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本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，半导体结构的制作方法包括：提供基底，基底包括多个有源区，有源区沿第一方向延伸，在各有源区上形成沿第二方向延伸的位线结构；在各位线结构之间形成第一槽部，第一槽部延伸到基底中暴...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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