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本公开公开了一种半导体器件、电子设备及制备方法，通过在半导体衬底上先形成字线沟槽，之后在字线沟槽中形成字线结构，之后再形成有源区。这样可以使字线沟槽穿过半导体衬底，而不需要使字线沟槽穿过其他材料。由于半导体衬底的材料均一，从而不存在刻蚀选择...
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