件进行背部研磨减薄(Back Gr i nd i ng)，研磨时，需要对晶圆正面进行保护，贴合一层保护胶带，成为BG tape，以保护晶圆在研磨过程中免受杂质或水的污染，确保芯片的质量。晶圆背部研磨胶带需要具备高内聚性能，研磨时不能残胶，对晶圆有较好的贴附性，水洗时不能渗水，同时胶面平整度以及外观要求均较高，不可有胶粒，杂质和异物，同时厚度公差需要控制在
±
3μm以内。
[0003]市售BG tape主要制备方法为在PO/PVC基材上涂布50
‑
100μm溶剂型聚丙烯酸酯压敏胶，经溶剂挥发干燥和化学交联固化后贴合离型膜制得半成品再经40
‑
50℃熟化3
‑
7day后得到。此方法因干胶量大，使用大量的溶剂带来能耗和VOC排放问题，同时制程过程中极易出现胶层形成表干，底部溶剂挥发造成针眼，胶泡等外观缺陷，另外熟化时间过长，生产线速度低，导致生产效率较低。且市售BG胶带通常未做抗静处理，在贴合和撕膜过程中容易产生静电损坏产品。

技术实现思路

[0004]针对现有技术所存在的上述缺点，本专利技术提供一种半导体研磨胶带，采用无溶剂UV固化技术，胶层具有较高的内聚强度，研磨过程中不残胶，不渗水，制备过程绿色环保，低能耗，低VOC排放，生产效率高，其贴合晶圆和剥离过程可以消除静电，放置对芯片造成损坏。
[0005]技术方案
[0006]为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：
[0007]本专利技术提供一种半导体研磨胶带，其包括第一聚噻吩涂层、PO基材层、聚氨酯底涂层、压敏胶层及抗静电离型膜层，所述胶带由第一聚噻吩涂层、PO基材层、聚氨酯底涂层、压敏胶层及抗静电离型膜层由上向下依次复合制备；
[0008]所述压敏胶层按组分包括丙烯酸异辛酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸羟乙酯、丙烯酸异冰片酯、丙烯酰吗啉、丙烯酰胺、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯及光引发剂。
[0009]进一步的，所述聚氨酯底涂层为含有丙烯酸酯双键的聚氨酯乳液，聚氨酯的分子量为5000
‑
10000，双键含量1％。
[0010]进一步的，按重量份，所述压敏胶层按组分包括丙烯酸异辛酯50
‑
70份、丙烯酸丁酯0
‑
30份、丙烯酸羟乙酯5
‑
15份、丙烯酸异冰片酯5
‑
15份、丙烯酰吗啉0
‑
10份、丙烯酰胺0
‑
5份、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯0.1
‑
1份及光引发剂0.1
‑
2份。
[0011]进一步的，所述光引发剂采用二苯基
‑
(2,4,6
‑
三甲基苯甲酰)氧磷、1
‑
羟基环己基苯基甲酮、2
‑
羟基
‑2‑
甲基
‑1‑
苯基
‑1‑
丙酮、2,4,6
‑
三甲基苯甲酰基苯基膦酸乙酯、苯基双
(2,4,6
‑
三甲基苯甲酰基)氧化膦中的一种或几种。
[0012]进一步的，所述光引发剂采用二苯基
‑
(2,4,6
‑
三甲基苯甲酰)氧磷和1
‑
羟基环己基苯基甲酮。
[0013]进一步的，所述压敏胶层制备步骤如下：将压敏胶层所包含的组分丙烯酸异辛酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸羟乙酯、丙烯酸异冰片酯、丙烯酰吗啉、丙烯酰胺及光引发剂TPO混合均匀，采用波长为365nm，光强为20mw/cm2的UV
‑
LED灯辐照20
‑
120s停止光照，控制单体转化率为10％
‑
30％，胶水粘度为500
‑
2000cps待用；
[0014]而后在上述合成的胶水添加184和TMPTA，配制成为涂布配方胶水。
[0015]进一步的，所述抗静电离型膜层包括有机硅离型层、第二聚噻吩涂层及PET基材层，并由所述有机硅离型层、第二聚噻吩涂层及PET基材层由上向下依次复合制备，所述有机硅离型层与压敏胶层连接。
[0016]进一步的，所述PO基材层的厚度为80
‑
150μm，所述聚氨酯底涂层1
‑
3μm，所述压敏胶层厚度为20
‑
70μm，所述抗静电离型膜层厚度为25
‑
75μm。
[0017]进一步的，所述第一聚噻吩涂层、有机硅离型层以及第二聚噻吩涂层的厚度均小于1μm。
[0018]一种半导体研磨胶带的制备方法，其制备步骤如下：
