一种半导体结构及其制造方法技术

本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底；在衬底上形成导电层，在形成导电层的过程中混入了微尘杂质颗粒，使得导电层的上表面包括第一凸起和其他平坦区域，第一凸起在衬底上的投影与微尘杂质颗粒在衬底上的投影至少部分重合；形成覆盖导电层的第一绝缘层，第一绝缘层的厚度不大于第一凸起相对于其他平坦区域的高度差；在第一绝缘层上形成第二绝缘层；去除第二绝缘层，包括：对第二绝缘层执行刻蚀工艺以暴露第一绝缘层，且第一绝缘层至少还覆盖第一凸起；其中，第二绝缘层的刻蚀速率大于第一绝缘层的刻蚀速率；采用清洗液执行清洗工艺，以去除在去除第二绝缘层的过程中产生的刻蚀残留物或副产物。副产物。副产物。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体结构，通常包括衬底以及位于衬底上的多层结构。然而，在半导体结构的制造过程中，往往会产生一些微小颗粒附着在衬底表面或者位于衬底上的任意一层结构上。随着半导体技术朝着小型化、高集成度的方向发展，这些微小颗粒对后续的半导体工艺造成的影响也将愈发显著，最终导致降低半导体结构的性能和稳定性。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括：
[0004]提供衬底；
[0005]在所述衬底上形成导电层，在形成所述导电层的过程中混入了微尘杂质颗粒，使得所述导电层的上表面包括第一凸起和其他平坦区域，所述第一凸起在所述衬底上的投影与所述微尘杂质颗粒在所述衬底上的投影至少部分重合；
[0006]在所述导电层上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述导电层的上表面，所述第一绝缘层的厚度不大于所述第一凸起相对于所述其他平坦区域的高度差；
[0007]在所述第一绝缘层上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成导电层，在形成所述导电层的过程中混入了微尘杂质颗粒，使得所述导电层的上表面包括第一凸起和其他平坦区域，所述第一凸起在所述衬底上的投影与所述微尘杂质颗粒在所述衬底上的投影至少部分重合；在所述导电层上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述导电层的上表面，所述第一绝缘层的厚度不大于所述第一凸起相对于所述其他平坦区域的高度差；在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；去除所述第二绝缘层，包括：对所述第二绝缘层执行刻蚀工艺以暴露所述第一绝缘层，且所述第一绝缘层至少还覆盖所述第一凸起；其中，所述第二绝缘层的刻蚀速率大于所述第一绝缘层的刻蚀速率；采用清洗液执行清洗工艺，以去除在去除所述第二绝缘层的过程中产生的刻蚀残留物或副产物。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述导电层的材料包括钨。3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述清洗液包括稀氢氟酸溶液或稀硫酸与双氧水的混合溶液。4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述稀硫酸与双氧水的混合溶液中硫酸、双氧水以及水的体积比为1:2:20～1:2:100。5.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述稀氢氟酸溶液中氢氟酸和水的体积比为1:100～1:200。6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘层的材料为氮化物，所述第二绝缘层的材料为氧化物。7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二绝缘层包括第二部分和位于所述第二部分上的第一部分；去除所述第二绝缘层，包括：对所述第二绝缘层执行平坦化工艺，以去除所述第二绝缘层的所述第一部分；对剩余的所述第二绝缘层的所述第二部分执行刻蚀工艺，以去除剩余的所述第二绝缘层并暴露所述第一绝缘层。8.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：储嘉虹，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：