【技术实现步骤摘要】
半导体器件、电子设备及制备方法
[0001]本公开涉及存储
，特别涉及半导体器件、电子设备及制备方法。
技术介绍
[0002]动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称：DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的半导体器件组成。每一个半导体器件通常包括电容器和晶体管；晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连；字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。
[0003]目前，针对字线之间的干扰，可以采用埋入式字线方式。通常制备埋入式字线的方法为：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成浅沟槽隔离区定义出有源区，在浅沟槽隔离区中填充了氧化硅。之后在半导体衬底中刻蚀形成穿过有源区及浅沟槽隔离区中的氧化硅的字线沟槽。之后，在字线沟槽中形成埋入式字线。然而，由于半导体衬底和氧化硅的刻蚀选择比不同，这样使得半导体衬底和氧化硅的刻蚀速率不同，从而导致字线沟槽的底面出现凹凸不平，进而导...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成多个字线沟槽；其中，所述字线沟槽沿第一方向延伸；在各所述字线沟槽内形成字线结构；其中，所述字线结构的顶面和所述半导体衬底的顶面齐平；在所述半导体衬底的顶面上形成多个有源区掩膜结构；其中，所述有源区掩膜结构在所述半导体衬底中界定出有源区，且所述有源区掩膜结构在所述半导体衬底的底面的正投影沿第二方向延伸且穿过所述字线结构在所述半导体衬底的底面的正投影；以所述有源区掩膜结构为刻蚀掩膜，对所述字线结构和所述半导体衬底进行刻蚀，形成有源区和穿过所述有源区的埋入式字线。2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在各所述字线沟槽内形成字线结构，包括：在所述字线沟槽的侧壁上覆盖栅极介质层；在形成有所述栅极介质层的所述字线沟槽内填充埋入式字线；其中，所述埋入式字线的顶面低于所述半导体衬底的顶面；在所述字线沟槽内的所述埋入式字线上填充绝缘层；其中，所述绝缘层的顶面与所述半导体衬底的顶面齐平。3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述对所述字线结构和所述半导体衬底进行刻蚀，形成有源区和穿过所述有源区的埋入式字线，包括：刻蚀非掩膜区域中的半导体衬底、绝缘层以及栅极介质层，暴露出所述非掩膜区域中的埋入式字线，以及使所述非掩膜区域中的半导体衬底与所述埋入式字线的底面齐平；其中，所述非掩膜区域为除所述有源区掩膜结构所在区域之外的区域；刻蚀所述非掩膜区域中设定深度的半导体衬底，使所述非掩膜区域中的半导体衬底的顶面与所述埋入式字线的底面具有所述设定深度。4.如权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述刻蚀非掩膜区域中的半导体衬底、绝缘层以及栅极介质层，暴露出所述非掩膜区域中的埋入式字线，以及使刻蚀后的半导体衬底与所述埋入式字线的底面齐平，包括：以所述有源区掩膜结构为刻蚀掩膜，刻蚀所述非掩膜区域中的半导体衬底和绝缘层，使所述非掩膜区域中的半导体衬底的顶面与所述埋入式字线的顶面齐平；以所述有源区掩膜结构为刻蚀掩膜，刻蚀所述非掩膜区域中的半导体衬底和栅极介质层，暴露出所述非掩膜区域中的埋入式字线，并使所述非掩膜区域中的半导体衬底的顶面与所述埋入式字线的底面齐平。5.如权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述暴露出所述非掩膜区域中的埋入式字线，包括：以所述有源区掩膜结构为刻蚀掩膜，刻蚀所述非掩膜区域中的半导体衬底和栅极介质层，暴露出所述非掩膜区域中的埋入式字线，并使所述非掩膜区域中暴露的埋入式字线的高度等于所述有源区掩膜结构所在区域中的埋入式字线的高度。6.如权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述暴露出所述非掩膜区域中的埋入式字线，包括：以所述有源区掩膜结构为刻蚀掩膜，刻蚀所述非掩膜区域中的半导体衬底和栅极介质
层，暴露出所述非掩膜区域中的埋入式字线，并使所述非掩膜区域中的半导体衬底的顶面与所述埋入式字线的底面齐平，以及使所述非掩膜区域中暴露的埋入式字线的高度等于所述有源区...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢经文，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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