【技术实现步骤摘要】
一种酸性条件下清洁硅结垢的方法
[0001]本专利技术涉及结垢处理
,具体为一种酸性条件下清洁硅结垢的方法。
技术介绍
[0002]膜浓缩和蒸发处理均属于一种浓缩的技术,而在浓缩过程中,每种成分的浓度都会上升,当浓缩到成分饱和浓度的时候,该成分就会析出。往往废水中会含有不同种类的浓度的盐分和有机物等,每种盐分的溶解度不一样,在浓缩过程中,有些溶解度低的物质会优先析出,不可避免的在膜孔表面结垢,影响产水性能,或在蒸发器表面结垢,影响换热效率。因此,当发生这种情况时,会采用不同的化学药剂对结垢的设备清洗,结垢的成分和种类比较多,常见的如碳酸钙,氢氧化镁,二氧化硅等。碳酸钙和氢氧化镁的结垢通过酸洗可以去除,而常规的处理二氧化硅结垢的方式,需要在碱性条件下去除,然后高倍数的浓缩膜不能在碱性条件下运行的,因此,需要开发出一种能在酸性条件下清洗二氧化硅结垢的方法。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于提供一种酸性条件下清洁硅结垢的方法,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:
[0005]一种酸性条件下清洁硅结垢的方法,包括以下步骤:
[0006]步骤1:制备清洗液
[0007]将氯化铵10%、氢氟酸10%、氟化氢氨30%与剩余量的水稀释至1
‑
5%的浓度,pH值为3
‑
7,稀释后的混合物温度为30
‑
50℃;
[0008]步骤2:根据待清洗设备的结垢污染 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种酸性条件下清洁硅结垢的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:制备清洗液将氯化铵10%、氢氟酸10%、氟化氢氨30%与剩余量的水稀释至1
‑
5%的浓度,pH值为3
‑
7,稀释后的混合物温度为30
‑
50℃;步骤2:根据待清洗设备的结垢污染程度,选择不同的清洗方式,清洗过程中观察清洗液的水质情况;所述清洗方式包括:浸泡,利用步骤1制备的清洗液在待清洗设备内浸泡1
‑
8h;低流量循环,利用循环泵将步骤1制备的清洗液在待待清洗设备内循环运行,运行流量占比为10...
【专利技术属性】
技术研发人员:李桂平,张薇薇,张旸,陈德星,张其深,
申请(专利权)人:上海易湃富得环保科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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