一种半导体研磨胶带制造技术

本发明专利技术涉及功能材料技术领域，具体涉及一种半导体研磨胶带，其包括第一聚噻吩涂层、PO基材层、聚氨酯底涂层、压敏胶层及抗静电离型膜层，所述胶带由第一聚噻吩涂层、PO基材层、聚氨酯底涂层、压敏胶层及抗静电离型膜层由上向下依次复合制备；所述压敏胶层按组分包括丙烯酸异辛酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸羟乙酯、丙烯酸异冰片酯、丙烯酰吗啉、丙烯酰胺、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯及光引发剂。本发明专利技术采用无溶剂工艺，涂布厚胶层时，不易出现溶剂型产品常发生的溶剂挥发导致的针眼以及胶水存放导师的胶粒问题，做晶圆研磨时，成品表面更平整光洁。成品表面更平整光洁。成品表面更平整光洁。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体研磨胶带


[0001]本专利技术涉及功能材料
，具体涉及一种半导体研磨胶带。

技术介绍

[0002]随着科技的进步，芯片的性能越来越好，尺寸越来越小，在半导体芯片制造过程中，通常需要对已完成的芯片器件进行背部研磨减薄(Back Gr i nd i ng)，研磨时，需要对晶圆正面进行保护，贴合一层保护胶带，成为BG tape，以保护晶圆在研磨过程中免受杂质或水的污染，确保芯片的质量。晶圆背部研磨胶带需要具备高内聚性能，研磨时不能残胶，对晶圆有较好的贴附性，水洗时不能渗水，同时胶面平整度以及外观要求均较高，不可有胶粒，杂质和异物，同时厚度公差需要控制在
±
3μm以内。
[0003]市售BG tape主要制备方法为在PO/PVC基材上涂布50
‑
100μm溶剂型聚丙烯酸酯压敏胶，经溶剂挥发干燥和化学交联固化后贴合离型膜制得半成品再经40
‑
50℃熟化3
‑
7day后得到。此方法因干胶量大，使用大量的溶剂带来能耗和VOC排放问题，同时制程过程中极易出现胶层形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体研磨胶带，其特征在于，其包括第一聚噻吩涂层、PO基材层、聚氨酯底涂层、压敏胶层及抗静电离型膜层，所述胶带由第一聚噻吩涂层、PO基材层、聚氨酯底涂层、压敏胶层及抗静电离型膜层由上向下依次复合制备；所述压敏胶层按组分包括丙烯酸异辛酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸羟乙酯、丙烯酸异冰片酯、丙烯酰吗啉、丙烯酰胺、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯及光引发剂。2.根据权利要求1所述的一种半导体研磨胶带，其特征在于，所述聚氨酯底涂层为含有丙烯酸酯双键的聚氨酯乳液，聚氨酯的分子量为5000
‑
10000，双键含量1％。3.根据权利要求1所述的一种半导体研磨胶带，其特征在于，按重量份，所述压敏胶层按组分包括丙烯酸异辛酯50
‑
70份、丙烯酸丁酯0
‑
30份、丙烯酸羟乙酯5
‑
15份、丙烯酸异冰片酯5
‑
15份、丙烯酰吗啉0
‑
10份、丙烯酰胺0
‑
5份、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯0.1
‑
1份及光引发剂0.1
‑
2份。4.根据权利要求1所述的一种半导体研磨胶带，其特征在于，所述光引发剂采用二苯基
‑
(2,4,6
‑
三甲基苯甲酰)氧磷、1
‑
羟基环己基苯基甲酮、2
‑
羟基
‑2‑
甲基
‑1‑
苯基
‑1‑
丙酮、2,4,6
‑
三甲基苯甲酰基苯基膦酸乙酯、苯基双(2,4,6
‑
三甲基苯甲酰基)氧化膦中的一种或几种。5.根据权利要求4所述的一种半导体研磨胶带，其特征在于，所述光引发剂采用二苯基
‑
(2,4,6
‑
三甲基苯甲酰)氧磷和1
‑
羟基环己基苯基甲酮。6.根据权利要求5所述的一种半导体研磨胶带，其特征在于，所述压敏胶层制备步骤如下：将压敏胶层所包含的组分丙烯酸异辛酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸羟乙酯、丙烯酸异冰片酯、丙烯酰吗啉、丙烯酰胺及光引发剂TPO混合均匀，采用波长为365nm，光强为20mw/cm2的UV
‑
LED灯辐照20
‑
120s停止光照，控制单体转化...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宇，喻四海，
申请(专利权)人：昆山博益鑫成高分子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：