[0019]1)压敏胶层制备：将压敏胶层所包含的组分混合均匀，采用波长为365nm，光强为20mw/cm2的UV
‑
LED灯辐照20
‑
120s停止光照，控制单体转化率为10％
‑
30％，胶水粘度为500
‑
2000cps待用；
[0020]而后在上述合成的胶水添加0.5％
‑
1.5％184,0.05％
‑
5％ TMPTA，配制成为涂布配方胶水；
[0021]2)ESD涂布：选择厚度为80
‑
150μm，横纵向断裂伸长率＞600％，拉伸强度14
ꢀ‑
24MPa的PO基材上涂布一层第一聚噻吩涂层，涂布量为0.3gf/m2；
[0022]3)底涂液涂布：在涂布有第一聚噻吩涂层的PO基材的另一面，涂布一层含有丙烯酸酯双键的聚氨酯乳液，涂布厚度0.5
‑
2μm，聚氨酯的分子量为5000
‑
10000，双键含量1％；
[0023]4)压敏胶涂布：将步骤1)配制成的涂布配方胶水，涂布于PO基材上，胶层涂布厚度为50
‑
100μm,经UV能量为500mj/cm2固化后，贴合25
‑
75μm抗静电离型膜，得到成品。
[0024]有益效果
[0025]本专利技术提供的技术方案，与已知的公有技术相比，具有如下有益效果：
[0026](1)本专利技术中，第一聚噻吩涂层和第二聚噻吩涂层提供抗静电性能，解决从晶圆剥离时撕膜电压过高的问题，PO基材提供胶水载体，保证贴附性，聚氨酯底涂层提高UV胶层和PO基材的结合力，抗静电离型膜保证与胶层分离时的撕膜电压较小。
[0027](2)压敏胶层原材料组成中，丙烯酸异辛酯和丙烯酸丁酯提供保证压敏性，丙烯酰胺和丙烯酰吗啉，提供内聚性能，TMPTA起交联剂作用，调节胶层剥离力，增加TMPTA的用量，会降低剥离力，同时内聚性能提升。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体研磨胶带，其特征在于，其包括第一聚噻吩涂层、PO基材层、聚氨酯底涂层、压敏胶层及抗静电离型膜层，所述胶带由第一聚噻吩涂层、PO基材层、聚氨酯底涂层、压敏胶层及抗静电离型膜层由上向下依次复合制备；所述压敏胶层按组分包括丙烯酸异辛酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸羟乙酯、丙烯酸异冰片酯、丙烯酰吗啉、丙烯酰胺、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯及光引发剂。2.根据权利要求1所述的一种半导体研磨胶带，其特征在于，所述聚氨酯底涂层为含有丙烯酸酯双键的聚氨酯乳液，聚氨酯的分子量为5000
‑
10000，双键含量1％。3.根据权利要求1所述的一种半导体研磨胶带，其特征在于，按重量份，所述压敏胶层按组分包括丙烯酸异辛酯50
‑
70份、丙烯酸丁酯0
‑
30份、丙烯酸羟乙酯5
‑
15份、丙烯酸异冰片酯5
‑
15份、丙烯酰吗啉0
‑
10份、丙烯酰胺0
‑
5份、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯0.1
‑
1份及光引发剂0.1
‑
2份。4.根据权利要求1所述的一种半导体研磨胶带，其特征在于，所述光引发剂采用二苯基
‑
(2,4,6
‑
三甲基苯甲酰)氧磷、1
‑
羟基环己基苯基甲酮、2
‑
羟基
‑2‑
甲基
‑1‑
苯基
‑1‑
丙酮、2,4,6
‑
三甲基苯甲酰基苯基膦酸乙酯、苯基双(2,4,6
‑
三甲基苯甲酰基)氧化膦中的一种或几种。5.根据权利要求4所述的一种半导体研磨胶带，其特征在于，所述光引发剂采用二苯基
‑
(2,4,6
‑
三甲基苯甲酰)氧磷和1
‑
羟基环己基苯基甲酮。6.根据权利要求5所述的一种半导体研磨胶带，其特征在于，所述压敏胶层制备步骤如下：将压敏胶层所包含的组分丙烯酸异辛酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸羟乙酯、丙烯酸异冰片酯、丙烯酰吗啉、丙烯酰胺及光引发剂TPO混合均匀，采用波长为365nm，光强为20mw/cm2的UV
‑
LED灯辐照20
‑
120s停止光照，控制单体转化...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宇，喻四海，
申请(专利权)人：昆山博益鑫成高分子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：