【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制作方法及半导体结构
[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构。
技术介绍
[0002]随着半导体存储器的集成度提高，半导体器件的集成密度增加，半导体存储器中相邻的半导体器件的间距减小，可能导致相邻的导电器件之间的寄生电容增大，可能造成半导体存储器的信号延迟，降低半导体存储器的响应速度，严重影响半导体存储器的性能以及可靠性。
[0003]但是顺应半导体存储器的发展趋势，半导体存储器的集成密度将持续上升，在降低相邻的导电器件之间的寄生电容方面的设计与工艺的困难度与复杂度不断增加。
技术实现思路
[0004]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本公开的第一方面提供了一种半导体结构的制作方法，所述半导体结构的制作方法包括：提供基底，所述基底包括多个独立设置的有源区，所述有源区沿第一方向延伸，在各所述有源区上形成位线结构，所述位线结构沿第二方向延伸；在各所述位线结构之间形成第一槽部，所述第一槽部...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括：提供基底，所述基底包括多个独立设置的有源区，所述有源区沿第一方向延伸，在各所述有源区上形成位线结构，所述位线结构沿第二方向延伸；在各所述位线结构之间形成第一槽部，所述第一槽部延伸到所述基底中，并至少暴露出部分所述有源区，在垂直于所述第二方向的第三方向上，所述第一槽部的最大尺寸为第一宽度；在各所述位线结构之间形成第二槽部，所述第二槽部在所述第一槽部上方且与所述第一槽部连接，在所述第三方向上，所述第二槽部的最大尺寸为第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度；填充所述第一槽部和所述第二槽部，以在所述位线结构之间形成存储节点接触结构。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，各所述位线结构之间填充有绝缘层，所述第一槽部与所述第二槽部形成在所述绝缘层中。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述绝缘层包括覆盖所述位线结构的绝缘侧壁以及填充在相邻的所述绝缘侧壁之间的绝缘介质层。4.根据权利要求2或3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在各所述位线结构之间形成所述第一槽部和所述第二槽部之前，在各所述位线结构之间的所述绝缘层中形成第一沟槽，沿所述第一沟槽刻蚀所述有源区，以形成所述第一槽部。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在形成所述第一槽部后，在所述第一槽部中形成第一导电接触结构；在所述第一沟槽的侧壁沉积隔离层，以在所述第一沟槽中形成所述第二槽部，形成所述第二槽部后，形成填充所述第二槽部的第二导电接触结构，所述第一导电接触结构和所述第二导电接触结构连接形成所述存储节点接触结构。6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述第一槽部中形成第一导电接触结构，包括：形成接触层，覆盖所述第一槽部暴露出的所述有源区，所述接触层包括金属硅化物；形成第一导电层，覆盖所述接触层并填充所述第一槽部，所述接触层和所述第一导电层连接形成所述第一导电接触结构。7.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述绝缘介质层中形成所述第二槽部，所述第二槽部暴露出所述有源区，沿所述第二槽部继续蚀刻所述绝缘层和所述有源区，形成所述第一槽部。8.根据权利要求7所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成存储节点接触结构，包括：在所述第一槽部暴露出的所述有源区上形成接触层；形成导电层，覆盖所述接触层并填充所述第一槽部和所述第二槽部，所述接触层和所述第一槽部中的所述导电层形成第一导电接触结构，所述第二槽部中的所述导电层形成第二导电接触结构。9.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：沉积形成金属层，所述金属层覆盖所述存储节点接触结构的顶面以及所述位...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈瑞，王景皓，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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